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公开(公告)号:CN112661140A
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN202011446581.3
申请日:2020-12-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: C01B32/184 , C09G1/06 , C22F1/02 , C22F1/08 , C25F3/22
Abstract: 本发明属于石墨烯条带制备技术领域,公开了一种新型石墨烯纳米窄带的制备方法,所述新型石墨烯纳米窄带的制备方法包括以下步骤:将铝片作为阴极,铜箔作为阳极插入电解抛光液中进行电解抛光;氮气吹干后置于石英管中进行加热、退火,得到多孔铜箔;将石墨烯转移至铜箔上,将石墨烯进行光刻图形化得到图形化的石墨烯;将图形化的石墨烯置于反应器内进行低温生长;真空条件下冷至室温,进行氢气等离子体刻蚀处理,得到石墨烯纳米窄带成品。本发明通过利用氢气等离子体对石墨烯的各向异性刻蚀机制,最终得到的石墨烯条带具有以锯齿型边缘占主导的几何结构,不会破坏石墨烯条带的晶格结构、可以最大限度的保持石墨烯条带的本征性质。
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公开(公告)号:CN112694084A
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN202011453412.2
申请日:2020-12-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: C01B32/194 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于无机纳米材料技术领域,公开了一种石墨烯纳米带器件阵列及其制备系统和制备方法,所述石墨烯纳米带器件阵列的制备系统包括:基底晶体种子形成模块、反应前躯体制备模块、中央控制模块、石墨烯纳米阵列制备模块、器件陈列合成模块、清洗浸润模块、分离干燥模块、更新显示模块。本发明提供的石墨烯纳米带器件阵列的制备方法,借助晶种导向技术在生长基底表面形成晶种层,其中采用还原氧化石墨烯这种导电性、化学敏感性及稳定性优异的材料作为生长基底,通过调控晶种性质诱导水热体系晶体定向生长,制备得到的石墨烯纳米带器件阵列具有较大的比表面积、较强的化学敏感性和较丰富的电子传输通道,应用广泛。
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