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公开(公告)号：CN1889812A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200510081174.6
申请日：2005-06-29
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Inventor： 细见彰良
Abstract: 本发明提供在半添加法印刷布线基板的制造中对作为布线部位的电镀铜选择性地对作为种层的化学铜镀进行蚀刻的蚀刻方法以及在该方法中使用的铜蚀刻液。本发明涉及如下所述蚀刻除去方法以及选择蚀刻液：在半添加法印刷布线基板的制造中，在绝缘树脂层上形成化学铜镀的种层，形成图案抗蚀剂层后，利用电镀铜形成导体电路后，剥离抗蚀剂层，进一步使用选择蚀刻液选择性地蚀刻除去不需要的化学铜镀，其中，该选择蚀刻液含有0.2～15重量％的过氧化氢、0.5～15重量％的硫酸以及0.5～5ppm溴离子，过氧化氢/硫酸的摩尔比为5以下。本发明进一步涉及该选择性蚀刻液中含有0.001～0.05重量％的吡咯类的蚀刻除去方法以及选择蚀刻液。
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公开(公告)号：CN102696097A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080059307.9
申请日：2010-12-24
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Inventor： 细见彰良
IPC: H01L21/308 , C23F1/18 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/60 , H01L23/12 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02311 , H01L2224/03462 , H01L2224/0361 , H01L2224/0391 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/05655 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/1191 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
Abstract: 本发明提供在使用了具有电极的半导体基板的半导体装置的制造中使用的、能选择性蚀刻铜而不蚀刻镍的蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法。含有过氧化氢和有机酸和有机膦酸、有机酸为选自柠檬酸及苹果酸中的至少一种、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%，有机酸的含量为0.75~25质量%、有机膦酸的含量为0.0005~1质量%的在使用了具有电极的半导体基板的半导体装置的制造中使用的蚀刻液、及使用了这些蚀刻液的半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN100526507C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510068825.8
申请日：2005-05-11
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/38
Abstract: 本发明提供一种可以不蚀刻不能蚀刻的金属，例如铜、锡、锡合金和铝，而选择性地蚀刻钛或钛合金的蚀刻液和蚀刻方法。前述蚀刻液是一种含有10～40重量%的过氧化氢、0.05～5重量%的磷酸、0.001～0.1重量%的膦酸系化合物和氨的水溶液。
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公开(公告)号：CN102687251B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201080057354.X
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C23F1/18 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/44 , H01L23/3114 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/03916 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1191 , H01L2224/11912 , H01L2224/13007 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/01022 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供在具有电极的半导体基板的再布线中使用的、能选择性蚀刻铜而不蚀刻镍的蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法。含有过氧化氢和柠檬酸、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%、柠檬酸的含量为1~20质量%、且过氧化氢和柠檬酸的摩尔比在0.3~5的范围内的在半导体基板的再布线中使用的蚀刻液；含有过氧化氢和苹果酸、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%、苹果酸的含量为1.5~25质量%、且过氧化氢和苹果酸的摩尔比在0.2~6的范围内的在半导体基板的再布线中使用的用于选择性蚀刻铜的蚀刻液、及使用这些蚀刻液的半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1592548A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410085173.4
申请日：2004-06-10
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种在利用半添加剂法形成印制电路板的铜布线的过程中，能够抑制布线宽度的减少以及底割，而且能够在面内形成均匀的布线宽度的技术。在使用半添加剂法制造具有线路/间隔为50μm/50μm以下的微细布线的印制电路板的方法中，使得晶种层的非电解镀铜的蚀刻速度为电解镀铜的蚀刻速度的2倍以上，并且线路/间隔为50μm/50μm以下的微细布线的间隔处的非电解镀铜的除去时间为大于50μm的间隔处的非电解镀铜的除去时间的3倍以下，利用这样的蚀刻液进行处理，从而制造印制电路板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1520469A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN02812732.3
申请日：2002-06-18
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C23C22/52 , H05K3/383 , H05K2203/124
Abstract: 铜和铜合金用表面处理剂含有过氧化氢、无机酸、唑类化合物、银离子和卤化物离子。铜和铜合金用表面处理剂适用于在电子工业中生产印刷线路板。表面处理剂使铜和铜合金的表面粗糙。特别是，表面处理剂可在有镜面的包铜衬底上形成均匀且无波形的粗糙表面，这一点在传统技术中是难以做到的，因此除对固定电子部件的半固化片和树脂外还对刻蚀保护层、阻焊剂的结合有显著的改进。
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公开(公告)号：CN102696097B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201080059307.9
申请日：2010-12-24
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Inventor： 细见彰良
IPC: H01L21/308 , C23F1/18 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/60 , H01L23/12 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02311 , H01L2224/03462 , H01L2224/0361 , H01L2224/0391 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/05655 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/1191 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
Abstract: 本发明提供在使用了具有电极的半导体基板的半导体装置的制造中使用的、能选择性蚀刻铜而不蚀刻镍的蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法。含有过氧化氢和有机酸和有机膦酸、有机酸为选自柠檬酸及苹果酸中的至少一种、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%，有机酸的含量为0.75~25质量%、有机膦酸的含量为0.0005~1质量%的在使用了具有电极的半导体基板的半导体装置的制造中使用的蚀刻液、及使用了这些蚀刻液的半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN102687251A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080057354.X
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C23F1/18 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/44 , H01L23/3114 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/03916 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1191 , H01L2224/11912 , H01L2224/13007 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/01022 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供在具有电极的半导体基板的再布线中使用的、能选择性蚀刻铜而不蚀刻镍的蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法。含有过氧化氢和柠檬酸、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%、柠檬酸的含量为1~20质量%、且过氧化氢和柠檬酸的摩尔比在0.3~5的范围内的在半导体基板的再布线中使用的蚀刻液；含有过氧化氢和苹果酸、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%、苹果酸的含量为1.5~25质量%、且过氧化氢和苹果酸的摩尔比在0.2~6的范围内的在半导体基板的再布线中使用的用于选择性蚀刻铜的蚀刻液、及使用这些蚀刻液的半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1239747C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN02812732.3
申请日：2002-06-18
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C23C22/52 , H05K3/383 , H05K2203/124
Abstract: 铜和铜合金用表面处理剂含有过氧化氢、无机酸、唑类化合物、银离子和卤化物离子。铜和铜合金用表面处理剂适用于在电子工业中生产印刷线路板。表面处理剂使铜和铜合金的表面粗糙。特别是，表面处理剂可在有镜面的包铜衬底上形成均匀且无波形的粗糙表面，这一点在传统技术中是难以做到的，因此除对固定电子部件的半固化片和树脂外还对刻蚀保护层、阻焊剂的结合有显著的改进。
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公开(公告)号：CN1706986A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510068825.8
申请日：2005-05-11
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/38
Abstract: 本发明提供一种可以不蚀刻不能蚀刻的金属，例如铜、锡、锡合金和铝，而选择性地蚀刻钛或钛合金的蚀刻液和蚀刻方法。前述蚀刻液是一种含有10～40重量％的过氧化氢、0.05～5重量％的磷酸、0.001～0.1重量％的膦酸系化合物和氨的水溶液。
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