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公开(公告)号：CN103681887A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310723503.7
申请日：2013-12-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02168 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/068
Abstract: 本发明公开了一种掺杂ZnO纳米线透明导电陷光结构的硅太阳电池，包括由下而上依次逐层连接的背电极、p型硅衬底、n型层、减反射层和前电极，在n型层与减反射层之间分布有掺杂铝或硼的ZnO纳米线。本发明将掺杂ZnO纳米线组装到硅太阳电池基片表面，形成透明导电陷光结构复合层，增强电池对太阳光的有效吸收捕获，从而提高硅太阳电池的光电转换效率，比传统的硅太阳电池的光电转换效率提高1-5%。如某类型传统的硅太阳电池的光电转换效率是16%，则本发明公开的掺杂ZnO纳米线透明导电陷光结构的相应类型硅太阳电池光电转换效率可达17-21%。
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公开(公告)号：CN102557110B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201110400627.2
申请日：2011-12-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法，包括以下步骤：首先清洗基底，运用溅射工艺在玻璃基底表面溅射一定厚度的锌膜；将分析纯氨水溶液无需稀释，或与水体积比为1∶10范围内，得到氨水浓度为2.5-2.8％，放置于密闭容器中作为熏蒸源；将溅射有锌膜的基底，有锌膜一面朝下固定于氨水溶液上方，不接触液面，容器封口，置于烘箱中加热，温度50-90℃，反应时间控制在6-12小时之间；最后，通过高温下氨水蒸发产生的氨气与基底表面的锌薄膜反应得到较均匀的ZnO纳米线阵列结构。本发明优点在于步骤简单，反应温度低，成本大幅度降低，得到的阵列均匀，适合大规模的生产。
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公开(公告)号：CN103737016B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410002979.6
申请日：2014-01-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: B22F9/24
Abstract: 本发明提供了一种刺状磁性镍纳米线的制备方法：包括以下步骤：步骤一：配置镍盐水溶液，超声处理，混合均匀；步骤二：向所述镍盐水溶液中加入还原试剂，超声处理，混合均匀，得到溶液A；步骤三：将所述溶液A倒入反应釜内，放入外加磁场的烘箱内，加热，进行反应，最终得到刺状磁性镍纳米线。本发明方法制得的镍纳米线直径为0.5～2μm，长度从几十个微米到几个毫米，具有极高的长径比，表面的刺状结构可达0.3～1μm。本发明可通过改变反应液中镍离子浓度、反应时间、反应温度及磁场大小等参数对刺状磁性镍纳米线的直径、刺的长度及密度进行调控优化。本发明制备方法新颖、工艺简单、能耗低、可操作性强。
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公开(公告)号：CN104057099A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410254025.4
申请日：2014-06-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄纳米多孔铜箔的制备方法，利用水热法，将含Cu2+前驱体液在密封高压反应釜中一定温度下反应数小时后，便可在反应釜内壁得到超薄纳米多孔铜箔。本发明过程简单，安全可靠，无毒无污染，且成本较低；生产得到的纳米多孔铜箔为无支撑的，其厚度可薄到1.0～3.0μm，尺寸可达到几十平方厘米，且具有较好的机械性能；可通过调整前驱液各成分浓度、反应温度及时间等能得到不同粒径及孔径的纳米多孔铜箔，使其满足多种用途的需求。
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公开(公告)号：CN104057098A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410253457.3
申请日：2014-06-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳米结构多孔铜粉的制备方法，首先将氢氧化钠溶液与Cu2+离子溶液混合，通过滴加一定量的乙二醇而得到含Cu2+前驱体液；然后将前驱体液移入反应釜中，密封后在一定温度下水热反应数小时；最后将反应后得到的沉淀物洗涤、沉降及真空干燥，即可得到微纳米结构多孔铜粉。本发明过程简单，安全可靠，无毒无污染，且成本较低；得到的微纳米结构多孔铜粉纯度高、形貌多样、粒度及孔径可变、比表面积大，能满足许多领域对铜粉的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103011256B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210587236.0
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种超大面积制备氧化锌纳米棒阵列的方法，包括如下步骤：将锌片预处理后作为生长基片待用；将生长基片放入含水溶性的易分解的锌氨络合物的前驱液中，置于高压反应釜中在92～94℃以下密封生长反应8～24小时；将反应后的生长基片取出，清洗、干燥，所述生长基片表面上生长的灰白色物质，即所述氧化锌纳米棒阵列。本发明制备得到的氧化锌纳米棒几乎100％覆盖基底的各个面，作为生长基片的锌片尺寸可以非常大，合成步骤简单，重复性好，产物质量高、缺陷少，适合染料敏化太阳能电池及锂离子电池等器件上的应用，特别适合光催化、工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN103011256A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210587236.0
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种超大面积制备氧化锌纳米棒阵列的方法，包括如下步骤：将锌片预处理后作为生长基片待用；将生长基片放入含水溶性的易分解的锌氨络合物的前驱液中，置于高压反应釜中在92～94℃以下密封生长反应8～24小时；将反应后的生长基片取出，清洗、干燥，所述生长基片表面上生长的灰白色物质，即所述氧化锌纳米棒阵列。本发明制备得到的氧化锌纳米棒几乎100％覆盖基底的各个面，作为生长基片的锌片尺寸可以非常大，合成步骤简单，重复性好，产物质量高、缺陷少，适合染料敏化太阳能电池及锂离子电池等器件上的应用，特别适合光催化、工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN102557110A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110400627.2
申请日：2011-12-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法，包括以下步骤：首先清洗基底，运用溅射工艺在玻璃基底表面溅射一定厚度的锌膜；将分析纯氨水溶液无需稀释，或与水体积比为1∶10范围内，得到氨水浓度为2.5-2.8％，放置于密闭容器中作为熏蒸源；将溅射有锌膜的基底，有锌膜一面朝下固定于氨水溶液上方，不接触液面，容器封口，置于烘箱中加热，温度50-90℃，反应时间控制在6-12小时之间；最后，通过高温下氨水蒸发产生的氨气与基底表面的锌薄膜反应得到较均匀的ZnO纳米线阵列结构。本发明优点在于步骤简单，反应温度低，成本大幅度降低，得到的阵列均匀，适合大规模的生产。
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公开(公告)号：CN103373742B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310282055.1
申请日：2013-07-05
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种水热合成SnS2纳米材料的方法；以SnCl2·2H2O为Sn源，在表面活性剂辅助作用下与硫源发生水热合成反应，通过调控所述表面活性剂的种类和用量、所述水热合成反应的时间和温度，得到不同形貌和尺寸的SnS2纳米材料。与现有技术相比，本发明采用水热法合成SnS2纳米材料，其工艺简单，通过调控表面活性剂的种类和用量、反应时间、温度等条件，可以得到不同形貌和尺寸的SnS2纳米材料，且成本低廉，适合商业化生产。
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公开(公告)号：CN103737016A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410002979.6
申请日：2014-01-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: B22F9/24
Abstract: 本发明提供了一种刺状磁性镍纳米线的制备方法：包括以下步骤：步骤一：配置镍盐水溶液，超声处理，混合均匀；步骤二：向所述镍盐水溶液中加入还原试剂，超声处理，混合均匀，得到溶液A；步骤三：将所述溶液A倒入反应釜内，放入外加磁场的烘箱内，加热，进行反应，最终得到刺状磁性镍纳米线。本发明方法制得的镍纳米线直径为0.5～2μm，长度从几十个微米到几个毫米，具有极高的长径比，表面的刺状结构可达0.3～1μm。本发明可通过改变反应液中镍离子浓度、反应时间、反应温度及磁场大小等参数对刺状磁性镍纳米线的直径、刺的长度及密度进行调控优化。本发明制备方法新颖、工艺简单、能耗低、可操作性强。
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