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公开(公告)号：CN120021154A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202410981901.7
申请日：2024-07-22
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种功率放大器，所述功率放大器包括：第一功率晶体管，被配置为放大第一输入射频（RF）信号，并且输出第一输出RF信号；第一偏置电路，被配置为在第一通信模式下操作，并且所述第一偏置电路包括第一晶体管，所述第一晶体管被配置为向所述第一功率晶体管供应第一偏置电流；以及第二偏置电路，被配置为在第二通信模式下操作，并且所述第二偏置电路包括第二晶体管，所述第二晶体管被配置为向所述第一功率晶体管供应第二偏置电流。
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公开(公告)号：CN118367876A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311213791.1
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种功率放大器，被配置为放大输入射频(RF)信号的所述功率放大器包括：第一功率晶体管，包括输入端子；第一电容器，具有连接到所述第一功率晶体管的所述输入端子的第一端；以及电阻器，具有连接到所述第一电容器的第二端的第一端和连接到地的第二端。所述输入RF信号被输入到所述第一电容器的所述第二端和所述电阻器的所述第一端。
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公开(公告)号：CN118282336A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310879199.9
申请日：2023-07-18
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种过电流保护电路和包括过电流保护电路的功率放大器。所述过电流保护电路保护功率放大器，所述功率放大器从偏置电路接收偏置电流并且放大输入射频(RF)信号。所述过电流保护电路包括：包络检测器，被配置为检测与输入射频(RF)信号相对应的第一电压的包络；第一晶体管，被配置为通过所述第一晶体管的控制端子接收所述包络的值，并且基于所述包络的所述值导通以吸收来自偏置电路的第一节点的电流；以及第二晶体管，连接在电源与所述第一晶体管之间并且包括连接到所述偏置电路的所述第一节点的控制端子。
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公开(公告)号：CN118676142A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410296641.X
申请日：2024-03-15
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L27/082 , H01L23/528 , H05K1/18 , H03F3/19 , H03F3/21
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的功率放大器。所述半导体器件包括多个单元晶体管，所述多个单元晶体管中的每个单元晶体管设置在半导体基板上，并且包括配置为输出输出信号的集电极、配置为接收输入信号的基极、发射极、构造为使所述多个单元晶体管的所述发射极互连的发射结布线以及设置为与所述发射结布线形成界面并且设置为与所述发射结布线接触的金属柱，并且所述金属柱包括多个狭缝，所述多个狭缝中的每个狭缝形成腔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118432554A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410044583.1
申请日：2024-01-11
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供一种匹配网络和包括匹配网络的功率放大器。该匹配网络被配置为在放大输入射频(RF)的功率放大器中执行阻抗匹配。所述匹配网络包括：第一二极管，包括连接到设置在所述匹配网络的输入端子和所述匹配网络的输出端子之间的节点的阳极；以及第一短截线，连接到所述第一二极管的阴极。响应于输入RF信号而变化的第一反向偏置电压可被施加到第一二极管。
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公开(公告)号：CN102291105B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201010516686.1
申请日：2010-10-15
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K5/13
CPC classification number: H03K3/0322 , H03K3/012
Abstract: 本文公开的是一种用于低功率环形振荡器的延迟电路。该延迟电路包括：接收第一差分输入信号Vin1+和Vin1-的一对N型晶体管；接收第二差分输入信号Vin2+和Vin2-的一对P型晶体管；输出从该对N型晶体管和该对P型晶体管产生的差分输出信号Vout+和Vout-的差分输出端；向该对N型晶体管提供衬底电压的N型检测器；以及向该对P型晶体管提供衬底电压的P型检测器。
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公开(公告)号：CN118944614A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410527717.5
申请日：2024-04-29
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种功率放大器，所述功率放大器包括：第一功率晶体管，被配置为放大第一输入射频(RF)信号并且输出第一输出RF信号；第一晶体管，包括控制端子、接收第一电压的第一端子以及将第一偏置电流供应到所述第一功率晶体管的第二端子；第二功率晶体管，被配置为放大第二输入RF信号并且输出第二输出RF信号；第二晶体管，包括控制端子、接收第二电压的第一端子以及将第二偏置电流供应到所述第二功率晶体管的第二端子；信号检测电路，被配置为检测与所述第一输出RF信号的幅度或所述第二输出RF信号的幅度相对应的第一值；以及电源电压控制电路，被配置为响应于所述第一值而调节所述第一电压和/或所述第二电压。
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公开(公告)号：CN118367877A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311096422.9
申请日：2023-08-28
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种过压保护电路和包括过压保护电路的功率放大器。所述过压保护电路通过从偏置电路接收偏置电流来保护放大输入射频(RF)信号的功率放大器。所述过压保护电路包括：输入信号检测器，检测所述输入RF信号的幅度；以及第一晶体管，通过所述第一晶体管的控制端子接收基于所述输入RF信号的所述幅度的电压，并且基于所述输入RF信号的所述幅度而导通，以从所述偏置电路的第一节点吸收电流。
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公开(公告)号：CN102291105A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010516686.1
申请日：2010-10-15
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K5/13
CPC classification number: H03K3/0322 , H03K3/012
Abstract: 本文公开的是一种用于低功率环形振荡器的延迟电路。该延迟电路包括：接收第一差分输入信号Vin1+和Vin1-的一对N型晶体管；接收第二差分输入信号Vin2+和Vin2-的一对P型晶体管；输出从该对N型晶体管和该对P型晶体管产生的差分输出信号Vout+和Vout-的差分输出端；向该对N型晶体管提供衬底电压的N型检测器；以及向该对P型晶体管提供衬底电压的P型检测器。
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