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公开(公告)号：CN114242270A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111558082.8
申请日：2021-12-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种复合抛物面聚光靶型及其制备工艺，所述靶型包括：复合抛物面靶壳，其内表面为由抛物线沿中心轴旋转180°而成的轴对称壳体，所述壳体由曲面沿着抛物面延长线截断，保证激光聚焦点位于激光输出端口以外；垂直靶架，用于支撑所述复合抛物面靶壳，并将所述复合抛物面靶壳进行垂直固定。利用精密加工工艺，实现金属材料壳体的制作，结合精密车削技术、厚金属电镀技术、双模态腐蚀技术实现抛物面壳体制备；利用高精度3D打印技术完成其垂直靶架的制作。该复合抛物面聚光靶型的设计可使激光从靶壳入射口进入，经过最多一次反射便可通过激光输出端口聚焦在一点，有效减轻聚变点火所需激光功率。
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公开(公告)号：CN112631425B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202011515537.3
申请日：2020-12-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: G06F3/01
Abstract: 本发明提供一种微针阵列式脑机接口器件及其制备方法，包括：采用非导电材料作为针间绝缘层，在针间绝缘层制备若干通孔；在导电材料层上制备若干金属焊盘；将导电材料层设置于针间绝缘层下方，并将导电材料层的上表面与针间绝缘层的下表面连接；将导电材料层加工成呈阵列分布的微柱状结构，使微柱状结构之间相互绝缘；将微柱状结构加工成底端为针尖的微针结构，形成呈阵列分布且针尖朝下的微针阵列层；在微针阵列层的上方制备用于连接外部电路的外部引线；在微针阵列层的针尖上制备电极点；得到微针阵列式脑机接口器件。本发明具备减少微针阵列式脑机接口器件的工艺步骤，提高生产效率和成品率，降低器件的加工成本等优点。
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公开(公告)号：CN112870562A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110012155.7
申请日：2021-01-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: A61N7/00
Abstract: 本发明提供一种植入式压电MEMS超声换能器及其制备方法，包括：设有压电MEMS超声换能器单元阵列的压电MEMS超声换能器基片，通过后端电路控制压电MEMS超声换能器单元阵列进行三维超声聚焦，实现对颅内的指定位置或多个位置进行聚焦超声刺激和超声成像；用于将压电MEMS超声换能器基片植入颅内的植入衬底；植入衬底的上面与压电MEMS超声换能器基片的底面键合在一起；植入衬底上表面设有多个用于采集脑电信号的采集电极，采集电极分布于压电MEMS超声换能器基片两侧；根据采集电极采集的脑电信号和反射的超声波，判断是否达到刺激效果。本发明实现植入式三维空间的超声聚焦刺激，刺激效果好；同时实现三维空间的超声成像，从而可分析刺激效果。
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公开(公告)号：CN115957949A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211675688.4
申请日：2022-12-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种高频微喷胶方法和系统，该方法包括：制备所需内径的喷头；对储胶筒内的胶水施加高压空气，使喷头的出口端形成稳定射流；通过振子对喷头施加高频振动，使喷头发生共振，从而喷头喷出的胶水射流受到扰动；胶水射流在共振作用下高频断裂，于目标衬底表面形成均匀胶点，实现高频微喷胶。本发明解决了现有技术中点胶喷射阀在喷胶时喷射频率受限的问题，可以大幅提高喷胶频率与点胶精度。
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公开(公告)号：CN115037059A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210841838.8
申请日：2022-07-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种用于全时段复合式全植入脑机接口系统的供能结构和方法，该结构包括壳体和设于所述壳体内的线圈单元、远距离供能单元和电池单元；所述线圈单元和所述远距离供能单元分别与所述电池单元连接，所述电池单元用于储能并向脑机接口系统供能，所述线圈单元和所述远距离供能单元分别用于向所述电池单元充电。本发明将电池单元、线圈单元和远距离供能单元一体化设计，实现线圈单元与远距离供能单元组成的复合式充电，能够增加全植入脑机接口系统在体服役时长，并可根据使用者静止与活动状态，满足日常全时段的供能需求，真正实现使用者的活动自由。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112870562B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110012155.7
申请日：2021-01-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种植入式压电MEMS超声换能器及其制备方法，包括：设有压电MEMS超声换能器单元阵列的压电MEMS超声换能器基片，通过后端电路控制压电MEMS超声换能器单元阵列进行三维超声聚焦，实现对颅内的指定位置或多个位置进行聚焦超声刺激和超声成像；用于将压电MEMS超声换能器基片植入颅内的植入衬底；植入衬底的上面与压电MEMS超声换能器基片的底面键合在一起；植入衬底上表面设有多个用于采集脑电信号的采集电极，采集电极分布于压电MEMS超声换能器基片两侧；根据采集电极采集的脑电信号和反射的超声波，判断是否达到刺激效果。本发明实现植入式三维空间的超声聚焦刺激，刺激效果好；同时实现三维空间的超声成像，从而可分析刺激效果。
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公开(公告)号：CN117503318A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311669403.0
申请日：2023-12-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种心脏组织不可逆电穿孔治疗的MEMS器件及制备方法，器件由下至上依次包括：基底层，其具有可拉伸结构；第一绝缘层，设于基底层上方；电极层和温度传感层，设于第一绝缘层上方，电极层和温度传感层之间存在接触；电极层上的任意两个电极点形成阻抗传感部分；第二绝缘层，覆盖于电极层和温度传感层的上方，第二绝缘层上设有通孔，以暴露出电极层的电极点部分；pH传感层，覆盖于电极层的一部分电极点位置，形成pH值传感部分；参比电极层，覆盖于电极层的另一部分电极点位置，形成参比电极部分。本发明具备单器件完成不可逆电穿孔治疗完整功能的能力，能够提高器件和生物组织耦合效率。
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公开(公告)号：CN116809363A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211022991.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 上海交通大学
IPC: B06B1/06
Abstract: 本发明提供一种仿郎之万振子的压电MEMS超声换能器及其制备方法，包括由下至上依次设置的第一硅层、第一电极层、压电层、第二电极层和第二硅层；其中：第一硅层上设有多个阵列单元，阵列单元之间通过沟槽隔开，沟槽贯穿压电层和第二电极层，第二电极层通过沟槽被划分为多个第二电极层单元；第二硅层包括多个呈台阶状的凸起结构，凸起结构分别位于第二电极层单元上；凸起结构包括同轴设置的上层第二硅层和下层第二硅层，上层第二硅层远离第二电极层单元；上层第二硅层的面积小于下层第二硅层的面积。本发明实现了仿郎之万振子的d33振动模态，本发明的压电MEMS超声换能器可以用于心内血管成像、指纹识别等小尺寸高精度的场合。
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公开(公告)号：CN112631425A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011515537.3
申请日：2020-12-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: G06F3/01
Abstract: 本发明提供一种微针阵列式脑机接口器件及其制备方法，包括：采用非导电材料作为针间绝缘层，在针间绝缘层制备若干通孔；在导电材料层上制备若干金属焊盘；将导电材料层设置于针间绝缘层下方，并将导电材料层的上表面与针间绝缘层的下表面连接；将导电材料层加工成呈阵列分布的微柱状结构，使微柱状结构之间相互绝缘；将微柱状结构加工成底端为针尖的微针结构，形成呈阵列分布且针尖朝下的微针阵列层；在微针阵列层的上方制备用于连接外部电路的外部引线；在微针阵列层的针尖上制备电极点；得到微针阵列式脑机接口器件。本发明具备减少微针阵列式脑机接口器件的工艺步骤，提高生产效率和成品率，降低器件的加工成本等优点。
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公开(公告)号：CN119710576A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411827723.9
申请日：2024-12-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C14/34 , C12M1/34 , A61K50/00 , A61M37/00 , A61B5/262 , C23C14/18 , C23C16/26 , C23C16/50 , C23C16/40 , C23C16/56 , C23C28/00 , B05D1/00
Abstract: 本发明提供一种集成原位内参比、给药和定点记录的纳米探针及制备方法，制备方法包括：将金属丝插入至双通道玻璃管内一个通道长度方向的正中间，加热熔化，再拉拔形成双通道纳米尖端；在双通道纳米尖端表面溅射金属导电层、沉积功能层，自功能层外表面和金属通道引线，并沉积保护层；运用大气压微等离子体射流可控地去除尖端的保护层，使功能层微量暴露；运用微等离子体射流去除已暴露的功能层尖端，使得金属通道和给药通道暴露；将双通道纳米尖端置于预设溶液中，使金属通道内形成内参比电极。本发明制备的探针可同时实现单细胞内的原位内参比、药物输送和特定信号的可靠定点记录，对疾病的准确诊断、实时监测和原位治疗具有重要意义。
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