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公开(公告)号：CN103658899A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310648319.0
申请日：2013-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院 , 亿铖达焊锡制造(昆山)有限公司 , 深圳市亿铖达工业有限公司 , 东莞市亿铖达焊锡制造有限公司
CPC classification number: B23K1/012 , B23K1/20 , B23K1/206 , B23K35/262 , B23K2101/36 , H01L21/4825 , H01L24/81 , H01L2224/81359
Abstract: 本发明提供一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法，包括以下几个步骤：步骤A:采用电镀工艺在晶圆上阵列出Cu焊盘；步骤B:在所述Cu焊盘上制备的钎料，制成凸台；步骤C:对制备得到的凸台进行热风重熔30s-120s；步骤D:将步骤C得到的芯片进行固相老化处理；步骤E:将步骤D制备的焊点凸台放置于盐酸中，再用超声振荡，清洗，烘干，即得具有择优取向的Cu6Sn5焊盘；步骤F:将步骤E制备的焊点凸台倒置于倒扣于对应的电路板Cu金属层上，经回流焊工艺即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构。本发明中的单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构应用于较大尺度的二级封装中的在适当的工艺条件下，可以获得均一稳定的焊点结构。
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公开(公告)号：CN106124698A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610424229.7
申请日：2016-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种快速评价Sn基钎料Sn晶须生长倾向的方法，该方法通过制备Mg/Sn基钎料/Mg超声辅助钎焊接头为晶须生长提供载体。在超声钎焊过程中，由于超声波的作用，大量的Mg原子进入液态钎料中，其中大部分Mg原子与Sn原子结合，在界面处、钎料内部生成Mg2Sn；另有一部分Mg原子以固溶的形式存在于钎料中。钎料凝固后，固溶的Mg原子处于热力学不稳定状态，Mg原子与Sn原子反应形成新的Mg2Sn，并产生体积膨胀，进而在焊缝中形成应力。Sn晶须在应力作用下大量、迅速的生长。本发明可通过统计对比不同Sn基钎料所制备的焊缝表面晶须生长情况，比较不同钎料的Sn晶须生长倾向，为电子工业提供重要的钎料可靠性参数。
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公开(公告)号：CN105171168A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510409778.2
申请日：2015-07-13
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
CPC classification number: B23K1/0016 , B23K1/19 , B23K1/203 , B23K35/262 , B23K2101/36 , H01L24/19
Abstract: 本发明属于材料技术领域，提供了一种高温封装用Cu6Sn5基单晶无铅焊点的定向互连方法，包括：1)Cu6Sn5基单晶块体制备；2)Cu6Sn5基单晶块体切割；3)Cu基焊盘表面预处理；4)Cu6Sn5基单晶焊块互连。该方法制备的Cu6Sn5基单晶无铅互连焊点弹性模量是常规Sn基钎料的235％，而电导率和热导率分别达到Sn基钎料的52.4％和57.8％，具有成本低、耐高温、与Cu基焊盘互连可靠性高、抗蠕变能力强、可在恶劣条件下长期服役的优点。该方法具有工作原理简单、成本低、单晶制备快速且品质高的优点。
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公开(公告)号：CN104877464A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510234542.X
申请日：2015-05-08
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种复合纳米银粒子导电墨水及其制备方法和印刷应用，测试：采用5nm-20nm小颗粒纳米银粒子与30nm-200nm大颗粒纳米银粒子，按照质量比为8:1—1:3并以一定比例与去离子水、分散剂、表面活性剂等混合，经过超声、机械搅拌，得到纳米银导电墨水。使用喷墨打印机打印到基板上，选取烧结温度为20℃-250℃，烧结时间为1-60min，烧结后形成导电层，或者在室温下，经过化学烧结试剂处理进行室温烧结形成导电层。最后经过表面处理，得到最终烧结导电层测量电阻率。本发明所制的纳米银导电墨水制备方法简单，对设备要求低，环境友好，且打印得到导电层电阻率低，导电性能好，在烧结的过程中不易发生形变或产生裂纹，过程可控。在室温下可将导电层烧结，符合环保低能要求。
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公开(公告)号：CN105040106B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510317525.2
申请日：2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种Cu6Sn5金属间化合物单晶种籽的制备方法，包括与其具有结构相似性的(CuNi)6Sn5、(CuCo)6Sn5、(CuNiCo)6Sn5等其他互易金属间化合物种籽的制备方法，所述方法包括a)钎料选择；b)钎料预处理；c)通过过饱和熔液制备单晶种籽；d)单晶种籽加工。该制备方法相对于现有技术本方法在制备特定尺寸单晶种籽的成本、效率及品质方面有所提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047604B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201510390429.0
申请日：2015-07-03
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种三维封装互连焊点下Cu6Sn5相单晶元素扩散阻挡层的合成方法，包括：1)Cu6Sn5相单晶薄层制备；2)铜焊盘表面蒸镀锡层；3)Cu6Sn5相单晶薄层转移；4)Cu6Sn5相单晶薄层与铜基焊盘冶金互连。所得Cu6Sn5相单晶元素扩散阻挡层结构的元素扩散阻挡能力是传统镍基元素扩散阻挡层结构的72倍以上，是Cu6Sn5相多晶元素扩散阻挡层结构的144.3倍以上。具备成为替代现有三维封装互连焊点下元素扩散阻挡层结构的潜力，有极高的工业应用价值。
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公开(公告)号：CN105171168B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510409778.2
申请日：2015-07-13
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明属于材料技术领域，提供了一种高温封装用Cu6Sn5基单晶无铅焊点的定向互连方法，包括：1)Cu6Sn5基单晶块体制备；2)Cu6Sn5基单晶块体切割；3)Cu基焊盘表面预处理；4)Cu6Sn5基单晶焊块互连。该方法制备的Cu6Sn5基单晶无铅互连焊点弹性模量是常规Sn基钎料的235％，而电导率和热导率分别达到Sn基钎料的52.4％和57.8％，具有成本低、耐高温、与Cu基焊盘互连可靠性高、抗蠕变能力强、可在恶劣条件下长期服役的优点。该方法具有工作原理简单、成本低、单晶制备快速且品质高的优点。
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公开(公告)号：CN104668551B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510043602.X
申请日：2015-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: B22F1/00 , B22F9/24 , H01L21/60 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种用作热界面材料的双峰分布纳米银膏及其制备方法：采用5nm—20nm小粒径纳米银颗粒和30nm—150nm的大粒径纳米银颗粒，按照质量比例为4：1—1：1与超纯水按照一定比例混合，机械搅拌，超声分散，然后离心，去除上层溶液，得到双峰分布纳米银膏。本发明进一步提供5nm—20nm小粒径纳米银颗粒和30nm—150nm的大粒径纳米银颗粒的制备方法。采用本发明中的方法所制备得到的双峰分布纳米银膏具有比单峰分布纳米银膏以及锡铅钎料更高的导热性能和更好的烧结结构稳定性。本发明中的制备方法简单，制备的工艺条件稳定可靠，对环境无污染，易于产业化应用。
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公开(公告)号：CN103658899B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310648319.0
申请日：2013-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院 , 亿铖达焊锡制造(昆山)有限公司 , 深圳市亿铖达工业有限公司 , 东莞市亿铖达焊锡制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法，包括以下几个步骤：步骤A:采用电镀工艺在晶圆上阵列出Cu焊盘；步骤B:在所述Cu焊盘上制备的钎料,制成凸台；步骤C:对制备得到的凸台进行热风重熔30s-120s；步骤D:将步骤C得到的芯片进行固相老化处理；步骤E:将步骤D制备的焊点凸台放置于盐酸中，再用超声振荡，清洗，烘干，即得具有择优取向的Cu6Sn5焊盘；步骤F:将步骤E制备的焊点凸台倒置于倒扣于对应的电路板Cu金属层上，经回流焊工艺即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构。本发明中的单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构应用于较大尺度的二级封装中的在适当的工艺条件下，可以获得均一稳定的焊点结构。
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公开(公告)号：CN104668551A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510043602.X
申请日：2015-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: B22F1/00 , B22F9/24 , H01L21/60 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种用作热界面材料的双峰分布纳米银膏及其制备方法：采用5nm—20nm小粒径纳米银颗粒和30nm—150nm的大粒径纳米银颗粒，按照质量比例为4：1—1：1与超纯水按照一定比例混合，机械搅拌，超声分散，然后离心，去除上层溶液，得到双峰分布纳米银膏。本发明进一步提供5nm—20nm小粒径纳米银颗粒和30nm—150nm的大粒径纳米银颗粒的制备方法。采用本发明中的方法所制备得到的双峰分布纳米银膏具有比单峰分布纳米银膏以及锡铅钎料更高的导热性能和更好的烧结结构稳定性。本发明中的制备方法简单，制备的工艺条件稳定可靠，对环境无污染，易于产业化应用。
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