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发明公开
电力用半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN116157924A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202080104927.3

申请日：2020-07-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 深泽俊树 , 工藤智人 , 春口秀树

IPC: H01L29/78

Abstract: 硅基板(10)具有第1～第4半导体区域(11～14)。第3半导体区域(13)通过第2导电型的第2半导体区域(12)而与第1导电型的第1半导体区域(11)隔开。第2导电型的第4半导体区域(14)通过第3半导体区域(13)而与第2半导体区域(12)隔开。第1电极(60)设置于第1面(F1)之上。阻挡金属层(20)设置于第2面(F2)的第1部分(F2a)之上。第2电极(70)设置于第2面(F2)之上，通过阻挡金属层(20)而与第2面(F2)的第1部分(F2a)隔开。第2电极(70)包含与第2面(F2)的第2部分(F2b)接触的Al‑Si层(71)和通过Al‑Si层(71)而与第2面(F2)的第2部分(F2b)隔开的Al层(72)。

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