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公开(公告)号：CN101271899B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810085496.1
申请日：2008-03-19
Inventor： 吉村充弘
IPC: H01L27/088
CPC classification number: H01L29/7815 , H01L21/76877 , H01L29/0646 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置。在将检测主动作部的动作的传感部集成于同一芯片的MOSFET中，传感部的电流分布不均匀区域的面积比电流分布均匀的区域面积大，故存在传感部中接通阻抗增加，而得不到与元件比对应的电流比的问题。本发明中，在传感部的外周设置分离区域。设置分离区域的深度，该深度可抑制在传感部的周端部产生的电流分布不均匀区域的扩散，由此，可在传感部中抑制电流分布不均匀区域带来的影响。由于可使整个传感部的电流分布更加均匀，故可以使传感部的接通阻抗接近设计值。由此，可得到与元件比对应的、与设计值相同的电流比，提高电流检测的精度。
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公开(公告)号：CN101271899A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810085496.1
申请日：2008-03-19
Inventor： 吉村充弘
IPC: H01L27/088
CPC classification number: H01L29/7815 , H01L21/76877 , H01L29/0646 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置。在将检测主动作部的动作的传感部集成于同一芯片的MOSFET中，传感部的电流分布不均匀区域的面积比电流分布均匀的区域面积大，故存在传感部中接通阻抗增加，而得不到与元件比对应的电流比的问题。本发明中，在传感部的外周设置分离区域。设置分离区域的深度，该深度可抑制在传感部的周端部产生的电流分布不均匀区域的扩散，由此，可在传感部中抑制电流分布不均匀区域带来的影响。由于可使整个传感部的电流分布更加均匀，故可以使传感部的接通阻抗接近设计值。由此，可得到与元件比对应的、与设计值相同的电流比，提高电流检测的精度。
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公开(公告)号：CN101097921A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710127396.6
申请日：2007-07-02
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/088
CPC classification number: H01L29/7815 , H01L29/0696 , H01L29/4232 , H01L29/4238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置。在将动作部的动作检出的传感部集成于同一芯片的MOSFET中，以往，将传感部配设于芯片边角部，与传感部邻接的动作部的沟道区域存在其设计规则不均一，VDSS耐压特性不稳定的问题。本发明将传感部以其外周全部被动作部包围的方式而配置于动作部的内部。这样，影响VDSS耐压的动作部的沟道区域外周端成为矩形，四个边角部的设计规则能够均一化。因此，在施加反向电压时，扩展到动作部的沟道区域外周端的边角部的耗尽层也大致均一化，能够得到稳定的VDSS耐压特性。
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公开(公告)号：CN1469487A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03142577.1
申请日：2003-06-13
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/739 , H01L29/7827
Abstract: 在以往的半导体器件中，由于是电流驱动型的半导体元件因此具有驱动电路中的功耗，另外，在半导体市场上，具有对于电流驱动型半导体元件的需求的问题，在本发明的半导体器件中，具有经过Al层15把可变电位绝缘电极5与栅极区9保持为等电位，主要用作为电压驱动型的半导体元件的特征，即，通过在可变电位绝缘电极5中经过栅极电极G使电压可变，在沟道区8中形成通道进行ON动作，而且，在半导体器件外部通过进行开关动作，使栅极电极G的电位成为正电位、负电位(或者接地状态)，把沟道区8做成伪P型区或者N型区，实现低电压驱动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1487600A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03142742.1
申请日：2003-06-12
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/328
CPC classification number: H01L29/0619 , H01L27/0814 , H01L29/0634 , H01L29/0692 , H01L29/872
Abstract: 以往，肖特基势垒二极管的VF、IR特性具有折衷关系，为了实现低VF化存在着不可避免地增大漏电流的问题，解决方法是在肖特基结区，设置多个正六角形的P+型半导体区，由于相互的间隔距离相等，因此在加入反向电压时耗尽层从P+型半导体区扩展，完全埋入到外延层中，即，能够遮断在肖特基结界面发生的漏电流漏泄到阴极一侧，由于即使发生很高的漏电流也能够通过耗尽层遮断，因此其结果不存在VF与IR的折衷关系，能够不考虑IR而实现低VF。
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公开(公告)号：CN100502004C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710127396.6
申请日：2007-07-02
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/088
CPC classification number: H01L29/7815 , H01L29/0696 , H01L29/4232 , H01L29/4238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置。在将动作部的动作检出的传感部集成于同一芯片的MOSFET中，以往，将传感部配设于芯片边角部，与传感部邻接的动作部的沟道区域存在其设计规则不均一，VDSS耐压特性不稳定的问题。本发明将传感部以其外周全部被动作部包围的方式而配置于动作部的内部。这样，影响VDSS耐压的动作部的沟道区域外周端成为矩形，四个边角部的设计规则能够均一化。因此，在施加反向电压时，扩展到动作部的沟道区域外周端的边角部的耗尽层也大致均一化，能够得到稳定的VDSS耐压特性。
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公开(公告)号：CN1302559C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200410030067.6
申请日：2004-03-18
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管，在实际动作区域周围设置的护圈上未设置电极的部分，在护圈近旁引起电荷集中，而图案不均匀。本发明的金属氧化物半导体场效应晶体管包括：实际动作区域(5)，其排列多个MOS晶体管的单元(6)；源极电极(7)，其被设置在该实际动作区域上，并和所述MOS晶体管各单元的源极区域(18)连接；源极片电极，其和该源极电极连接；栅结合片电极(1)，其和所述MOS晶体管各单元的栅极电极(16)连接；护圈(22)，其被设置在源极区域(18)周围，其中，扩张所述源极电极，覆盖所述护圈上的未覆盖栅极电极的部分。
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公开(公告)号：CN1276517C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN03142577.1
申请日：2003-06-13
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/739 , H01L29/7827
Abstract: 在以往的半导体器件中，存在着因电流驱动型的半导体元件而在驱动电路中有功耗的问题。但在半导体市场上又对电流驱动型半导体元件有需求。为此，提供了一种半导体器件，具备：设置在构成漏极区的第一导电型半导体基体的主表面上、且隔开等间隔相互平行配置的多个槽；在槽的内壁具有绝缘膜、且由充填在槽内的相反导电类型的第二导电型的半导体材料构成的可变电位绝缘电极；位于主表面的槽之间的第一导电型的源极区；在半导体基体上与源极区隔开设置的相反导电类型的第二导电型的栅极区，所述栅极区与各个绝缘膜的至少一部分邻接；在半导体基体上位于槽之间、且至少位于源极区的下部的沟道区，栅极区与可变电位绝缘电极保持等电位，根据施加在与栅极区连接的栅极电极上的电压进行ON动作或者OFF动作。
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公开(公告)号：CN1534796A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410030067.6
申请日：2004-03-18
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管，在实际动作区域周围设置的护圈上未设置电极的部分，在护圈近旁引起电荷集中，而图案不均匀。本发明的金属氧化物半导体场效应晶体管包括：实际动作区域5，其排列多个MOS晶体管的单元6；源极电极7，其被设置在该实际动作区域上，并和所述MOS晶体管各单元的源极区域18连接；源极片电极，其和该源极电极连接；栅结合片电极1，其和所述MOS晶体管各单元的栅极电极16连接；护圈22，其被设置在源极区域18周围，其中，扩张所述源极电极，覆盖所述护圈上的未覆盖栅极电极的部分。
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