公开(公告)号：CN1302559C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200410030067.6

申请日：2004-03-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 圆井干将 ,  吉村充弘

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管，在实际动作区域周围设置的护圈上未设置电极的部分，在护圈近旁引起电荷集中，而图案不均匀。本发明的金属氧化物半导体场效应晶体管包括：实际动作区域(5)，其排列多个MOS晶体管的单元(6)；源极电极(7)，其被设置在该实际动作区域上，并和所述MOS晶体管各单元的源极区域(18)连接；源极片电极，其和该源极电极连接；栅结合片电极(1)，其和所述MOS晶体管各单元的栅极电极(16)连接；护圈(22)，其被设置在源极区域(18)周围，其中，扩张所述源极电极，覆盖所述护圈上的未覆盖栅极电极的部分。

公开(公告)号：CN1534796A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410030067.6

申请日：2004-03-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 圆井干将 ,  吉村充弘

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管，在实际动作区域周围设置的护圈上未设置电极的部分，在护圈近旁引起电荷集中，而图案不均匀。本发明的金属氧化物半导体场效应晶体管包括：实际动作区域5，其排列多个MOS晶体管的单元6；源极电极7，其被设置在该实际动作区域上，并和所述MOS晶体管各单元的源极区域18连接；源极片电极，其和该源极电极连接；栅结合片电极1，其和所述MOS晶体管各单元的栅极电极16连接；护圈22，其被设置在源极区域18周围，其中，扩张所述源极电极，覆盖所述护圈上的未覆盖栅极电极的部分。