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公开(公告)号：CN113675346B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110965956.5
申请日：2021-08-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备碳纳米管/石墨烯纳米带异质结光电器件的方法，属于光电器件制备技术领域，所述方法包括以下步骤：将单壁碳纳米管分散液涂于FTO导电玻璃上并干燥、煅烧，之后在单壁碳纳米管上依次沉积TiO2及过渡金属，然后在氢气辅助下进行单壁碳纳米管解链，之后沉积ITO透明电极，即得所述光电器件；本发明可对单壁碳纳米管的解链程度进行有效控制，且在一根单壁碳纳米管上可以形成多个单壁碳纳米管/石墨烯纳米带分子内异质结，有效提高了以其制备得到的光电器件的光生电流和光生电压，从而可以大幅提高光电器件的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114038756B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202111311073.9
申请日：2021-11-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/786 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管制备技术领域；在具有氧化物栅绝缘层的衬底上制备宽度为1～5nm的石墨烯纳米带，之后在石墨烯纳米带两端分别形成源电极和漏电极的金属层，使用衬底材料作为栅极，得到背栅结构的基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管；本发明使用宽度为1～5nm的窄的石墨烯纳米带制备得到场效应晶体管，由于制得的石墨烯纳米带具有很窄的宽度使其具有大的带隙，从而使得由其制备的场效应晶体管具有高的开关比，同时制得的石墨烯纳米带具有光滑的边缘使制备的场效应晶体管具有高的场效应迁移率。
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公开(公告)号：CN114038756A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111311073.9
申请日：2021-11-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/786 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管制备技术领域；在具有氧化物栅绝缘层的衬底上制备宽度为1～5nm的石墨烯纳米带，之后在石墨烯纳米带两端分别形成源电极和漏电极的金属层，使用衬底材料作为栅极，得到背栅结构的基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管；本发明使用宽度为1～5nm的窄的石墨烯纳米带制备得到场效应晶体管，由于制得的石墨烯纳米带具有很窄的宽度使其具有大的带隙，从而使得由其制备的场效应晶体管具有高的开关比，同时制得的石墨烯纳米带具有光滑的边缘使制备的场效应晶体管具有高的场效应迁移率。
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公开(公告)号：CN119069532A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411198419.2
申请日：2024-08-29
Applicant: 上海交通大学 , 浙江福莱新材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于液相剥离及阶联离心方法制备的一维BPNR或PNR的场效应晶体管，包括依次设置的目标衬底，石墨烯接触电极，一维BPNR或一维PNR沟道，源、漏电极和BN顶栅电极；所述一维BPNR或一维PNR采用液相剥离及阶联离心方法制备。采用特殊的液相剥离及阶联离心方法制备的一维BPNR或一维PNR具有表面洁净、边缘整齐、具有单晶结构的优点，有利于提高器件性能；此外，石墨烯接触电极的设计有利于减少半导体一维BPNR或一维PNR与金属电极的接触电阻，降低肖特基势垒，氮化硼为顶栅的设计有利于对易发生氧化的BPNR和PNR进行物理保护。上述因素协同作用，使得本发明的场效应晶体管具有优异的性能。
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公开(公告)号：CN113675346A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110965956.5
申请日：2021-08-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备碳纳米管/石墨烯纳米带异质结光电器件的方法，属于光电器件制备技术领域，所述方法包括以下步骤：将单壁碳纳米管分散液涂于FTO导电玻璃上并干燥、煅烧，之后在单壁碳纳米管上依次沉积TiO2及过渡金属，然后在氢气辅助下进行单壁碳纳米管解链，之后沉积ITO透明电极，即得所述光电器件；本发明可对单壁碳纳米管的解链程度进行有效控制，且在一根单壁碳纳米管上可以形成多个单壁碳纳米管/石墨烯纳米带分子内异质结，有效提高了以其制备得到的光电器件的光生电流和光生电压，从而可以大幅提高光电器件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118992994A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411118260.9
申请日：2024-08-15
Applicant: 上海交通大学 , 浙江福莱新材料股份有限公司
Abstract: 本发明属于半导体材料制备技术领域，涉及一种机械剥离制备磷烯纳米带的方法。本发明通过将黑磷多晶样品通过机械剥离胶带进行多次剥离，在胶带上获得带有部分剥离的PNRs的厚BP片；通过胶带‑PDMS接触剥离法，将部分剥离的PNRs继续剥离，在PDMS上得到分离的、独立的PNRs；通过传统的干法转移方式，将PDMS上的PNRs转移至衬底上，得到固定有PNRs的衬底；将固定有PNRs的衬底在有机溶剂中浸泡后，经干燥得到磷烯纳米带。制备过程中无化学反应参与，无有毒有害物质加入，具有绿色环保、低成本、简单工艺、高生产效率、易于规模化放大等特点，有利于对黑磷纳米带或磷烯纳米带的进一步科学研究和推广应用。
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