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公开(公告)号：CN107924940A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580082520.4
申请日：2015-08-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0696 , H01L29/0619 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/7397 , H01L29/78
Abstract: 第三伪沟槽(11)在衬底端部的伪单元区域与第一以及第二伪沟槽(9、10)正交。层间绝缘膜(13)使由第一以及第二伪沟槽(9、10)夹持的衬底中央部的伪单元区域的p型扩散层(3、4)与发射极电极(14)绝缘。第三伪沟槽(11)将衬底中央部的伪单元区域的p型扩散层(3、4)、和与发射极电极(14)连接的衬底端部的伪单元区域的p型扩散层(3、4、15)分离。p型阱层(15)在衬底端部设置为比第三伪沟槽(11)深。第三伪沟槽(11)与p型阱层(15)相比设置于衬底中央侧。
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公开(公告)号：CN107112324A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201480084166.4
申请日：2014-12-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0716 , H01L27/0207 , H01L27/0727 , H01L29/0834 , H01L29/1004 , H01L29/1095 , H01L29/4238 , H01L29/739 , H01L29/7395 , H01L29/78 , H01L29/861
Abstract: IGBT(1)具有：n型漂移层(5)；p型基极层(6)及n型发射极层(7)，它们形成在n型漂移层(5)的表面；以及p型集电极层(8)，其形成在n型漂移层(5)的背面。FWD(2)具有：n型漂移层(5)、在n型漂移层(5)的表面形成的p型阳极层(10)、以及在n－型漂移层(5)的背面形成的n型阴极层(11)。在配线区域(3)和终端区域(4)处，在n－型漂移层(5)的表面形成有p型阱(12)。在配线区域(3)处，在p型阱(12)之上形成有配线(13)。相对于p型阳极层(10)，p型阱(12)的杂质浓度高且深度深。p型阱(12)与n型阴极层(11)的正上方区域分离，没有形成于n型阴极层(11)的正上方。
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公开(公告)号：CN116157924A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202080104927.3
申请日：2020-07-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 硅基板(10)具有第1～第4半导体区域(11～14)。第3半导体区域(13)通过第2导电型的第2半导体区域(12)而与第1导电型的第1半导体区域(11)隔开。第2导电型的第4半导体区域(14)通过第3半导体区域(13)而与第2半导体区域(12)隔开。第1电极(60)设置于第1面(F1)之上。阻挡金属层(20)设置于第2面(F2)的第1部分(F2a)之上。第2电极(70)设置于第2面(F2)之上，通过阻挡金属层(20)而与第2面(F2)的第1部分(F2a)隔开。第2电极(70)包含与第2面(F2)的第2部分(F2b)接触的Al‑Si层(71)和通过Al‑Si层(71)而与第2面(F2)的第2部分(F2b)隔开的Al层(72)。
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公开(公告)号：CN107924940B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201580082520.4
申请日：2015-08-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 第三伪沟槽(11)在衬底端部的伪单元区域与第一以及第二伪沟槽(9、10)正交。层间绝缘膜(13)使由第一以及第二伪沟槽(9、10)夹持的衬底中央部的伪单元区域的p型扩散层(3、4)与发射极电极(14)绝缘。第三伪沟槽(11)将衬底中央部的伪单元区域的p型扩散层(3、4)、和与发射极电极(14)连接的衬底端部的伪单元区域的p型扩散层(3、4、15)分离。p型阱层(15)在衬底端部设置为比第三伪沟槽(11)深。第三伪沟槽(11)与p型阱层(15)相比设置于衬底中央侧。
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