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公开(公告)号：CN1373506A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN02106702.3
申请日：2002-02-28
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 将激励器驱动用的半导体装置集成于一个芯片内。本发明的半导体装置是在具有阴极激励器、阳极激励器以及存储部的用来驱动表示显示器的激励器中,将与上述存储部相连接的阳极激励器区域10、12、13、16在芯片内均等分配,并在其均等分配的各阳极激励器区域10、12、13、16的附近位置均等地配置SRAM18、19,从而简化了布线的折回,可缩小芯片尺寸。
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公开(公告)号：CN1374698A
公开(公告)日：2002-10-16
申请号：CN02106955.7
申请日：2002-03-06
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/768 , G09G3/00
Abstract: 单片化驱动器驱动用的半导体装置。本发明的半导体装置,适用于阳极驱动器、阴极驱动器和存储器部分等单片化的显示驱动用驱动器,例如,在将阳极驱动器按照每期望的输出比特组划分成各个组(阳极驱动器10、12、13、16)的状态下,将各输出比特组配置在芯片内的周边部分,与该周边部分配置的各输出比特组内的各输出比特连线的配线19配合芯片形状进行围绕配线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1258817C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN02106880.1
申请日：2002-02-16
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L29/78 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/2007 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种在半导体衬底上形成晶体管而构成的半导体器件中，是以具备：半导体衬底(21)内形成的低浓度源漏层(26)、该源漏层(26)内形成的高浓度源漏层(30)、上述衬底(21)上隔着栅氧化膜(25)形成的栅电极(38E)、在该栅电极(38E)下方形成，构成位于上述源漏层(26)与(30)间的沟道的P型体层(32)、多列接触上述源漏层(30)的针形接触部(47)、以及通过该针形接触部(47)接触连接上述源漏层(30)的源漏电极为特征。并且，在接触覆盖下层布线(2层布线)(59)的层间绝缘膜(55)内形成的通孔(61)的半导体器件中，是以在构成焊盘部的金凸形电极(63)下以外的区域形成上述通孔(61)为特征。
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公开(公告)号：CN1371128A
公开(公告)日：2002-09-25
申请号：CN02106880.1
申请日：2002-02-16
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L29/78 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/2007 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种在半导体衬底上形成晶体管而构成的半导体器件中,是以具备:半导体衬底21内形成的低浓度源·漏层26、该源·漏层26内形成的高浓度源·漏层30、上述衬底21上隔着栅氧化膜25形成的栅电极38E、在该栅电极38E下方形成,构成位于上述源·漏层26与30间的沟道的P型体层32、多列接触上述源·漏层30的针形接触部47、以及通过该针形接触部47接触连接上述源·漏层30的源·漏电极为特征。并且,在接触被覆下层布线(2层布线)59的层间绝缘膜55内形成的通孔61的半导体器件中,是以在构成焊盘部的金凸形电极63下以外的区域形成上述通孔61为特征。
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公开(公告)号：CN100517683C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN02106955.7
申请日：2002-03-06
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/768 , G09G3/00
Abstract: 单片化驱动器驱动用的半导体装置。本发明的半导体装置，适用于阳极驱动器、阴极驱动器和存储器部分等单片化的显示驱动用驱动器，例如，在将阳极驱动器按照每期望的输出比特组划分成各个组(阳极驱动器10、12、13、16)的状态下，将各输出比特组配置在芯片内的周边部分，与该周边部分配置的各输出比特组内的各输出比特连线的配线19配合芯片形状进行围绕配线。
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公开(公告)号：CN1288754C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN02106565.9
申请日：2002-02-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/11 , H01L21/7621 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L27/092
Abstract: 本发明的目的在于提高激励器驱动用的半导体装置的加工精度。本发明的半导体装置与其图案设计方法其特征在于构成激励器驱动用的各晶体管，与阴极激励器(11)、阳极激励器(10、12、13、16)以及标记用阳极激励器(14、15)所构成的各个输出比特群的端部相邻接，各自形成模拟图案(3A，3B，3C，3D，3E，3F，3G，3H，3I，3J，3K，3L，3M，3N)。
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公开(公告)号：CN1373515A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN02106565.9
申请日：2002-02-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/11 , H01L21/7621 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L27/092
Abstract: 提高激励器驱动用的半导体装置的加工精度。本发明的半导体装置其特征在于构成激励器驱动用的各晶体管,与阴极激励器11、阳极激励器10、12、13、16以及标记用阳极激励器14、15所构成的各个输出比特群的端部相邻接,各自形成模拟图案3A,3B,3C,3D,3E,3F,3G,3H,3I,3J,3K,3L,3M,3N。
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