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公开(公告)号：CN105414556A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510839979.6
申请日：2015-11-27
Applicant: 上海无线电设备研究所 , 哈尔滨工业大学深圳研究生院
CPC classification number: B22F9/06 , B22F1/0022 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种水基纳米银浆减薄方法及其用途，该方法包含：步骤1，向水基纳米银浆中加入去离子水，进行稀释清洗；步骤2，搅拌、充分混合；步骤3，向混合溶液中加入硝酸盐电解质溶液，进行絮凝；步骤4，高速离心分离，去除上层溶液，保留底部纳米银浆；步骤5，重复步骤1-4若干次，得到有机包覆层减薄后的水基纳米银浆。本发明通过减薄稀释纳米银颗粒表面的有机包覆层，达到降低纳米银浆烧结温度、缩短烧结时间的效果，实现无压力辅助烧结互连；本发明制备的纳米银浆，用于芯片级烧结互连工艺，显著改善了未做减薄处理前纳米银浆互连接头的力学性能及热导率，对大功率密度电子封装中芯片级互连的散热意义重大。
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公开(公告)号：CN107442969B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710804734.9
申请日：2017-09-08
Applicant: 苏州汉尔信电子科技有限公司 , 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种低温环保焊锡膏，此焊锡膏由助焊膏和金属锡粉组成。助焊膏由604松香，十六烷基三甲基溴化铵，缓蚀剂咪唑和苯丙三唑，触变剂改性氢化蓖麻油，加入活性剂正丁醇，P‑105增粘剂，硝酸，氨水，二乙二醇丁醚和三乙二醇丁醚的一种或两种制备而成；金属锡粉蒸汽‑冷凝法制备而成。本发明助焊膏采用独有的表面活性剂包覆技术，该助焊膏可以提高纳米焊锡膏的成型、印刷性能和抗腐蚀性能，且能够在焊接时去除纳米微粒和焊盘表面的残余杂志和氧化物，提高纳米微粒和焊盘的表面活性，促进润湿和界面反应、形成互连，并及时形成保护层防止纳米微粒和焊盘在焊接过程中二次氧化，适合电子封装领域中低温无铅焊料的制备及封装互连过程。
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公开(公告)号：CN105290418B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510664334.3
申请日：2015-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种微纳米铜球表面镀附具有可焊性厚度的厚锡层的镀附方法，得到表面镀附有厚锡层的基于Cu@Sn核‑壳结构双金属粉。使用所述双金属粉材料压制的预置片进行焊接即可实现低温(250℃)焊接，所得焊点能经受高温(676℃)服役，并且极大的提高了焊点可靠性和焊缝的稳定性，可以广泛应用于各种高温焊接领域。
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公开(公告)号：CN105171168B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510409778.2
申请日：2015-07-13
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明属于材料技术领域，提供了一种高温封装用Cu6Sn5基单晶无铅焊点的定向互连方法，包括：1)Cu6Sn5基单晶块体制备；2)Cu6Sn5基单晶块体切割；3)Cu基焊盘表面预处理；4)Cu6Sn5基单晶焊块互连。该方法制备的Cu6Sn5基单晶无铅互连焊点弹性模量是常规Sn基钎料的235％，而电导率和热导率分别达到Sn基钎料的52.4％和57.8％，具有成本低、耐高温、与Cu基焊盘互连可靠性高、抗蠕变能力强、可在恶劣条件下长期服役的优点。该方法具有工作原理简单、成本低、单晶制备快速且品质高的优点。
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公开(公告)号：CN106928775A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710094598.9
申请日：2017-02-21
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
CPC classification number: C09D11/52 , B22F1/0018 , B22F9/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H05K3/1216
Abstract: 本发明提供了一种可低温烧结的纳米铜导电油墨及其制备方法和印刷应用；通过对铜纳米颗粒表面进行有机酸处理的方式，合成了表面无氧化的铜纳米颗粒，并基于该铜纳米颗粒制备了纳米铜导电油墨，实现了纳米铜导电油墨的低温烧结；本发明所制备的纳米铜导电油墨具有较好的稳定性，方法简单，设备易得，且得到烧结薄膜导电性好，很好的解决了纳米铜导电油墨在应用过程中普遍存在的氧化以及烧结温度过高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104668551B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510043602.X
申请日：2015-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: B22F1/00 , B22F9/24 , H01L21/60 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种用作热界面材料的双峰分布纳米银膏及其制备方法：采用5nm—20nm小粒径纳米银颗粒和30nm—150nm的大粒径纳米银颗粒，按照质量比例为4：1—1：1与超纯水按照一定比例混合，机械搅拌，超声分散，然后离心，去除上层溶液，得到双峰分布纳米银膏。本发明进一步提供5nm—20nm小粒径纳米银颗粒和30nm—150nm的大粒径纳米银颗粒的制备方法。采用本发明中的方法所制备得到的双峰分布纳米银膏具有比单峰分布纳米银膏以及锡铅钎料更高的导热性能和更好的烧结结构稳定性。本发明中的制备方法简单，制备的工艺条件稳定可靠，对环境无污染，易于产业化应用。
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公开(公告)号：CN103658899B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310648319.0
申请日：2013-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院 , 亿铖达焊锡制造(昆山)有限公司 , 深圳市亿铖达工业有限公司 , 东莞市亿铖达焊锡制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法，包括以下几个步骤：步骤A:采用电镀工艺在晶圆上阵列出Cu焊盘；步骤B:在所述Cu焊盘上制备的钎料,制成凸台；步骤C:对制备得到的凸台进行热风重熔30s-120s；步骤D:将步骤C得到的芯片进行固相老化处理；步骤E:将步骤D制备的焊点凸台放置于盐酸中，再用超声振荡，清洗，烘干，即得具有择优取向的Cu6Sn5焊盘；步骤F:将步骤E制备的焊点凸台倒置于倒扣于对应的电路板Cu金属层上，经回流焊工艺即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构。本发明中的单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构应用于较大尺度的二级封装中的在适当的工艺条件下，可以获得均一稳定的焊点结构。
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公开(公告)号：CN105290418A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510664334.3
申请日：2015-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种微纳米铜球表面镀附具有可焊性厚度的厚锡层的镀附方法，得到表面镀附有厚锡层的基于Cu@Sn核-壳结构双金属粉。使用所述双金属粉材料压制的预置片进行焊接即可实现低温(250℃)焊接，所得焊点能经受高温(676℃)服役，并且极大的提高了焊点可靠性和焊缝的稳定性，可以广泛应用于各种高温焊接领域。
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公开(公告)号：CN104668551A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510043602.X
申请日：2015-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: B22F1/00 , B22F9/24 , H01L21/60 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种用作热界面材料的双峰分布纳米银膏及其制备方法：采用5nm—20nm小粒径纳米银颗粒和30nm—150nm的大粒径纳米银颗粒，按照质量比例为4：1—1：1与超纯水按照一定比例混合，机械搅拌，超声分散，然后离心，去除上层溶液，得到双峰分布纳米银膏。本发明进一步提供5nm—20nm小粒径纳米银颗粒和30nm—150nm的大粒径纳米银颗粒的制备方法。采用本发明中的方法所制备得到的双峰分布纳米银膏具有比单峰分布纳米银膏以及锡铅钎料更高的导热性能和更好的烧结结构稳定性。本发明中的制备方法简单，制备的工艺条件稳定可靠，对环境无污染，易于产业化应用。
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公开(公告)号：CN104117782A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410393141.4
申请日：2014-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
CPC classification number: B23K35/0244 , B23K35/302
Abstract: 本发明提供了一种新颖的Cu@Sn核壳结构金属粉，以及由其制成新型预制片高温钎料，以及所述预制片用于焊盘焊接的应用，从而形成高温焊缝的方法，所述金属粉颗粒尺寸在1μm至40μm之间。所述预制片可以用于多种基板的焊接，在回流过程中，预制片内部的颗粒由于压力作用紧密接触，从而能够形成在金属间化合物中弥散分布铜颗粒的致密焊缝结构，较钎料膏形成的焊缝质量高出很多。该结构能够在250℃作用形成，形成后可以在350℃下服役，达到低温连接高温服役的目的。本发明工艺简单，成本低廉，实用性强，解决了目前功率器件芯片粘贴成本高，工艺温度高以及工艺时间长等问题。
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