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公开(公告)号：CN118676142A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410296641.X
申请日：2024-03-15
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L27/082 , H01L23/528 , H05K1/18 , H03F3/19 , H03F3/21
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的功率放大器。所述半导体器件包括多个单元晶体管，所述多个单元晶体管中的每个单元晶体管设置在半导体基板上，并且包括配置为输出输出信号的集电极、配置为接收输入信号的基极、发射极、构造为使所述多个单元晶体管的所述发射极互连的发射结布线以及设置为与所述发射结布线形成界面并且设置为与所述发射结布线接触的金属柱，并且所述金属柱包括多个狭缝，所述多个狭缝中的每个狭缝形成腔。
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公开(公告)号：CN118432554A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410044583.1
申请日：2024-01-11
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供一种匹配网络和包括匹配网络的功率放大器。该匹配网络被配置为在放大输入射频(RF)的功率放大器中执行阻抗匹配。所述匹配网络包括：第一二极管，包括连接到设置在所述匹配网络的输入端子和所述匹配网络的输出端子之间的节点的阳极；以及第一短截线，连接到所述第一二极管的阴极。响应于输入RF信号而变化的第一反向偏置电压可被施加到第一二极管。
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公开(公告)号：CN111726126B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201910966477.8
申请日：2019-10-12
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明公开一种频带选择开关电路和放大器。用于具有阻抗匹配电路的放大器的频带选择开关电路包括频带选择开关和阻抗补偿电路。所述频带选择开关包括：信号端口开关，被配置为选择公共发送端口、发送和接收(TxRx)端口以及接收端口之间的端口连接；以及阻抗端口开关，被配置为选择性地使所述接收端口中的一个以及所述公共发送端口与阻抗端口连接。所述阻抗补偿电路包括连接到所述阻抗端口的阻抗元件。
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公开(公告)号：CN114639549A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111222249.3
申请日：2021-10-20
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电容器和用于安装该多层电容器的板。所述多层电容器包括：电容器主体，包括第一表面至第六表面并且包括多个介电层以及交替地设置的第一内电极和第二内电极，所述多个介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述电容器主体的所述第三表面和所述第四表面上并且分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极，其中，所述电容器主体包括有效区域，在所述有效区域中，所述第一内电极和所述第二内电极在第一方向上叠置，并且在所述电容器主体中的除了所述有效区域之外的边缘部的至少一部分具有小于1的Ba与Ti的摩尔比并且具有孪晶界结构。
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公开(公告)号：CN114189219A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110340000.6
申请日：2021-03-30
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03F3/20
Abstract: 本公开提供一种功率放大器系统，所述功率放大器系统包括：驱动级，被配置为放大射频输入信号并且在包含硅的基板中实现；功率级，包括载波放大器和峰值放大器，所述载波放大器被配置为放大来自所述射频输入信号的由所述驱动级放大的基础信号，所述峰值放大器被配置为放大来自所述射频输入信号的由所述驱动级放大的峰值信号，所述功率级在包含砷化镓的基板中实现；以及相位补偿电路，被配置为改变所述射频输入信号的相位，其中，所述载波放大器或所述峰值放大器连接到所述相位补偿电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118554895A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410029646.6
申请日：2024-01-09
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种功率放大器。所述功率放大器包括：功率晶体管，被配置为放大输入射频(RF)信号；第一晶体管，包括向所述功率晶体管提供偏置电流的第一端子；以及线性化电路，连接在输入所述输入RF信号的端子与所述第一晶体管的所述第一端子之间，并且被配置为耦合所述输入RF信号的一部分，并且将耦合的输入RF信号提供到所述第一晶体管的所述第一端子，其中，所述耦合的输入RF信号的幅度可根据功率模式改变。
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公开(公告)号：CN111726092B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910941505.0
申请日：2019-09-30
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有温度补偿功能的偏置电路和放大装置。所述偏置电路包括偏置电流电路和温度补偿电路。偏置电流电路包括：第一电阻器和第一晶体管，在连接在参考电流的电流端子与地之间的第一电流路径中并且彼此串联连接；以及第二晶体管，在连接在电流端子与地之间的第二电流路径中并且具有连接到第一晶体管的集电极的基极。温度补偿电路包括第二电阻器和第三电阻器，第二电阻器在第二电流路径中并且连接在第二晶体管的发射极与第一晶体管的基极之间且具有第一温度系数，第三电阻器包括在第二电流路径中并且连接在第一晶体管的基极与地之间且具有与第一温度系数不同的第二温度系数。
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公开(公告)号：CN116073777A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211089745.0
申请日：2022-09-07
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供一种增益衰减电路和功率放大器，所述增益衰减电路使输入RF信号衰减，并将衰减的所述输入RF信号传输到功率晶体管。所述增益衰减电路包括：第一二极管，连接在第一节点和地之间，所述第一节点位于所述输入RF信号被输入到的端口和所述功率晶体管的控制端子之间；第一晶体管和第二晶体管，堆叠在第一电源和地之间，并且各自具有二极管连接结构；以及第三晶体管，被配置为通过控制端子接收由所述第一晶体管和所述第二晶体管设置的操作电压，并且基于所接收的操作电压来操作所述第一二极管。
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公开(公告)号：CN114696756A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110918957.4
申请日：2021-08-11
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种保护电路、功率放大器和传输装置。所述保护电路保护功率放大器，所述功率放大器包括功率晶体管和偏置电路，所述功率晶体管被配置为接收电源电压，所述偏置电路被配置为向所述功率晶体管供应偏置电流。所述保护电路包括：第一晶体管，连接在所述偏置电路的端子与地之间，并且被配置为从所述偏置电路的所述端子汲取第一电流；以及第二晶体管，包括连接到所述电源电压的第一端子、连接到所述第一晶体管的控制端子的第二端子以及连接到参考电压的控制端子。
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公开(公告)号：CN111726126A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910966477.8
申请日：2019-10-12
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明公开一种频带选择开关电路和放大器。用于具有阻抗匹配电路的放大器的频带选择开关电路包括频带选择开关和阻抗补偿电路。所述频带选择开关包括：信号端口开关，被配置为选择公共发送端口、发送和接收(TxRx)端口以及接收端口之间的端口连接；以及阻抗端口开关，被配置为选择性地使所述接收端口中的一个以及所述公共发送端口与阻抗端口连接。所述阻抗补偿电路包括连接到所述阻抗端口的阻抗元件。
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