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公开(公告)号：CN100391007C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200410092153.X
申请日：2004-10-09
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L29/665 , H01L29/7836
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。其提高了高击穿电压MOS晶体管的工作击穿电压，同时抑制热载流子造成的饱和电流Idsat的变动。其在P型半导体衬底(1)上形成栅极绝缘膜(2)。在栅极绝缘膜(2)上形成栅电极(3)。通过将栅电极(3)作为掩模，将双电荷磷离子(31P++)进行倾斜离子注入，形成第一低浓度源极层(4a)和第一低浓度漏极层(5a)。另外，通过将磷离子(31P+)进行倾斜离子注入，形成第二低浓度源极层(4b)和第二低浓度漏极层(5b)。进而，为提高形成有第一低浓度源极层(4a)和第一低浓度漏极层(5a)、第二低浓度源极层(4b)和第二低浓度漏极层(5b)的P型半导体衬底(1)的最表面浓度，较浅地注入砷离子(75As+)，形成表面注入层(4c、5c)。
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公开(公告)号：CN1479383A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03147849.2
申请日：2003-06-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/66659 , H01L29/1083 , H01L29/7835
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高高耐压MOS晶体管的静电破坏耐量。在MOS晶体管的N+型漏层(9)下不形成N－型漏层(11)，且在N+型漏层(9)下的区域形成P+型埋入层(11)。在N+型漏层(9)和P+型埋入层(11)之间形成高浓度的PN结。即，局部形成结耐压小的区域。因此，在栅极(6)下的N－型漏层(2)热破坏前，浪涌电流通过该PN结逃逸到硅衬底1。其结果可提高ESD耐量。
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公开(公告)号：CN1366349A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01117410.2
申请日：2001-04-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66659 , H01L21/26586 , H01L29/7835
Abstract: 本发明的课题是谋求工作耐压的提高。特征在于,具备:N+型源区9,与栅电极7的一端邻接;N－－型漏区5A和与该漏区5A相连地形成的N－型漏区5B,在上述第1栅绝缘膜4下至少在上述衬底内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值,在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低;N+型漏区10,离开上述栅电极7的另一端且被包含在上述N－型漏区5B中:以及N型层11,从上述第1栅绝缘膜4的一个端部起横跨上述N+型漏区10间。
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公开(公告)号：CN101013664A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710004746.X
申请日：2007-01-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L28/20
Abstract: 本发明涉及一种具有半导体电阻层的半导体装置的制造方法，其能够降低理论电阻值与实测电阻值间的偏差。在半导体基板(1)的整个面上形成层间绝缘膜(9)，之后有选择地蚀刻该层间绝缘膜(9)，形成分别使多晶硅电阻层(4)、源极区域(7)及漏极区域(8)局部露出的接触孔(10、11)。在多晶硅电阻层(4)上，将相邻的接触孔间距定义为电阻元件的长L1、L2，进而设定多晶硅电阻层(4)的构图尺寸。接着，经由接触孔(10)进行离子注入，在多晶硅电阻层(4)上形成低电阻区域(15a～15c)(高浓度杂质注入区域)。接着，以比形成源极区域、漏极区域时的热处理温度更低的温度进行该离子注入后的热处理(退火)。
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公开(公告)号：CN1366348A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01117409.9
申请日：2001-04-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66659 , H01L21/26586 , H01L29/7835
Abstract: 本发明的课题是谋求工作耐压的提高。本发明的半导体装置具有:栅电极4;以与该栅电极邻接的方式形成的低浓度的N－型漏区2;以及N+型漏区6,离开上述栅电极4的另一端且被包含在上述低浓度的N－型漏区2中,其特征在于:形成了中等浓度的N型层7A,该层处于至少从离上述栅电极4存在规定间隔的位置起横跨上述高浓度的N+型漏区6间的区域,在上述衬底1内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值,在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1320968A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN01111346.4
申请日：2001-03-12
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66659 , H01L21/823462 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L29/42368 , H01L29/7835
Abstract: 本发明的目的是确保高耐压MOS晶体管的耐压不变且能有低导通电阻,在本发明中,具有从在P型半导体衬底1内形成的N型阱区2上形成的第1栅氧化膜横跨到由选择性氧化膜构成的第2栅氧化膜8A上而形成的栅电极10;与该栅电极10邻接地形成的P型源区11;在与上述栅电极10隔开的位置上形成的P型漏区12;以及包围该漏区12而形成的P型漂移区(LP层4),其特征是还形成了P型杂质层(FP层7A)使其与上述漏区12邻接。
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公开(公告)号：CN1280917C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN01117409.9
申请日：2001-04-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66659 , H01L21/26586 , H01L29/7835
Abstract: 本发明的课题是谋求工作耐压的提高。本发明的半导体装置具有：栅电极(4)；以与该栅电极邻接的方式形成的低浓度的N-型漏区(2)；以及N+型漏区(6)，离开上述栅电极(4)的另一端且被包含在上述低浓度的N-型漏区(2)中，其特征在于：形成了中等浓度的N型层(7A)，该层处于至少从离上述栅电极(4)存在规定间隔的位置起横跨上述高浓度的N+型漏区(6)间的区域，在上述衬底(1)内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值，在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低。
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公开(公告)号：CN1258818C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN01117410.2
申请日：2001-04-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66659 , H01L21/26586 , H01L29/7835
Abstract: 本发明的课题是谋求工作耐压的提高。特征在于，具备：N+型源区(9)，与栅电极(7)的一端邻接；N-型漏区(5A)和与该漏区(5A)相连地形成的N-型漏区(5B)，在上述第1栅绝缘膜(4)下至少在上述衬底内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值，在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低；N+型漏区(10)，离开上述栅电极(7)的另一端且被包含在上述N-型漏区(5B)中：以及N型层(11)，从上述第1栅绝缘膜(4)的一个端部起横跨上述N+型漏区(10)间。
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公开(公告)号：CN1240139C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN03147849.2
申请日：2003-06-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/66659 , H01L29/1083 , H01L29/7835
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高高耐压MOS晶体管的静电破坏耐量。在MOS晶体管的N+型漏层(9)下不形成N-型漏层(11)，且在N+型漏层(9)下的区域形成P+型埋入层(11)。在N+型漏层(9)和P+型埋入层(11)之间形成高浓度的PN结。即，局部形成结耐压小的区域。因此，在栅极(6)下的N-型漏层(2)热破坏前，浪涌电流通过该PN结逃逸到硅衬底1。其结果可提高ESD耐量。
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公开(公告)号：CN1373520A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN01121421.X
申请日：2001-04-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66659 , H01L29/0847 , H01L29/7835
Abstract: 提供一种可提高工作耐压的半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有在P型的半导体衬底1上通过栅极绝缘膜3形成的栅电极4、与该栅电极邻接地形成的低浓度N—型漏区2、与上述栅电极4隔开且包含在上述低浓度的N—型漏区2内的高浓度N+型漏区6,要形成中浓度的N型层7C,使得至少从上述栅电极4附近向上述高浓度N+型漏区6其杂质浓度变高。
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