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公开(公告)号：CN116913559A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310989060.X
申请日：2023-08-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: G21B1/19
Abstract: 本发明提供一种用于激光约束核聚变常温实验的双楔形对撞靶及制备方法，对撞靶包括：连接支撑架，为对撞靶提供支撑作用；一对上下呈面对称的楔形约束结构，设于连接支撑架上，一对楔形约束结构形成对撞结构；每个楔形约束结构包括：两个呈预设夹角的约束面，两个约束面之间留有空隙，约束面上设有高Z材料层；聚合物柱状壳，其两端分别与两个约束面连接，聚合物柱状壳提供激光打靶实验材料，聚合物柱状壳具有预设的弯曲弧度，聚合物柱状壳的弯曲方向朝向约束面。本发明的双锥形对撞靶可用于双锥对撞激光约束核聚变常温实验中，满足对聚合物柱状壳的柱面状原材料进行烧蚀、压缩后，进一步进行对撞的需求。
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公开(公告)号：CN115971676A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211652770.5
申请日：2022-12-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: B23K26/38 , B23K26/0622 , C23C16/22 , B01L3/00
Abstract: 本发明提供一种双锥对撞点火中CD‑CH复合聚合物球冠及其制备方法，制备方法包括：采用微流控方法制备CD聚合物空心球；于所述CD聚合物空心球上沉积一层CH薄膜，形成CD‑CH复合聚合物空心球；采用激光留尾切割的方法对所述CD‑CH复合聚合物空心球进行切割；用端部尖锐的工具沿切割轮廓拨开，将切割后的CD‑CH复合聚合物球冠从所述CD‑CH复合聚合物空心球上剥离，得到双锥对撞点火中CD‑CH复合聚合物球冠。本发明解决了CD‑CH复合聚合物球冠制备中CH层厚度难以精确控制、切割球冠和取样难度大的问题，实现了高精度及可批量制备CD‑CH复合聚合物球冠。
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公开(公告)号：CN112941488B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202110104485.9
申请日：2021-01-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种基于掺杂过渡金属氮化物温度传感器及其制备方法，包括在制备过渡金属氮化物薄膜的过程中或过渡金属氮化物薄膜制备完成后，向过渡金属氮化物薄膜引入阳离子空位形成掺杂过渡金属氮化物薄膜；并通过调控阳离子空位浓度使掺杂过渡金属氮化物薄膜晶体结构发生相变，得到理想的掺杂过渡金属氮化物薄膜；采用掺杂过渡金属氮化物薄膜通过MEMS加工工艺制备目标温度传感器。本发明提出一种基于掺杂过渡金属氮化物温度传感器的制备方法，提出通过调控空位浓度从而调控温度敏感膜结构、电阻，最终使得温度传感器温区及灵敏度可调，这对开发适用于不同目标温区的电阻式掺杂过渡金属氮化物薄膜温度传感器具有指导意义。
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公开(公告)号：CN110143564A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910260361.2
申请日：2019-04-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及温度传感器、电极与温度敏感膜的连接结构及制备方法，所述结构包括绝缘基底、电极及温度敏感膜，所述绝缘基底上设置所述电极，在所述电极上设置所述温度敏感膜；在所述电极与所述温度敏感之间设置电极过渡层，所述电极过渡层为金属薄膜，所述金属薄膜为钼、铬、钛中任意一种。本发明电极测量敏感膜的值更符合敏感膜的性质，能够有效提高敏感膜有效电阻输出，减少测试误差，提高深低温温度传感器测试温度准确性。
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公开(公告)号：CN114444662A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210104020.8
申请日：2022-01-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种基于深度学习的低温传感器的高精度温度预测方法，该方法包括：获取低温传感器的温度与电阻对应关系的数据集；利用切比雪夫多项式和归一化法对所述数据集进行预处理，得到处理后数据集；构建深度学习模型，调节超参数后，将所述处理后数据集分段形成低温区和高温区，所述低温区与所述高温区有重叠区间，并对所述处理后数据集进行训练；根据训练结果预测温度值。本发明通过深度学习方法与切比雪夫多项式结合，能够提高低温传感器的温度预测精度。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111649840B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010381499.0
申请日：2020-05-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01K11/3206 , G02B6/42
Abstract: 本发明提供一种光学谐振器低温温度传感器及其制备、封装方法，包括器件，器件包括晶圆基片和温度敏感薄膜，温度敏感薄膜设有输入光栅耦合器、输出光栅耦合器和光信号传输部件，光信号传输部件包括光波导和光学谐振腔，光波导与输入光栅耦合器、输出光栅耦合器耦合，光波导用于传输光信号及与光学谐振腔的光信号耦合，光学谐振腔对光场具有限制作用；温度敏感薄膜上方设有一层保护层，且保护层位于器件的顶层。本发明利用光波导的高传输效率及高热光效应性能，具有较高的分辨率及灵敏度，品质因数Q值高达105～106，并通过设计夹持光纤的光纤槽，使用耐低温胶，实现光纤与光栅的高效耦合封装，在常温至低温温区仍能实现信号的输入、输出。
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公开(公告)号：CN115810432A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211663038.8
申请日：2022-12-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种多层调制结构聚变调制靶的制备方法，包括：建立调制靶三维模型，所述调制靶三维模型包括基底层模型和设于所述基底层模型上的多块调制结构层模型，多块调制结构层模型依次排布且存在高度差；根据所述调制靶三维模型，打印所述基底层；根据所述调制靶三维模型，于所述基底层上按序依次打印多块调制结构层；经紫外固化和等离子体表面处理后，得到多层调制结构聚变调制靶。本发明基于3D打印制备分区、分层、多样化的调制结构，并进行等离子体粗糙化处理，具有调制图形精确可控、结构复杂可变、尺寸分辨率高、工艺简单高效和成本低等优点，有助于模拟靶丸表面的多种不均匀因素对聚变点火过程的影响。
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公开(公告)号：CN112941488A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110104485.9
申请日：2021-01-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种基于掺杂过渡金属氮化物温度传感器及其制备方法，包括在制备过渡金属氮化物薄膜的过程中或过渡金属氮化物薄膜制备完成后，向过渡金属氮化物薄膜引入阳离子空位形成掺杂过渡金属氮化物薄膜；并通过调控阳离子空位浓度使掺杂过渡金属氮化物薄膜晶体结构发生相变，得到理想的掺杂过渡金属氮化物薄膜；采用掺杂过渡金属氮化物薄膜通过MEMS加工工艺制备目标温度传感器。本发明提出一种基于掺杂过渡金属氮化物温度传感器的制备方法，提出通过调控空位浓度从而调控温度敏感膜结构、电阻，最终使得温度传感器温区及灵敏度可调，这对开发适用于不同目标温区的电阻式掺杂过渡金属氮化物薄膜温度传感器具有指导意义。
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公开(公告)号：CN111649840A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010381499.0
申请日：2020-05-08
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种光学谐振器低温温度传感器及其制备、封装方法，包括器件，器件包括晶圆基片和温度敏感薄膜，温度敏感薄膜设有输入光栅耦合器、输出光栅耦合器和光信号传输部件，光信号传输部件包括光波导和光学谐振腔，光波导与输入光栅耦合器、输出光栅耦合器耦合，光波导用于传输光信号及与光学谐振腔的光信号耦合，光学谐振腔对光场具有限制作用；温度敏感薄膜上方设有一层保护层，且保护层位于器件的顶层。本发明利用光波导的高传输效率及高热光效应性能，具有较高的分辨率及灵敏度，品质因数Q值高达105～106，并通过设计夹持光纤的光纤槽，使用耐低温胶，实现光纤与光栅的高效耦合封装，在常温至低温温区仍能实现信号的输入、输出。
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