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公开(公告)号：CN112870562B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110012155.7
申请日：2021-01-06
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种植入式压电MEMS超声换能器及其制备方法，包括：设有压电MEMS超声换能器单元阵列的压电MEMS超声换能器基片，通过后端电路控制压电MEMS超声换能器单元阵列进行三维超声聚焦，实现对颅内的指定位置或多个位置进行聚焦超声刺激和超声成像；用于将压电MEMS超声换能器基片植入颅内的植入衬底；植入衬底的上面与压电MEMS超声换能器基片的底面键合在一起；植入衬底上表面设有多个用于采集脑电信号的采集电极，采集电极分布于压电MEMS超声换能器基片两侧；根据采集电极采集的脑电信号和反射的超声波，判断是否达到刺激效果。本发明实现植入式三维空间的超声聚焦刺激，刺激效果好；同时实现三维空间的超声成像，从而可分析刺激效果。
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公开(公告)号：CN112543408B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202011529954.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种封闭式振动膜压电MEMS扬声器及其制备方法，包括：在基底上依次制备第一电极、压电层及第二电极；依次对第二电极、压电层及第一电极刻蚀，得到图形化的第二电极、压电层及第一电极，构成图形化的振动膜单元；图形化的振动膜单元为具有六个相同尺寸三角形；对基底进行刻蚀，使图形化的振动膜单元形成六个尺寸相同的沟槽间隙，得到器件；在器件的上表面沉积一层封装材料，使沟槽间隙封闭；对器件的下表面进行刻蚀，在图形化的振动膜单元的背面形成背部腔，且背部腔的外轮廓覆盖图形化的振动膜单元的外轮廓。本发明同时兼有封闭膜与不封闭式膜的压电MEMS扬声器的优点，既有较大的振动膜振动偏移位移，又不会产生声压级的泄露。
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公开(公告)号：CN112870562A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110012155.7
申请日：2021-01-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: A61N7/00
Abstract: 本发明提供一种植入式压电MEMS超声换能器及其制备方法，包括：设有压电MEMS超声换能器单元阵列的压电MEMS超声换能器基片，通过后端电路控制压电MEMS超声换能器单元阵列进行三维超声聚焦，实现对颅内的指定位置或多个位置进行聚焦超声刺激和超声成像；用于将压电MEMS超声换能器基片植入颅内的植入衬底；植入衬底的上面与压电MEMS超声换能器基片的底面键合在一起；植入衬底上表面设有多个用于采集脑电信号的采集电极，采集电极分布于压电MEMS超声换能器基片两侧；根据采集电极采集的脑电信号和反射的超声波，判断是否达到刺激效果。本发明实现植入式三维空间的超声聚焦刺激，刺激效果好；同时实现三维空间的超声成像，从而可分析刺激效果。
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公开(公告)号：CN112637748A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011534438.X
申请日：2020-12-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种双环形环绕圆形振动膜结构的压电MEMS扬声器及其制备方法，包括：由第一电极层、压电层、第二电极以及致动层构成振动膜层；振动膜层设有圆形振动膜、第一环形振动膜及第二环形振动膜；圆形振动膜位于振动膜层的中心位置，第一环形振动膜套设于圆形振动膜的外层；第二环形振动膜套设于第一环形振动膜的外层；圆形振动膜与第一环形振动膜之间设有第一沟槽间隙；第一环形振动膜与第二环形振动膜之间设有第二沟槽间隙；圆形振动膜、第一、第二环形振动膜通过支撑梁连接；基底的背面设有背部腔；背部腔与第一、第二沟槽间隙连通。本发明在一整体单元上分布三个不同共振频率的振动膜，完全覆盖人耳能听到的20‑20000Hz频率范围，达到商业应用的声压级。
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公开(公告)号：CN112637748B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202011534438.X
申请日：2020-12-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种双环形环绕圆形振动膜结构的压电MEMS扬声器及其制备方法，包括：由第一电极层、压电层、第二电极以及致动层构成振动膜层；振动膜层设有圆形振动膜、第一环形振动膜及第二环形振动膜；圆形振动膜位于振动膜层的中心位置，第一环形振动膜套设于圆形振动膜的外层；第二环形振动膜套设于第一环形振动膜的外层；圆形振动膜与第一环形振动膜之间设有第一沟槽间隙；第一环形振动膜与第二环形振动膜之间设有第二沟槽间隙；圆形振动膜、第一、第二环形振动膜通过支撑梁连接；基底的背面设有背部腔；背部腔与第一、第二沟槽间隙连通。本发明在一整体单元上分布三个不同共振频率的振动膜，完全覆盖人耳能听到的20‑20000Hz频率范围，达到商业应用的声压级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105207716B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510512938.6
申请日：2015-08-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: H04B10/116 , H04L25/49
Abstract: 一种室内可见光通信发光二极管传输预失真系统及方法，该系统包括预失真计算模块、数据输入模块、参数计算模块和转换模块，预失真计算模块与转换模块相连并传输原始数据被预失真处理后的信息，数据输入模块与参数计算模块相连并传输反馈数据信息，参数计算模块与预失真计算模块相连并传输预失真器查找表表项信息，转换模块分别与发光二极管和光电二极管相连，实现前向数据从数字到模拟和反馈数据从模拟到数字的转换。本发明通过在发射端增加一路反馈链路来获得LED的输出信号，同时使用记忆多项式模型来自适应地训练并补偿LED的非线性，从实现当采用FPGA搭建整个VLC系统时，对LED进行线性化处理。
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公开(公告)号：CN116809363A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211022991.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 上海交通大学
IPC: B06B1/06
Abstract: 本发明提供一种仿郎之万振子的压电MEMS超声换能器及其制备方法，包括由下至上依次设置的第一硅层、第一电极层、压电层、第二电极层和第二硅层；其中：第一硅层上设有多个阵列单元，阵列单元之间通过沟槽隔开，沟槽贯穿压电层和第二电极层，第二电极层通过沟槽被划分为多个第二电极层单元；第二硅层包括多个呈台阶状的凸起结构，凸起结构分别位于第二电极层单元上；凸起结构包括同轴设置的上层第二硅层和下层第二硅层，上层第二硅层远离第二电极层单元；上层第二硅层的面积小于下层第二硅层的面积。本发明实现了仿郎之万振子的d33振动模态，本发明的压电MEMS超声换能器可以用于心内血管成像、指纹识别等小尺寸高精度的场合。
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公开(公告)号：CN112543408A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011529954.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种封闭式振动膜压电MEMS扬声器及其制备方法，包括：在基底上依次制备第一电极、压电层及第二电极；依次对第二电极、压电层及第一电极刻蚀，得到图形化的第二电极、压电层及第一电极，构成图形化的振动膜单元；图形化的振动膜单元为具有六个相同尺寸三角形；对基底进行刻蚀，使图形化的振动膜单元形成六个尺寸相同的沟槽间隙，得到器件；在器件的上表面沉积一层封装材料，使沟槽间隙封闭；对器件的下表面进行刻蚀，在图形化的振动膜单元的背面形成背部腔，且背部腔的外轮廓覆盖图形化的振动膜单元的外轮廓。本发明同时兼有封闭膜与不封闭式膜的压电MEMS扬声器的优点，既有较大的振动膜振动偏移位移，又不会产生声压级的泄露。
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公开(公告)号：CN105207716A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510512938.6
申请日：2015-08-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: H04B10/116 , H04L25/49
Abstract: 一种室内可见光通信发光二极管传输预失真系统及方法，该系统包括预失真计算模块、数据输入模块、参数计算模块和转换模块，预失真计算模块与转换模块相连并传输原始数据被预失真处理后的信息，数据输入模块与参数计算模块相连并传输反馈数据信息，参数计算模块与预失真计算模块相连并传输预失真器查找表表项信息，转换模块分别与发光二极管和光电二极管相连，实现前向数据从数字到模拟和反馈数据从模拟到数字的转换。本发明通过在发射端增加一路反馈链路来获得LED的输出信号，同时使用记忆多项式模型来自适应地训练并补偿LED的非线性，从实现当采用FPGA搭建整个VLC系统时，对LED进行线性化处理。
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