高精度SiC MOSFET双脉冲仿真模型及模型构建方法

    公开(公告)号:CN118839649A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202410916585.5

    申请日:2024-07-09

    Abstract: 本发明提供了一种高精度SiC MOSFET双脉冲仿真模型及模型构建方法,采用Saber电路仿真软件对SiC MOSFET进行建模,根据SiC MOSFET的数据手册输入寄生电容等参数并手动拟合,驱动回路和外围电路寄生参数通过LC振荡等效电路实验法获取,外部栅极电阻和外部栅源级电容作为模型变量根据实际情况选取,通过双脉冲模型仿真的结果和双脉冲实验的结果对比验证模型的精度。本发明所搭建的SiC MOSFET双脉冲仿真模型可以代替双脉冲实验完成对SiC MOSFET的测试,并且可以更加高效的评估功率器件的性能,获得稳态和动态过程中的主要参数、优化驱动设计等优点。

    基于嵌入式系统的解除保险控制及模拟返回电路

    公开(公告)号:CN118011892A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410027150.5

    申请日:2024-01-08

    Abstract: 本发明提供了一种基于嵌入式系统的解除保险控制及模拟返回电路。针对具有发动机安全驱动装置接口的导弹,发控系统需要设计解除保险控制电路用于安全驱动装置的保险解除和恢复。同时为了测试发控系统解除保险电路的正确性,需要设计模拟返回电路,模拟安全驱动装置的电气特性。解除保险控制及模拟返回电路包括解除保险控制电路及模拟返回电路,其中解除保险电路由两级继电器构成,前级继电器控制电压正反输出、后级继电器用于带载控制;模拟返回电路由两个继电器构成,分别模拟保险回答及解除保险回答。相比于现有技术,解除保险控制及模拟返回电路可以有效提高电路的可靠性,并实现了发动机安全驱动装置电气接口的模拟。

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