公开(公告)号：CN105171168A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510409778.2

申请日：2015-07-13

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 李明雨 ,  张志昊 ,  操慧珺

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  B23K1/19 ,  B23K35/26 ,  H01L21/60 ,  B23K101/36

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K1/19 ,  B23K1/203 ,  B23K35/262 ,  B23K2101/36 ,  H01L24/19

Abstract: 本发明属于材料技术领域，提供了一种高温封装用Cu6Sn5基单晶无铅焊点的定向互连方法，包括：1)Cu6Sn5基单晶块体制备；2)Cu6Sn5基单晶块体切割；3)Cu基焊盘表面预处理；4)Cu6Sn5基单晶焊块互连。该方法制备的Cu6Sn5基单晶无铅互连焊点弹性模量是常规Sn基钎料的235％，而电导率和热导率分别达到Sn基钎料的52.4％和57.8％，具有成本低、耐高温、与Cu基焊盘互连可靠性高、抗蠕变能力强、可在恶劣条件下长期服役的优点。该方法具有工作原理简单、成本低、单晶制备快速且品质高的优点。

公开(公告)号：CN105171168B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201510409778.2

申请日：2015-07-13

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 李明雨 ,  张志昊 ,  操慧珺

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  B23K1/19 ,  B23K35/26 ,  H01L21/60 ,  B23K101/36

Abstract: 本发明属于材料技术领域，提供了一种高温封装用Cu6Sn5基单晶无铅焊点的定向互连方法，包括：1)Cu6Sn5基单晶块体制备；2)Cu6Sn5基单晶块体切割；3)Cu基焊盘表面预处理；4)Cu6Sn5基单晶焊块互连。该方法制备的Cu6Sn5基单晶无铅互连焊点弹性模量是常规Sn基钎料的235％，而电导率和热导率分别达到Sn基钎料的52.4％和57.8％，具有成本低、耐高温、与Cu基焊盘互连可靠性高、抗蠕变能力强、可在恶劣条件下长期服役的优点。该方法具有工作原理简单、成本低、单晶制备快速且品质高的优点。

公开(公告)号：CN105040106B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201510317525.2

申请日：2015-06-10

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 张志昊 ,  李明雨 ,  操慧珺

IPC: C30B29/52 ,  C30B9/04

Abstract: 本发明提供了一种Cu6Sn5金属间化合物单晶种籽的制备方法，包括与其具有结构相似性的(CuNi)6Sn5、(CuCo)6Sn5、(CuNiCo)6Sn5等其他互易金属间化合物种籽的制备方法，所述方法包括a)钎料选择；b)钎料预处理；c)通过过饱和熔液制备单晶种籽；d)单晶种籽加工。该制备方法相对于现有技术本方法在制备特定尺寸单晶种籽的成本、效率及品质方面有所提高。

公开(公告)号：CN105047604B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201510390429.0

申请日：2015-07-03

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 张志昊 ,  李明雨 ,  操慧珺

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: 本发明提供了一种三维封装互连焊点下Cu6Sn5相单晶元素扩散阻挡层的合成方法，包括：1)Cu6Sn5相单晶薄层制备；2)铜焊盘表面蒸镀锡层；3)Cu6Sn5相单晶薄层转移；4)Cu6Sn5相单晶薄层与铜基焊盘冶金互连。所得Cu6Sn5相单晶元素扩散阻挡层结构的元素扩散阻挡能力是传统镍基元素扩散阻挡层结构的72倍以上，是Cu6Sn5相多晶元素扩散阻挡层结构的144.3倍以上。具备成为替代现有三维封装互连焊点下元素扩散阻挡层结构的潜力，有极高的工业应用价值。

公开(公告)号：CN105047604A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510390429.0

申请日：2015-07-03

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 张志昊 ,  李明雨 ,  操慧珺

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76867 ,  H01L23/52

Abstract: 本发明提供了一种三维封装互连焊点下Cu6Sn5相单晶元素扩散阻挡层的合成方法，包括：1)Cu6Sn5相单晶薄层制备；2)铜焊盘表面蒸镀锡层；3)Cu6Sn5相单晶薄层转移；4)Cu6Sn5相单晶薄层与铜基焊盘冶金互连。所得Cu6Sn5相单晶元素扩散阻挡层结构的元素扩散阻挡能力是传统镍基元素扩散阻挡层结构的72倍以上，是Cu6Sn5相多晶元素扩散阻挡层结构的144.3倍以上。具备成为替代现有三维封装互连焊点下元素扩散阻挡层结构的潜力，有极高的工业应用价值。

公开(公告)号：CN105040106A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510317525.2

申请日：2015-06-10

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 张志昊 ,  李明雨 ,  操慧珺

IPC: C30B29/52 ,  C30B9/04

Abstract: 本发明提供了一种Cu6Sn5金属间化合物单晶种籽的制备方法，包括与其具有结构相似性的(CuNi)6Sn5、(CuCo)6Sn5、(CuNiCo)6Sn5等其他互易金属间化合物种籽的制备方法，所述方法包括a)钎料选择；b)钎料预处理；c)通过过饱和熔液制备单晶种籽；d)单晶种籽加工。该制备方法相对于现有技术本方法在制备特定尺寸单晶种籽的成本、效率及品质方面有所提高。