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公开(公告)号：CN116791061A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310782734.9
申请日：2023-06-29
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善腔体清洁效率的方法，所述方法包括：提供一能够实现原子层沉积工艺的腔体，所述腔体内有在形成铝钛合金薄膜的过程中产生的铝基附产物；将设于基座上的加热组件的位置随所述基座升至最高点，并在420℃～450℃的温度下加热4～8小时，且在加热的过程中使用氩气进行吹扫以清洁所述腔体，其中，所述基座设于所述腔体内，且其高度能够调节。通过本发明解决了现有的腔体清洁效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN114823328A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210235457.5
申请日：2022-03-11
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/321 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种具有HKMG的PMOS的制造方法，PMOS的栅极结构形成步骤包括：步骤一、形成栅介质层；步骤二、生长P型功函数金属层，生长的所述P型功函数金属层为多晶结构；步骤三、进行退火处理使P型功函数金属层的多晶结构的晶粒互相结合以减少多晶结构的晶粒数量并从而增加对金属导电材料层的金属扩散的阻挡作用；步骤四、形成顶部阻挡层；步骤五、形成金属导电材料层。本发明能减少金属导电材料层的金属向下扩散并使器件的阈值电压保持稳定。
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公开(公告)号：CN119132936A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411180313.X
申请日：2024-08-26
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/8238
Abstract: 本申请提供一种提升器件可靠性的方法，包括：步骤一，提供一衬底，衬底上形成有层间介质层，层间介质层中形成有沟槽，在沟槽的侧壁和底部依次形成高K介质层和盖帽层；步骤二，在盖帽层上依次形成阻挡层和PMOS功函数金属层，而后去除位于NMOS区域的PMOS功函数金属层；步骤三，使用氢气还原阻挡层和PMOS功函数金属层表面形成的氧化层；步骤四，使用氨气氮化阻挡层和PMOS功函数金属层的表面；步骤五，依次形成NMOS功函数金属层和金属栅极，填满沟槽。在形成NMOS功函数金属层之前，增加氢气还原和氨气氮化的预处理工序，增加阻挡层抗刻蚀能力的同时盖上PMOS功函数金属层的功函数调节效果，从而提升器件可靠性。
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公开(公告)号：CN115020333A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210619542.1
申请日：2022-05-24
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Inventor： 王诗昊
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种改善晶圆边缘缺陷的方法，所述方法包括：提供一形成有接触孔的晶圆；在于所述接触孔的侧壁及底部形成粘合层之前，对所述晶圆进行处理以于所述晶圆上形成氧化层。通过本发明改善了晶圆边缘易于发生剥离的问题。
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公开(公告)号：CN116130347A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310111165.5
申请日：2023-02-14
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供一种改善金属栅极电性的方法，包括：步骤S1，提供一衬底，在衬底上形成有层间介质层，层间介质层中形成有沟槽，在沟槽的侧壁和底部依次形成功函数金属层和氮化钛阻挡层；步骤S2，对衬底进行浸泡处理，以在位于沟槽底部区域的氮化钛阻挡层的上部形成TiSiN阻挡层；步骤S3，形成金属栅极，填满沟槽。通过步骤S2形成阻挡效果更好且电阻率更低的TiSiN阻挡层，有助于金属栅极的电性的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119132937A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411180331.8
申请日：2024-08-26
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/51
Abstract: 本申请提供一种硅掺杂氮化钛薄膜材料的制备方法和用于制备具有高K金属栅结构的半导体器件的应用。该高K金属栅结构的制备方法包括：步骤一，提供一衬底，在其上形成界面层；步骤二，在界面层上形成栅极介质层；步骤三，在栅极介质层上形成硅掺杂氮化钛薄膜；步骤四，在硅掺杂氮化钛薄膜上依次形成氮化钽层和金属栅极；其中，步骤三中采用先长一定厚度的氮化钛再通硅烷掺硅夹层循环的生长方式形成硅掺杂氮化钛薄膜。本申请提供的硅掺杂氮化钛薄膜更抗刻蚀，减少漏电，提高器件性能；硅原子吸收栅极介质层中的氧空位，提高器件性能；硅掺杂氮化钛更无定形化，增加离子扩散通道，更有效地阻挡金属离子向栅极介质层的扩散；优化工艺制程，降低成本。
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公开(公告)号：CN116230514A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310111087.9
申请日：2023-02-14
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Abstract: 本申请提供一种改善功函数金属层电性与良率的方法，包括：步骤S1，提供一衬底，在衬底上形成有层间介质层，层间介质层中形成有沟槽；步骤S2，在高温环境下于沟槽的侧壁和底部形成功函数金属层。通过采用高温的工艺环境，利用高温增加分子运动能的特性，使形成功函数金属层所采用的沉积工艺实现更高的阶梯覆盖率以及均匀度，从而达到改善形成的功函数金属层电性与良率的目的。
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公开(公告)号：CN114481068A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210097271.8
申请日：2022-01-27
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: C23C14/35 , C23C14/06 , C23C14/14 , H01L21/3205
Abstract: 本发明提供一种保护功函数金属层的方法，提供衬底和物理气相沉积机台，衬底上形成有功函数金属层；将物理气相沉积机台的偏压电源设置为零，之后利用物理气相沉积机台在功函数金属层上淀积第一保护层；提供偏置电压，偏置电压用于增加物理气相沉积机台形成的溅射原子的能量；偏压电源采用偏置电压，之后利用物理气相沉积机台在第一保护层上形成第二保护层。本发明通过不采用偏置电压在功函数金属层上形成第一保护层，之后采用偏置电压在功函数金属层上形成第二保护层，从而使得功函数金属层得到充分保护，提升了器件阈值电压的性能。
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公开(公告)号：CN116288275B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310280160.5
申请日：2023-03-20
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Inventor： 王诗昊
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/06
Abstract: 本申请提供一种钛铝沉积机台的工艺腔室暖机方法，包括：步骤S1，采用高压力和高铝/钛比例程式实施第一次暖机，使工艺腔室达到钛铝沉积工艺实施的条件；步骤S2，采用低压力和低铝/钛比例程式实施第二次暖机，除去工艺腔室内以及连通工艺腔室和钢瓶的管路内的杂质颗粒。相比现有技术，将暖机时间缩短一半，降低晶圆成本超过70％。
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公开(公告)号：CN116288275A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310280160.5
申请日：2023-03-20
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Inventor： 王诗昊
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/06
Abstract: 本申请提供一种钛铝沉积机台的工艺腔室暖机方法，包括：步骤S1，采用高压力和高铝/钛比例程式实施第一次暖机，使工艺腔室达到钛铝沉积工艺实施的条件；步骤S2，采用低压力和低铝/钛比例程式实施第二次暖机，除去工艺腔室内以及连通工艺腔室和钢瓶的管路内的杂质颗粒。相比现有技术，将暖机时间缩短一半，降低晶圆成本超过70％。
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