发明公开
- 专利标题： 深沟道器件的刻蚀方法
- 专利标题（英）： Etching method of ditch road device
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申请号： CN200510110470.4申请日： 2005-11-17
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公开(公告)号： CN1967773A公开(公告)日： 2007-05-23
- 发明人: 王奎 , 吴志丹 , 李虹 , 潘周君 , 虞颖 , 吉黎
- 申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区川桥路1188号
- 专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区川桥路1188号
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理商 丁纪铁
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/3065 ; H01L21/311 ; C23F1/12 ; C23F4/00
摘要：
本发明公开了一种深沟道器件的刻蚀方法，包括以下步骤：第一步是用等离子态的气体对腔体进行自清洗；第二步是用等离子态的气体去除自然氧化膜；第三步是用等离子态的气体刻蚀基板。采用本发明的刻蚀方法，既能实现对腔体进行自清洗，保证腔体环境的清洁，又不对器件产生影响，可以提高深沟道器件刻蚀的稳定性。
公开/授权文献
- CN1967773B 深沟道器件的刻蚀方法 公开/授权日：2010-05-05
IPC分类:
