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公开(公告)号：CN105152124A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510471536.6
申请日：2015-08-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法；通过对基板进行深硅刻蚀，在基板上形成一层表面凹槽作为存储空间，然后将CNTs涂覆在存储空间中，获得了一层厚度均匀的吸波薄膜。本发明中利用了凹槽存储CNTs，这相比一般的薄膜CNTs制造技术来说，CNTs的厚度可控，并且均匀度大为提高，沟道的存在，使得CNTs粉末能够长久的保存在基板表面。本发明用深刻硅技术制造出来的隐身材料工艺简单，操作方便，节约能源，成本较低，可以广泛运用于国防军事，医疗化工等领域。
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