模斑转换器及高功率外腔激光器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119805658A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202510162584.0

    申请日:2025-02-13

    Abstract: 一种模斑转换器(SSC)及高功率外腔激光器芯片,外腔激光器芯片包括宽脊增益芯片和无源外腔芯片,宽脊增益芯片一端镀高反膜作为反射端,另一端镀增透膜实现低反射,通过集成SSC实现远大于单横模波导尺寸的宽脊增益芯片的基模与小尺寸单模波导的高效耦合。SSC将大尺寸模场与小尺寸模场互相转换并有效降低光耦合损耗,通过调节纵模移相器和微环滤波器实现选模和输出波长可调,部分功率反馈回宽脊增益芯片以构建外腔谐振,实现大功率输出。本发明的SSC可显著缩小器件尺寸,兼容宽脊增益芯片及片间混合集成工艺,在保持大功率输出的同时进一步提升激光器的调谐灵活性、集成度和整体稳定性。

    基于锗-钛酸钡异质集成的光电探测器件

    公开(公告)号:CN119153573A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411160432.9

    申请日:2024-08-22

    Abstract: 一种基于Ge‑BTO异质集成的光电探测器件,包括:二氧化硅衬底层:这是整个器件的基础结构,为其他层提供了一个稳定的支撑。BTO无源器件层:位于二氧化硅衬底之上,包含了三个主要部分:输入波导、过渡锥形波导和平板结构波导。其中,输入波导:负责接收和传输光信号到器件中。过渡锥形波导:连接输入波导和平板结构波导。其形状设计是为了减小光信号的传输损耗,使光信号能够更高效地从较窄的输入波导过渡到较宽的平板结构波导。平板结构波导:用于在器件内部传输光信号。平板波导的结构使其能够容纳和传输更大范围的光信号,适合后续的光电转换或探测。锗吸收层:负责光电信号转换,并通过部分掺杂构成晶体管的源极和漏极。氧化层:构成晶体管中的绝缘层。多晶锗层:构成晶体管的栅极,以调控光电流大小。

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