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公开(公告)号：CN1967773B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510110470.4
申请日：2005-11-17
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , C23F1/12 , C23F4/00
摘要： 本发明公开了一种深沟道器件的刻蚀方法，包括以下步骤：第一步是用等离子态的气体对腔体进行自清洗；第二步是用等离子态的气体去除自然氧化膜；第三步是用等离子态的气体刻蚀基板。采用本发明的刻蚀方法，既能实现对腔体进行自清洗，保证腔体环境的清洁，又不对器件产生影响，可以提高深沟道器件刻蚀的稳定性。
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公开(公告)号：CN101117715A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610029615.2
申请日：2006-08-01
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： C23F4/00 , H01L21/302
摘要： 本发明公开了一种多晶硅刻蚀腔体，在多晶硅刻蚀腔体内的静电吸附盘周围环绕设有一底部和静电吸附盘处于同样高度、设置在静电吸附盘底座上的聚焦环，聚焦环高出静电吸附盘的部分高度为10mm～40mm，外径等于静电吸附盘底座的外径，内径在201mm至211mm之间，聚焦环围绕静电吸附盘周围部分高度等于静电吸附盘的高度，内径等于静电吸附盘的直径，外径等于静电吸附盘底座的外径，本发明通过将腔内的定位环更换为具有比硅片表面更高的高度的聚焦环，将等离子体聚集在硅片表面，使得硅片表面的等离子的均一性改善，改善了刻蚀均一性。本发明使硅片面内的器件具有同样的性能，并且提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN1967773A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200510110470.4
申请日：2005-11-17
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , C23F1/12 , C23F4/00
摘要： 本发明公开了一种深沟道器件的刻蚀方法，包括以下步骤：第一步是用等离子态的气体对腔体进行自清洗；第二步是用等离子态的气体去除自然氧化膜；第三步是用等离子态的气体刻蚀基板。采用本发明的刻蚀方法，既能实现对腔体进行自清洗，保证腔体环境的清洁，又不对器件产生影响，可以提高深沟道器件刻蚀的稳定性。
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公开(公告)号：CN1416154A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02137736.7
申请日：2002-10-31
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/321
摘要： 本发明是一种多层膜结构的栅工艺处理方法，具体是在栅成长之后首先成长一层掺磷浓度低的多晶硅，然后再生成一层浓度高的多晶硅，在沟槽全部填满后，再生成一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅，然后进行回刻。第一层掺磷低的多晶硅在回刻后表面比较平整，以保证栅附近在回刻后不出现凹陷，使栅不受到损伤。在第三层低掺磷或不掺磷多晶硅的回刻速率低，减少回刻后沟槽中心的凹陷深度，使之在后来成长金属膜时不形成空洞。同时通过调整第一，第二层多晶硅的掺磷浓度和厚度，可以保证在回刻后获得同等的栅极电阻。
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公开(公告)号：CN2694476Y
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02261131.2
申请日：2002-10-31
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/82
摘要： 本实用新型涉及一种栅工艺中的多层膜结构。具体是在栅成长之后，依次成长一层掺磷浓度低的多晶硅、一层浓度高的多晶硅、一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅。第一层掺磷低的多晶硅在回刻后表面比较平整，以保证栅附近在回刻后不出现凹陷，使栅不受到损伤。在第三层低掺磷或不掺磷多晶硅的回刻速率低，减少回刻后沟槽中心的凹陷深度，使之在后来成长金属膜时不形成空洞。同时通过调整第一，第二层多晶硅的掺磷浓度和厚度，可以保证在回刻后获得同等的栅极电阻。
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