公开(公告)号：CN118759951A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410916584.0

申请日：2024-07-09

Applicant: 上海机电工程研究所

Inventor： 于泓 ,  李颖 ,  侯如非 ,  刘宜罡 ,  范宇杰 ,  张明杰 ,  张翔 ,  韦睿川 ,  葛杨 ,  黄家杰

IPC: G05B19/042

Abstract: 本发明提供了一种软硬件双重保险行进间高可靠发射控制电路，包括：软件控制电路由中央处理器电路通过IO接口控制，其输出端连接硬线控制电路；硬线控制电路由外部允许发射钥匙开关控制，其输出端连接动作执行电路；动作执行电路通过软件控制电路和硬线控制电路共同控制，其输出端通过电缆连接至飞行器。当且仅当中央处理器连接软件控制电路的IO接口有效且外部允许发射钥匙开关有效，此时软件控制电路和硬线控制电路共同控制动作执行电路将点火电源通路导通，为飞行器各点火通路提供点火电压，保证飞行器各火工品顺利起爆，进而控制飞行器发射，从而解决飞行器发射车在行进间等复杂工况下的误发射、误操作等问题，提高了飞行器发射的稳定性。

公开(公告)号：CN118839649A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410916585.5

申请日：2024-07-09

Applicant: 上海机电工程研究所

Inventor： 于泓 ,  简方恒 ,  王长久 ,  黄家杰 ,  姜盼 ,  干兴业 ,  乔金鑫 ,  刘宜罡 ,  龚琦 ,  范宇杰

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373

Abstract: 本发明提供了一种高精度SiC MOSFET双脉冲仿真模型及模型构建方法，采用Saber电路仿真软件对SiC MOSFET进行建模，根据SiC MOSFET的数据手册输入寄生电容等参数并手动拟合，驱动回路和外围电路寄生参数通过LC振荡等效电路实验法获取，外部栅极电阻和外部栅源级电容作为模型变量根据实际情况选取，通过双脉冲模型仿真的结果和双脉冲实验的结果对比验证模型的精度。本发明所搭建的SiC MOSFET双脉冲仿真模型可以代替双脉冲实验完成对SiC MOSFET的测试，并且可以更加高效的评估功率器件的性能，获得稳态和动态过程中的主要参数、优化驱动设计等优点。