公开(公告)号：CN118367877A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202311096422.9

申请日：2023-08-28

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 利波良幸 ,  李建龙 ,  崔圭珍 ,  表昇彻 ,  韩秀沇 ,  洪敬憙

IPC: H03F3/21 ,  H03F1/30

Abstract: 本公开提供一种过压保护电路和包括过压保护电路的功率放大器。所述过压保护电路通过从偏置电路接收偏置电流来保护放大输入射频(RF)信号的功率放大器。所述过压保护电路包括：输入信号检测器，检测所述输入RF信号的幅度；以及第一晶体管，通过所述第一晶体管的控制端子接收基于所述输入RF信号的所述幅度的电压，并且基于所述输入RF信号的所述幅度而导通，以从所述偏置电路的第一节点吸收电流。

公开(公告)号：CN114189253A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202110318103.2

申请日：2021-03-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李建龙 ,  韩秀沇 ,  表昇彻 ,  崔在爀 ,  许荣植 ,  罗裕森

IPC: H04B1/04

Abstract: 本公开提供一种功率放大器系统和通信系统，所述功率放大器系统包括：基础基板；驱动器级，被配置为接收并放大RF输入信号，其中，所述驱动器级设置在所述基础基板内，并且实现在第一基板中；以及功率级，被配置为接收被所述驱动器级放大后的RF信号，并且放大所述RF信号，其中，所述功率级设置在所述基础基板外部，并且独立于所述第一基板实现在第二基板中。

公开(公告)号：CN114189219A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202110340000.6

申请日：2021-03-30

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李建龙 ,  韩秀沇 ,  表昇彻 ,  许荣植

IPC: H03F3/20

Abstract: 本公开提供一种功率放大器系统，所述功率放大器系统包括：驱动级，被配置为放大射频输入信号并且在包含硅的基板中实现；功率级，包括载波放大器和峰值放大器，所述载波放大器被配置为放大来自所述射频输入信号的由所述驱动级放大的基础信号，所述峰值放大器被配置为放大来自所述射频输入信号的由所述驱动级放大的峰值信号，所述功率级在包含砷化镓的基板中实现；以及相位补偿电路，被配置为改变所述射频输入信号的相位，其中，所述载波放大器或所述峰值放大器连接到所述相位补偿电路。

公开(公告)号：CN118676142A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410296641.X

申请日：2024-03-15

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 韩秀沇 ,  崔圭珍 ,  李建龙 ,  利波良幸 ,  表昇彻 ,  洪敬憙

IPC: H01L27/082 ,  H01L23/528 ,  H05K1/18 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的功率放大器。所述半导体器件包括多个单元晶体管，所述多个单元晶体管中的每个单元晶体管设置在半导体基板上，并且包括配置为输出输出信号的集电极、配置为接收输入信号的基极、发射极、构造为使所述多个单元晶体管的所述发射极互连的发射结布线以及设置为与所述发射结布线形成界面并且设置为与所述发射结布线接触的金属柱，并且所述金属柱包括多个狭缝，所述多个狭缝中的每个狭缝形成腔。

公开(公告)号：CN118432554A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410044583.1

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 崔圭珍 ,  表昇彻 ,  洪敬憙 ,  李建龙 ,  韩秀沇 ,  利波良幸

IPC: H03F1/56 ,  H03F3/20 ,  H03F3/68

Abstract: 提供一种匹配网络和包括匹配网络的功率放大器。该匹配网络被配置为在放大输入射频(RF)的功率放大器中执行阻抗匹配。所述匹配网络包括：第一二极管，包括连接到设置在所述匹配网络的输入端子和所述匹配网络的输出端子之间的节点的阳极；以及第一短截线，连接到所述第一二极管的阴极。响应于输入RF信号而变化的第一反向偏置电压可被施加到第一二极管。

公开(公告)号：CN113098414A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202010587109.5

申请日：2020-06-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 韩秀沇

IPC: H03F3/24 ,  H03F1/30

Abstract: 本公开提供一种功率放大器模块，所述功率放大器模块包括功率放大器和控制单元，所述功率放大器包括放大单元和偏置单元，所述放大单元包括放大晶体管，所述放大晶体管被配置为放大输入信号并将输出信号输出，所述偏置单元包括偏置晶体管和子偏置晶体管，所述偏置晶体管被配置为将偏置电流提供到所述放大晶体管，所述子偏置晶体管被配置为将子偏置电流提供到所述放大晶体管，所述控制单元被配置为将控制电流提供到所述偏置晶体管和所述子偏置晶体管。所述控制单元还被配置为根据所述子偏置电流来改变所述控制电流，并且所述子偏置电流的电平低于所述偏置电流的电平。

公开(公告)号：CN113098411A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202010528806.3

申请日：2020-06-11

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 韩秀沇

IPC: H03F3/20 ,  H03F1/30

Abstract: 本申请提供一种具有温度补偿的功率放大器模块。所述功率放大器模块包括：功率放大器，包括放大器和偏置电路，所述放大器包括被配置为放大输入信号并输出输出信号的放大晶体管，所述偏置电路包括被配置为向所述放大晶体管提供偏置电流的偏置晶体管；以及控制器，被配置为向所述偏置晶体管提供控制电流，其中，所述控制器被配置为基于所述放大晶体管的温度来改变所述控制电流。

公开(公告)号：CN118367876A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202311213791.1

申请日：2023-09-19

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 崔圭珍 ,  表昇彻 ,  洪敬憙 ,  李建龙 ,  韩秀沇 ,  利波良幸

IPC: H03F3/20 ,  H03F1/26 ,  H03F1/30

Abstract: 本公开提供一种功率放大器，被配置为放大输入射频(RF)信号的所述功率放大器包括：第一功率晶体管，包括输入端子；第一电容器，具有连接到所述第一功率晶体管的所述输入端子的第一端；以及电阻器，具有连接到所述第一电容器的第二端的第一端和连接到地的第二端。所述输入RF信号被输入到所述第一电容器的所述第二端和所述电阻器的所述第一端。

公开(公告)号：CN118282336A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202310879199.9

申请日：2023-07-18

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 洪敬憙 ,  利波良幸 ,  崔圭珍 ,  韩秀沇 ,  李建龙 ,  表昇彻

IPC: H03F1/52 ,  H03F1/56 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21

Abstract: 提供了一种过电流保护电路和包括过电流保护电路的功率放大器。所述过电流保护电路保护功率放大器，所述功率放大器从偏置电路接收偏置电流并且放大输入射频(RF)信号。所述过电流保护电路包括：包络检测器，被配置为检测与输入射频(RF)信号相对应的第一电压的包络；第一晶体管，被配置为通过所述第一晶体管的控制端子接收所述包络的值，并且基于所述包络的所述值导通以吸收来自偏置电路的第一节点的电流；以及第二晶体管，连接在电源与所述第一晶体管之间并且包括连接到所述偏置电路的所述第一节点的控制端子。

公开(公告)号：CN114070215A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110424105.X

申请日：2021-04-20

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 柳贤眞 ,  许荣植 ,  赵强打 ,  韩秀沇 ,  金震龙 ,  黄圆善

IPC: H03F3/20

Abstract: 提供一种功率放大器、功率放大器系统及其操作方法。所述功率放大器系统可包括功率放大器、功率放大器控制器和电压产生器。所述功率放大器可包括多个功率晶体管单元，所述多个功率晶体管单元中的每个功率晶体管单元通过其控制端子接收射频信号以放大所述射频信号。所述功率放大器控制器可基于功率模式控制所述多个功率晶体管单元中的至少一个功率晶体管单元的导通操作和截止操作。所述电压产生器可产生供应到所述多个功率晶体管单元的第一端子的电源电压，并且可根据所述功率模式来改变所述电源电压。