公开(公告)号：CN118839649A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410916585.5

申请日：2024-07-09

Applicant: 上海机电工程研究所

Inventor： 于泓 ,  简方恒 ,  王长久 ,  黄家杰 ,  姜盼 ,  干兴业 ,  乔金鑫 ,  刘宜罡 ,  龚琦 ,  范宇杰

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373

Abstract: 本发明提供了一种高精度SiC MOSFET双脉冲仿真模型及模型构建方法，采用Saber电路仿真软件对SiC MOSFET进行建模，根据SiC MOSFET的数据手册输入寄生电容等参数并手动拟合，驱动回路和外围电路寄生参数通过LC振荡等效电路实验法获取，外部栅极电阻和外部栅源级电容作为模型变量根据实际情况选取，通过双脉冲模型仿真的结果和双脉冲实验的结果对比验证模型的精度。本发明所搭建的SiC MOSFET双脉冲仿真模型可以代替双脉冲实验完成对SiC MOSFET的测试，并且可以更加高效的评估功率器件的性能，获得稳态和动态过程中的主要参数、优化驱动设计等优点。