-
公开(公告)号:CN119491219A
公开(公告)日:2025-02-21
申请号:CN202411616882.4
申请日:2024-11-13
Abstract: 本发明提供一种原子团簇粉体及其制造方法、高温合金裂纹缺陷修复方法,通过高频脉冲电源对靶材持续进行高频脉冲放电冲击,产生原子级的团簇粉体,得到原子团簇粉体。修复方法包括:将带有裂纹缺陷的高温合金材料构件清洗并干燥后,正放置在手套箱中;将原子团簇粉体堆砌在高温合金材料构件的裂纹缺陷上方,进行震动处理,使原子团簇粉体充分渗入高温合金材料构件的裂纹缺陷中;将高温合金材料构件放入热处理炉中,熔化原子团簇粉体,实现裂纹缺陷的冶金修复。本发明将高温合金裂纹缺陷修复与连接材料尺寸减少到原子级,能够在较低温度下实现高温合金材料构件裂纹缺陷的同材修复,具有工艺简单、能耗低、高性能高温合金材料适用性强等优点。
-
公开(公告)号:CN117822107B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410245701.5
申请日:2024-03-05
Applicant: 南京大学 , 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及拓扑绝缘体薄膜领域,具体涉及一种化学气相沉积法生成拓扑绝缘体薄膜的方法及设备。所述设备包括外管和内管,所述外管两端分别设有阀门;所述外管左端为抽真空口,并连接真空泵,所述外管右端为辅助气体进气口,以通入辅助气体;所述内管置于外管内,内管左端部设置拓扑绝缘体单晶,右端部相对设置衬底。本发明通过在升温、降温时,通入辅助气体,带走拓扑绝缘体单晶在此过程中挥发的气体,使得薄膜只在温度稳定时进行生长,使得薄膜成分均匀,满足拓扑绝缘体这一特殊材料的需求。
-
公开(公告)号:CN117912970A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202410310355.4
申请日:2024-03-19
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种基于原子团簇焊剂的半导体键合方法,属于集成电路制备技术领域。本发明通过磁控溅射法生成团簇束;再将团簇束沉积到衬底的表面,使团簇均匀的平铺在衬底的表面,形成团簇层;在温度低于传统焊剂材料熔点1/3以下的常压环境中,加热熔化团簇层,并将待键合的晶圆放置在团簇层上,以使衬底和上晶圆相互键合。本发明基于原子团簇焊剂的半导体键合技术基于团簇的流动性可以自适应晶圆表面不平整的形貌,实现对表面不平整晶圆的键合以及拓展到其他同材键合。
-
公开(公告)号:CN116761439B
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202311063346.1
申请日:2023-08-23
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
Abstract: 本发明属于信息技术领域,特别涉及一种原子级团簇存算器件及其制造方法。所述原子级团簇存算器件自下而上依次设置衬底及氧化层、栅电极和栅介质层;所述栅介质层上设置有至少一根导电电极,每根导电电极上设置有一个纳米级间隙;所述纳米级间隙的两边为源电极和漏电极,纳米级间隙中设置组合分子体系;所述组合分子体系为一个以上功能原子与单个分子的复合体系,其与源电极、漏电极形成良好的接触,所述组合分子体系具备单电偶极子双稳态的特征。
-
公开(公告)号:CN116817804B
公开(公告)日:2023-11-03
申请号:CN202311070225.X
申请日:2023-08-24
Applicant: 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 , 南京大学
Abstract: 本发明属于离子注入领域,具体涉及一种多层石墨烯中离子注入深度精确标定方法,具体为将某厚度的石墨烯纳米片均匀分散在电镜载网上;使用特定参数的团簇注入方法,对电镜载网上的石墨烯纳米片进行团簇注入;对电镜载网上注入团簇的石墨烯纳米片进行厚度标定,并统计石墨烯纳米片中注入的团簇密度;选取不同厚度的石墨烯纳米片,重复上述步骤;根据石墨烯纳米片中注入团簇密度的统计结果,得到注入的团簇密度发生锐减的石墨烯纳米片的厚度区间;根据得到的厚度区间,得到该特定参数的团簇注入方法在石墨烯材料上的注入深度。本发明可直观且精确地判断团簇注入深度。
-
公开(公告)号:CN111705303B
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN202010581263.1
申请日:2020-06-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种差分的空气动力学设计在气体团簇束流源应用,使用适用于气相冷凝团簇源冷凝腔出口处的特斯拉型不可动微阀;利用气流从特斯拉不可动微阀单向流动的低阻方向性,在较低真空泵组和冷凝气流量的条件下,维持冷凝腔高的气压和真空腔低的本底气压;将特斯拉不可动微阀的低阻方向和团簇源从高压冷凝腔到低压的真空腔的指向反向,使冷凝腔中气体不易进入真空腔体;同时控制特斯拉不可动微阀中与直形轨道接口连通的半环轨道个数,调节特斯拉不可动微阀单向流阻大小;高气压的冷凝腔实现更有效的团簇和纳米颗粒合成。
-
公开(公告)号:CN111487289A
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN202010220952.X
申请日:2020-03-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种低功耗的氢气检测方法,为如下检测材料结构,包括自旋极化层、设置在自旋极化层上的阻隔层、设置在阻隔层上的钯金属层、设置在钯金属层两端的电极层;阻隔层是石墨烯、氧化铝、氧化镁或氮化硼;前述的自旋极化层可以是拓扑绝缘体、狄拉克半金属、外尔半金属或重金属;铁磁金属、铁磁半金属或铁磁绝缘体等等。钯金属层是钯的金属薄膜、金属纳米线或金属纳米线阵列;电极层是金、银、铜、铂、镍、铟层或者其他适合的导电材料的电极层;在吸收氢气之后,钯金属层体积膨胀,使得自发形成的电流发生明显的变化,钯金属层中的电流是自发形成的,不需要引入电源,因此大大减小了氢气检测的功耗,也满足了传感小型化的目标。
-
公开(公告)号:CN110726763A
公开(公告)日:2020-01-24
申请号:CN201910992375.3
申请日:2019-10-18
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/407 , B82Y30/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明公开了一种低功耗的氢气检测方法及其装置和制备方法,该检测方法利用钯金属吸氢前和吸氢后的自旋轨道耦合强度不同,不同的自旋轨道耦合强度通过逆自旋霍尔效应表现出来,即通过钯金属与自旋极化层的异质结构,自旋极化层中的自旋信号会在的钯金属层中自发产生不一样的电流信号,实现氢气的检测。自旋极化层的自旋流在理论上具备无耗散的性质,而且钯金属层中的电流是自发形成的,不需要引入电源,因此减小了氢气检测的功耗,满足了传感小型化的目标。本发明既利用了钯金属层的自旋轨道耦合作用,又利用了钯金属层优异的氢敏特性,由于自旋无耗散的特点,使得这种结构的氢气检测方法能获得更小的功耗。
-
公开(公告)号:CN109881254A
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201910131441.8
申请日:2019-02-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种通过多次溶剂热生长控制拓扑绝缘体纳米片尺寸的方法,第一步,通过传统的溶剂热法合成直径约为500±200纳米左右的六角形Bi2Te3纳米片。第二步,将第一步合成的产物投入前驱液,进行第二次溶剂热合成;或再将第二步合成的产物投入前驱液,进行第三次溶剂热合成。通过生长次数的变化,有效对拓扑绝缘体纳米片尺寸进行控制。第一步生长使用预先配制的前驱液作为反应原料,其中含有产物所需的化学元素及适当的表面活性剂;第二步使用前驱液与第一步溶剂热合成的产物混合,作为第二步反应原料;后续步骤则重复使用前驱液与前一步的合成产物混合,作为反应原料进行溶剂热合成。
-
公开(公告)号:CN103789734B
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201410038796.X
申请日:2014-01-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出一种中性团簇束流喷嘴集群实现宽幅纳米颗粒束流的方法,所述束流喷嘴集群由束流集群板即集成束流枪实现,束流集群板分为两层,第一层为多个集成束流枪的喷嘴,第二层为分离器,分离器与喷嘴一一对应,分离器与喷嘴的轴线在一条直线上,两层的间距为0.5cm到5cm之间。本发明构成可用于较大面积和较大通量纳米加工的纳米颗粒束流,实现较大面积的纳米喷涂。借此实现的高颗粒通量的宽幅纳米束流将有助于提高利用团簇束流进行纳米表面加工时单位时间产额,有助于降低能耗和提高效率,从而有效地降低纳米加工的单位成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-