-
公开(公告)号：CN104383941A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410625535.8
申请日：2014-11-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: B01J27/043 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B3/04
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明公开了一种Ni/CdS复合催化剂的制备方法；所述制备方法包括如下步骤：步骤一、制备镍纳米线；步骤二、配制镉盐溶液，并将步骤一所得镍纳米线分散于镉盐溶液中，搅拌均匀，得溶液A；步骤三、配置硫化钠溶液，将硫化钠溶液加入上述溶液A中，并强力搅拌，得硫化镉与镍复合物前驱体，即溶液B；步骤四、将溶液B倒入反应釜内，200℃水热反应15～30h，得Ni/CdS复合催化剂。本发明通过改变反应液中镍纳米线浓度与镉离子的浓度来制备不同Ni-Cd比例的复合催化剂，且在无贵金属的情况下具有较高的光催化产氢性能；同时本发明产物新颖、制备工艺简单易行。
-
公开(公告)号：CN109920809A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910192143.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/146 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供了一种X射线平板探测器及其制作方法。X射线平板探测器包括TFT背板、传感光电二极管矩阵面板、栅驱动信号电路系统、传感信号读取电路系统、图像信号处理电路系统以及其他的外围功能电路等部分。其中TFT背板是整个系统的重要部分，TFT可实现开关信号通道的功能。本发明的特别之处在于，在TFT背板中引入了多晶硅TFT技术，由于多晶硅TFT的沟道材料具有较大的电子迁移率，可有效提高TFT的开关速率，进而提高X射线平板探测器的数据读取速率，使平板探测器更加适合高速连续拍照的应用场合，有效提高了X射线平板探测器的性能，减少了鬼影和拖尾的现象。
-
公开(公告)号：CN104383941B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410625535.8
申请日：2014-11-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: B01J27/043 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B3/04
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明公开了一种Ni/CdS复合催化剂的制备方法；所述制备方法包括如下步骤：步骤一、制备镍纳米线；步骤二、配制镉盐溶液，并将步骤一所得镍纳米线分散于镉盐溶液中，搅拌均匀，得溶液A；步骤三、配置硫化钠溶液，将硫化钠溶液加入上述溶液A中，并强力搅拌，得硫化镉与镍复合物前驱体，即溶液B；步骤四、将溶液B倒入反应釜内，200℃水热反应15～30h，得Ni/CdS复合催化剂。本发明通过改变反应液中镍纳米线浓度与镉离子的浓度来制备不同Ni?Cd比例的复合催化剂，且在无贵金属的情况下具有较高的光催化产氢性能；同时本发明产物新颖、制备工艺简单易行。
-
公开(公告)号：CN104009727A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410216787.5
申请日：2014-05-21
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MgxZn1-xO压电薄膜的固体装配型谐振器，其包括电极、压电薄膜、Bragg反射层薄膜和基片，所述的Bragg反射层由高声阻薄膜和低声阻薄膜组成，依次溅射n个周期的高声阻薄膜和低声阻薄膜，且最上层为低声阻薄膜；压电薄膜的材料是MgxZn1-xO，其中n为正整数，0.05≦x≦0.33。本发明结构稳定、机械强度高、回波损耗值高、机电耦合系数和品质因数较高，且成本较低。
-
公开(公告)号：CN103681888A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310723517.9
申请日：2013-12-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02168 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种表面分布有掺杂ZnO纳米线的硅基薄膜太阳电池，掺杂ZnO纳米线与硅薄膜太阳电池复合组装成陷光结构的太阳电池，包括由下而上依次逐层连接的玻璃衬底、背电极、第一掺杂ZnO纳米线层、吸收层、窗口层和第二掺杂ZnO纳米线层。本发明通过在太阳电池的窗口层和背电极与吸收层的界面都组装铝或硼掺杂ZnO纳米线，形成陷光复合结构的薄膜太阳电池。掺杂后的ZnO纳米线具有良好的光电特性，使光场能够沿掺杂ZnO纳米线散射和传播，使更多的光线进入太阳电池得到有效吸收捕获，提高电池内部载流子收集效率，进而提高硅基薄膜太阳电池的光电转换效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681888B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310723517.9
申请日：2013-12-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种表面分布有掺杂ZnO纳米线的硅基薄膜太阳电池，掺杂ZnO纳米线与硅薄膜太阳电池复合组装成陷光结构的太阳电池，包括由下而上依次逐层连接的玻璃衬底、背电极、第一掺杂ZnO纳米线层、吸收层、窗口层和第二掺杂ZnO纳米线层。本发明通过在太阳电池的窗口层和背电极与吸收层的界面都组装铝或硼掺杂ZnO纳米线，形成陷光复合结构的薄膜太阳电池。掺杂后的ZnO纳米线具有良好的光电特性，使光场能够沿掺杂ZnO纳米线散射和传播，使更多的光线进入太阳电池得到有效吸收捕获，提高电池内部载流子收集效率，进而提高硅基薄膜太阳电池的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN103737016B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410002979.6
申请日：2014-01-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: B22F9/24
Abstract: 本发明提供了一种刺状磁性镍纳米线的制备方法：包括以下步骤：步骤一：配置镍盐水溶液，超声处理，混合均匀；步骤二：向所述镍盐水溶液中加入还原试剂，超声处理，混合均匀，得到溶液A；步骤三：将所述溶液A倒入反应釜内，放入外加磁场的烘箱内，加热，进行反应，最终得到刺状磁性镍纳米线。本发明方法制得的镍纳米线直径为0.5～2μm，长度从几十个微米到几个毫米，具有极高的长径比，表面的刺状结构可达0.3～1μm。本发明可通过改变反应液中镍离子浓度、反应时间、反应温度及磁场大小等参数对刺状磁性镍纳米线的直径、刺的长度及密度进行调控优化。本发明制备方法新颖、工艺简单、能耗低、可操作性强。
-
公开(公告)号：CN109841642A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910240989.6
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/146 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开了一种防X射线干扰的X射线平板探测器，包括像素矩阵以及外围电路。像素矩阵由薄膜光电二极管和薄膜晶体管开关器件组成，其中薄膜晶体管开关器件上方设置有用于屏蔽X射线的防护层，防护层优选钨金属薄膜。本发明的有益效果：本发明将电子器件优化为带有防护层的器件，有效地降低了高能X射线对器件的影响，减少了器件的噪声干扰，并且提高了器件的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN104103698B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410317645.8
申请日：2014-07-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池栅线电极，电极的形状类似叶脉，栅线电极分为多级栅线，栅线的宽度设计根据太阳电池表面所流经的光生电流大小分布所确定，流经电流大的位置栅线相应较宽，流经电流小的位置栅线相应较窄。本发明所述的叶脉形栅线电极可以时太阳电池光电流收集和传导的效率最大化，同时减少了栅线的遮光面积和制作电极的银浆耗量，有效提高太阳能电池效率和降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN104103698A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410317645.8
申请日：2014-07-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022433
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池栅线电极，电极的形状类似叶脉，栅线电极分为多级栅线，栅线的宽度设计根据太阳电池表面所流经的光生电流大小分布所确定，流经电流大的位置栅线相应较宽，流经电流小的位置栅线相应较窄。本发明所述的叶脉形栅线电极可以时太阳电池光电流收集和传导的效率最大化，同时减少了栅线的遮光面积和制作电极的银浆耗量，有效提高太阳能电池效率和降低生产成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.017 seconds)
