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公开(公告)号：CN103681888B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310723517.9
申请日：2013-12-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种表面分布有掺杂ZnO纳米线的硅基薄膜太阳电池，掺杂ZnO纳米线与硅薄膜太阳电池复合组装成陷光结构的太阳电池，包括由下而上依次逐层连接的玻璃衬底、背电极、第一掺杂ZnO纳米线层、吸收层、窗口层和第二掺杂ZnO纳米线层。本发明通过在太阳电池的窗口层和背电极与吸收层的界面都组装铝或硼掺杂ZnO纳米线，形成陷光复合结构的薄膜太阳电池。掺杂后的ZnO纳米线具有良好的光电特性，使光场能够沿掺杂ZnO纳米线散射和传播，使更多的光线进入太阳电池得到有效吸收捕获，提高电池内部载流子收集效率，进而提高硅基薄膜太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103737016B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410002979.6
申请日：2014-01-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: B22F9/24
Abstract: 本发明提供了一种刺状磁性镍纳米线的制备方法：包括以下步骤：步骤一：配置镍盐水溶液，超声处理，混合均匀；步骤二：向所述镍盐水溶液中加入还原试剂，超声处理，混合均匀，得到溶液A；步骤三：将所述溶液A倒入反应釜内，放入外加磁场的烘箱内，加热，进行反应，最终得到刺状磁性镍纳米线。本发明方法制得的镍纳米线直径为0.5～2μm，长度从几十个微米到几个毫米，具有极高的长径比，表面的刺状结构可达0.3～1μm。本发明可通过改变反应液中镍离子浓度、反应时间、反应温度及磁场大小等参数对刺状磁性镍纳米线的直径、刺的长度及密度进行调控优化。本发明制备方法新颖、工艺简单、能耗低、可操作性强。
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公开(公告)号：CN104383941A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410625535.8
申请日：2014-11-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: B01J27/043 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B3/04
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明公开了一种Ni/CdS复合催化剂的制备方法；所述制备方法包括如下步骤：步骤一、制备镍纳米线；步骤二、配制镉盐溶液，并将步骤一所得镍纳米线分散于镉盐溶液中，搅拌均匀，得溶液A；步骤三、配置硫化钠溶液，将硫化钠溶液加入上述溶液A中，并强力搅拌，得硫化镉与镍复合物前驱体，即溶液B；步骤四、将溶液B倒入反应釜内，200℃水热反应15～30h，得Ni/CdS复合催化剂。本发明通过改变反应液中镍纳米线浓度与镉离子的浓度来制备不同Ni-Cd比例的复合催化剂，且在无贵金属的情况下具有较高的光催化产氢性能；同时本发明产物新颖、制备工艺简单易行。
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公开(公告)号：CN104103698B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410317645.8
申请日：2014-07-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池栅线电极，电极的形状类似叶脉，栅线电极分为多级栅线，栅线的宽度设计根据太阳电池表面所流经的光生电流大小分布所确定，流经电流大的位置栅线相应较宽，流经电流小的位置栅线相应较窄。本发明所述的叶脉形栅线电极可以时太阳电池光电流收集和传导的效率最大化，同时减少了栅线的遮光面积和制作电极的银浆耗量，有效提高太阳能电池效率和降低生产成本。
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公开(公告)号：CN103373742A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310282055.1
申请日：2013-07-05
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种水热合成SnS2纳米材料的方法；以SnCl2·2H2O为Sn源，在表面活性剂辅助作用下与硫源发生水热合成反应，通过调控所述表面活性剂的种类和用量、所述水热合成反应的时间和温度，得到不同形貌和尺寸的SnS2纳米材料。与现有技术相比，本发明采用水热法合成SnS2纳米材料，其工艺简单，通过调控表面活性剂的种类和用量、反应时间、温度等条件，可以得到不同形貌和尺寸的SnS2纳米材料，且成本低廉，适合商业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103192088A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310055117.5
申请日：2013-02-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种锥状磁性镍纳米晶的制备方法。该方法包括以下步骤：取金属镍片，超声清洗，去除表面氧化层，得到基底镍片；在镍盐浓度为0.01～3.00mol/L的镍盐水溶液中加入还原试剂形成反应液，所述还原试剂占反应液总重的质量百分比浓度为1～30％；将所述反应液和基底镍片放入高压反应釜内，加热反应，即得分布于基底镍片上的所述锥状磁性镍纳米晶。本发明的方法可大量制备出质量稳定的锥状磁性镍纳米晶，本发明的方法为水热法，方法新颖，工艺简单、能耗低、可操作性强。
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公开(公告)号：CN104383941B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410625535.8
申请日：2014-11-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: B01J27/043 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B3/04
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明公开了一种Ni/CdS复合催化剂的制备方法；所述制备方法包括如下步骤：步骤一、制备镍纳米线；步骤二、配制镉盐溶液，并将步骤一所得镍纳米线分散于镉盐溶液中，搅拌均匀，得溶液A；步骤三、配置硫化钠溶液，将硫化钠溶液加入上述溶液A中，并强力搅拌，得硫化镉与镍复合物前驱体，即溶液B；步骤四、将溶液B倒入反应釜内，200℃水热反应15～30h，得Ni/CdS复合催化剂。本发明通过改变反应液中镍纳米线浓度与镉离子的浓度来制备不同Ni?Cd比例的复合催化剂，且在无贵金属的情况下具有较高的光催化产氢性能；同时本发明产物新颖、制备工艺简单易行。
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公开(公告)号：CN105152124A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510471536.6
申请日：2015-08-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法；通过对基板进行深硅刻蚀，在基板上形成一层表面凹槽作为存储空间，然后将CNTs涂覆在存储空间中，获得了一层厚度均匀的吸波薄膜。本发明中利用了凹槽存储CNTs，这相比一般的薄膜CNTs制造技术来说，CNTs的厚度可控，并且均匀度大为提高，沟道的存在，使得CNTs粉末能够长久的保存在基板表面。本发明用深刻硅技术制造出来的隐身材料工艺简单，操作方便，节约能源，成本较低，可以广泛运用于国防军事，医疗化工等领域。
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公开(公告)号：CN103192088B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310055117.5
申请日：2013-02-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种锥状磁性镍纳米晶的制备方法。该方法包括以下步骤：取金属镍片，超声清洗，去除表面氧化层，得到基底镍片；在镍盐浓度为0.01～3.00mol/L的镍盐水溶液中加入还原试剂形成反应液，所述还原试剂占反应液总重的质量百分比浓度为1～30％；将所述反应液和基底镍片放入高压反应釜内，加热反应，即得分布于基底镍片上的所述锥状磁性镍纳米晶。本发明的方法可大量制备出质量稳定的锥状磁性镍纳米晶，本发明的方法为水热法，方法新颖，工艺简单、能耗低、可操作性强。
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公开(公告)号：CN103681888A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310723517.9
申请日：2013-12-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02168 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种表面分布有掺杂ZnO纳米线的硅基薄膜太阳电池，掺杂ZnO纳米线与硅薄膜太阳电池复合组装成陷光结构的太阳电池，包括由下而上依次逐层连接的玻璃衬底、背电极、第一掺杂ZnO纳米线层、吸收层、窗口层和第二掺杂ZnO纳米线层。本发明通过在太阳电池的窗口层和背电极与吸收层的界面都组装铝或硼掺杂ZnO纳米线，形成陷光复合结构的薄膜太阳电池。掺杂后的ZnO纳米线具有良好的光电特性，使光场能够沿掺杂ZnO纳米线散射和传播，使更多的光线进入太阳电池得到有效吸收捕获，提高电池内部载流子收集效率，进而提高硅基薄膜太阳电池的光电转换效率。
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