-
公开(公告)号：CN109994424B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910231239.2
申请日：2019-03-26
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种用于28纳米及以下技术节点的接触孔结构中氮化钛膜的形成方法，包括：在接触孔开口处的衬底上进行氮化钛的第一次淀积并进行第一次处理，形成氮化钛初始层；在氮化钛初始层上进行氮化钛的第二次淀积并进行第二次处理，形成氮化钛主体层，氮化钛初始层的厚度比氮化钛主体层的厚度小，且氮化钛初始层和氮化钛主体层的厚度之和与接触孔结构中所需的氮化钛膜厚度相同。本发明改变了两次氮化钛淀积的厚度以及对淀积氮化钛进行处理的时间，使第一次形成的氮化钛膜比第二次形成的氮化钛膜薄，可以减轻第一次等离子体处理负荷，降低处理过程中的排气，从而获得膜质阻值符合要求、填充能力增强、成膜连续性良好的阻挡层。
-
公开(公告)号：CN109545741B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811476989.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种钨填充凹槽结构的方法,包括步骤：步骤一、在第一介质层中形成第一凹槽。步骤二、形成第一阻挡层。步骤三、进行第一次钨沉积加化学机械研磨工艺形成第一钨层。步骤四、形成第二介质层。步骤五、形成叠加在第一凹槽的正上方的第二凹槽。步骤六、形成第二阻挡层。步骤七、将第二凹槽的底部表面和第二凹槽的外部表面的所述第二阻挡层去除。步骤八、进行从底部向顶部沉积的第二次钨沉积形成第二钨层。本发明能实现钨的无缝隙填充，提高钨填充凹槽结构的质量。
-
公开(公告)号：CN114121646B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202111427810.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/321 , H01L21/66 , B24B37/005
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种抛光方法、装置、存储介质、模组及机台；通过将单一的研磨时间控制或带有预测的厚度差控制分阶段地执行于研磨的不同工作状态，解决了复杂分层及材质工件的研磨一致性技术问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109994424A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910231239.2
申请日：2019-03-26
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种用于28纳米及以下技术节点的接触孔结构中氮化钛膜的形成方法，包括：在接触孔开口处的衬底上进行氮化钛的第一次淀积并进行第一次处理，形成氮化钛初始层；在氮化钛初始层上进行氮化钛的第二次淀积并进行第二次处理，形成氮化钛主体层，氮化钛初始层的厚度比氮化钛主体层的厚度小，且氮化钛初始层和氮化钛主体层的厚度之和与接触孔结构中所需的氮化钛膜厚度相同。本发明改变了两次氮化钛淀积的厚度以及对淀积氮化钛进行处理的时间，使第一次形成的氮化钛膜比第二次形成的氮化钛膜薄，可以减轻第一次等离子体处理负荷，降低处理过程中的排气，从而获得膜质阻值符合要求、填充能力增强、成膜连续性良好的阻挡层。
-
公开(公告)号：CN116587161A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310745977.5
申请日：2023-06-21
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Inventor： 李一斌
IPC: B24B37/10 , B24B53/017 , B24B57/02 , B24B37/005
Abstract: 本发明公开了一种化学机械研磨工艺方法，包括：步骤一、在第一时间段内进行化学机械研磨。化学机械研磨中，晶圆固定在研磨头上，晶圆的被研磨面和研磨垫接触实现化学机械研磨并产生研磨副产物。步骤二、进行研磨垫修整，研磨垫修整的工艺时间包括多个子时间段，各子时间段分布在第一时间段中，利用各子时间段分布在第一时间段中的特点将第一时间段中各时刻产生的研磨副产物及时去除，防止在第一时间段的各时刻产生研磨副产物累积并从而防止由研磨副产物累积所带来的研磨速率降低和刮伤缺陷。本发明能在化学机械研磨过程中对研磨垫进行及时修整，并从而能防止研磨副产物累积以及由研磨副产物累积所带来的研磨速率降低和刮伤缺陷。
-
公开(公告)号：CN114121646A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111427810.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/321 , H01L21/66 , B24B37/005
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种抛光方法、装置、存储介质、模组及机台；通过将单一的研磨时间控制或带有预测的厚度差控制分阶段地执行于研磨的不同工作状态，解决了复杂分层及材质工件的研磨一致性技术问题。
-
公开(公告)号：CN109545741A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811476989.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种钨填充凹槽结构的方法,包括步骤：步骤一、在第一介质层中形成第一凹槽。步骤二、形成第一阻挡层。步骤三、进行第一次钨沉积加化学机械研磨工艺形成第一钨层。步骤四、形成第二介质层。步骤五、形成叠加在第一凹槽的正上方的第二凹槽。步骤六、形成第二阻挡层。步骤七、将第二凹槽的底部表面和第二凹槽的外部表面的所述第二阻挡层去除。步骤八、进行从底部向顶部沉积的第二次钨沉积形成第二钨层。本发明能实现钨的无缝隙填充，提高钨填充凹槽结构的质量。
-
公开(公告)号：CN117245551A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311152917.9
申请日：2023-09-07
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种CMP研磨结构，研磨垫和研磨盘，研磨垫放置于研磨盘上，研磨盘带动研磨垫同步旋转；待加工晶圆利用硅片固定装置面向研磨垫；磨料喷头，其用于对待加工晶圆研磨时向研磨盘表面喷洒研磨液；控制器，其用于控制磨料喷头的供液时间，使得研磨垫表面的研磨液的总量为目标量。本发明在保持最佳研磨条件的基础上，降低研磨液供给时间，减少了缺陷，保证待加工晶圆安全稳定的基础上大幅度降低成本。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.024 seconds)
