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公开(公告)号：CN113675346B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110965956.5
申请日：2021-08-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备碳纳米管/石墨烯纳米带异质结光电器件的方法，属于光电器件制备技术领域，所述方法包括以下步骤：将单壁碳纳米管分散液涂于FTO导电玻璃上并干燥、煅烧，之后在单壁碳纳米管上依次沉积TiO2及过渡金属，然后在氢气辅助下进行单壁碳纳米管解链，之后沉积ITO透明电极，即得所述光电器件；本发明可对单壁碳纳米管的解链程度进行有效控制，且在一根单壁碳纳米管上可以形成多个单壁碳纳米管/石墨烯纳米带分子内异质结，有效提高了以其制备得到的光电器件的光生电流和光生电压，从而可以大幅提高光电器件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112701173B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202011554686.0
申请日：2020-12-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，公开了一种石墨烯高灵敏度光电探测器及其制备方法，所述石墨烯高灵敏度光电探测器包括：复合衬底、隔离层、石墨烯接触电极、碳量子点、石墨烯薄膜及抗反射层；所述隔离层位于复合衬底；所述电极位于隔离层；所述碳量子点位于电极；所述石墨烯薄膜位于电极；所述石墨烯薄膜表面覆盖有抗反射层；所述复合衬底由硬质衬底和脆性衬底通过键合形成；所述硬质衬底为由二氧化硅构成，所述脆性衬底由InP或Ge构成；所述抗反射层为由二氧化硅组成的透明薄膜。本发明制备的光电探测器超薄、易于大面积集成，灵敏度高，能提高光电探测器的响应速度，在射线测量和探测、工业自动控制、光度量计等领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN112701173A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011554686.0
申请日：2020-12-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，公开了一种石墨烯高灵敏度光电探测器及其制备方法，所述石墨烯高灵敏度光电探测器包括：复合衬底、隔离层、石墨烯接触电极、碳量子点、石墨烯薄膜及抗反射层；所述隔离层位于复合衬底；所述电极位于隔离层；所述碳量子点位于电极；所述石墨烯薄膜位于电极；所述石墨烯薄膜表面覆盖有抗反射层；所述复合衬底由硬质衬底和脆性衬底通过键合形成；所述硬质衬底为由二氧化硅构成，所述脆性衬底由InP或Ge构成；所述抗反射层为由二氧化硅组成的透明薄膜。本发明制备的光电探测器超薄、易于大面积集成，灵敏度高，能提高光电探测器的响应速度，在射线测量和探测、工业自动控制、光度量计等领域有着广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114038756B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202111311073.9
申请日：2021-11-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/786 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管制备技术领域；在具有氧化物栅绝缘层的衬底上制备宽度为1～5nm的石墨烯纳米带，之后在石墨烯纳米带两端分别形成源电极和漏电极的金属层，使用衬底材料作为栅极，得到背栅结构的基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管；本发明使用宽度为1～5nm的窄的石墨烯纳米带制备得到场效应晶体管，由于制得的石墨烯纳米带具有很窄的宽度使其具有大的带隙，从而使得由其制备的场效应晶体管具有高的开关比，同时制得的石墨烯纳米带具有光滑的边缘使制备的场效应晶体管具有高的场效应迁移率。
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公开(公告)号：CN114038756A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111311073.9
申请日：2021-11-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/786 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管制备技术领域；在具有氧化物栅绝缘层的衬底上制备宽度为1～5nm的石墨烯纳米带，之后在石墨烯纳米带两端分别形成源电极和漏电极的金属层，使用衬底材料作为栅极，得到背栅结构的基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管；本发明使用宽度为1～5nm的窄的石墨烯纳米带制备得到场效应晶体管，由于制得的石墨烯纳米带具有很窄的宽度使其具有大的带隙，从而使得由其制备的场效应晶体管具有高的开关比，同时制得的石墨烯纳米带具有光滑的边缘使制备的场效应晶体管具有高的场效应迁移率。
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公开(公告)号：CN112694084A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011453412.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: C01B32/194 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于无机纳米材料技术领域，公开了一种石墨烯纳米带器件阵列及其制备系统和制备方法，所述石墨烯纳米带器件阵列的制备系统包括：基底晶体种子形成模块、反应前躯体制备模块、中央控制模块、石墨烯纳米阵列制备模块、器件陈列合成模块、清洗浸润模块、分离干燥模块、更新显示模块。本发明提供的石墨烯纳米带器件阵列的制备方法，借助晶种导向技术在生长基底表面形成晶种层，其中采用还原氧化石墨烯这种导电性、化学敏感性及稳定性优异的材料作为生长基底，通过调控晶种性质诱导水热体系晶体定向生长，制备得到的石墨烯纳米带器件阵列具有较大的比表面积、较强的化学敏感性和较丰富的电子传输通道，应用广泛。
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公开(公告)号：CN113675346A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110965956.5
申请日：2021-08-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备碳纳米管/石墨烯纳米带异质结光电器件的方法，属于光电器件制备技术领域，所述方法包括以下步骤：将单壁碳纳米管分散液涂于FTO导电玻璃上并干燥、煅烧，之后在单壁碳纳米管上依次沉积TiO2及过渡金属，然后在氢气辅助下进行单壁碳纳米管解链，之后沉积ITO透明电极，即得所述光电器件；本发明可对单壁碳纳米管的解链程度进行有效控制，且在一根单壁碳纳米管上可以形成多个单壁碳纳米管/石墨烯纳米带分子内异质结，有效提高了以其制备得到的光电器件的光生电流和光生电压，从而可以大幅提高光电器件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN309250235S
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202430557424.2
申请日：2024-09-02
Applicant: 上海交通大学医学院附属新华医院
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：餐具固定器（助老辅助版）。
2.本外观设计产品的用途：用于帮助老人或孩子固定餐具。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
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