公开(公告)号：CN119153573A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411160432.9

申请日：2024-08-22

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 李雨 ,  储博涵 ,  郭宇耀 ,  陆梁军 ,  周林杰 ,  陈建平

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/028

Abstract: 一种基于Ge‑BTO异质集成的光电探测器件，包括：二氧化硅衬底层：这是整个器件的基础结构，为其他层提供了一个稳定的支撑。BTO无源器件层：位于二氧化硅衬底之上，包含了三个主要部分：输入波导、过渡锥形波导和平板结构波导。其中，输入波导：负责接收和传输光信号到器件中。过渡锥形波导：连接输入波导和平板结构波导。其形状设计是为了减小光信号的传输损耗，使光信号能够更高效地从较窄的输入波导过渡到较宽的平板结构波导。平板结构波导：用于在器件内部传输光信号。平板波导的结构使其能够容纳和传输更大范围的光信号，适合后续的光电转换或探测。锗吸收层：负责光电信号转换，并通过部分掺杂构成晶体管的源极和漏极。氧化层：构成晶体管中的绝缘层。多晶锗层：构成晶体管的栅极，以调控光电流大小。