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公开(公告)号：CN114665829A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111098069.9
申请日：2021-09-18
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种低噪声放大器、低噪声放大器的操作方法和放大器。所述低噪声放大器包括：放大单元，包括以级联结构连接的第一晶体管和第二晶体管，并且所述放大单元被配置为放大输入到所述第一晶体管的控制端子的信号；以及增益控制器，连接在所述第一晶体管和所述第二晶体管彼此连接的接触点与电源电压之间，并且被配置为调节所述放大单元的增益。
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公开(公告)号：CN103516356A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210379999.6
申请日：2012-10-09
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03L7/099
CPC classification number: H03L7/099 , H03B5/1243 , H03B5/1265
Abstract: 本发明提供一种具有改进线性的数字控制振荡器。所述数字控制振荡器包括：谐振电路单元，根据等效电容和预置电感而产生谐振信号，等效电容通过取决于数字控制代码而变化的第一电容和取决于通过对所述数字控制代码反相产生的反相数字控制代码而变化的第二电容之间的并联连接而形成；以及振荡电路单元，向所述谐振电路单元提供负阻抗，并且在所述谐振电路单元中形成振荡条件。
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公开(公告)号：CN102281034A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110034124.8
申请日：2011-01-31
IPC: H03F1/02
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/0261 , H03F1/223 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F2200/06 , H03F2200/09 , H03F2200/18 , H03F2200/451
Abstract: 本发明公开了一种功率放大器，根据本发明一个方面的功率放大器包括：第一放大部，具有连接为级联构造并放大输入信号的第一N金属氧化物半导体(MOS)放大器和第二N MOS放大器；第二放大部，具有连接为级联构造并放大输入信号的第一P MOS放大器和第二P MOS放大器；以及功率合成部，合成第一放大部和第二放大部的各输出信号。
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公开(公告)号：CN106208971A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610085627.0
申请日：2016-02-15
CPC classification number: H03F1/0288 , H03F3/602
Abstract: 本发明涉及一种多赫蒂功率放大器。根据本发明构思的示例性实施例的多赫蒂功率放大器可包括：功率分配器，将输入信号分解为第一分解信号和第二分解信号；载波放大器，放大所述第一分解信号；峰化放大器，放大所述第二分解信号，其中，所述功率分配器按照以下方式来分解所述输入信号，所述方式为：所述第一分解信号与所述第二分解信号的比值根据所述输入信号的功率而彼此不同。
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公开(公告)号：CN120049842A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202410987647.1
申请日：2024-07-23
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种低噪声放大器和操作低噪声放大器的方法。所述低噪声放大器包括：第一晶体管，被配置为放大第一频带的输入射频（RF）信号并被配置为接收第一偏置电压；第二晶体管，被配置为放大第二频带的输入RF信号并被配置为接收第二偏置电压；第三晶体管，被配置为放大所述第一晶体管的输出RF信号并被配置为接收第三偏置电压；以及第四晶体管，被配置为放大所述第二晶体管的输出RF信号并被配置为接收第四偏置电压。在第一操作模式下，所述第二偏置电压和所述第四偏置电压可被设置为截止电压电平，并且在第二操作模式下，所述第一偏置电压和所述第三偏置电压可被设置为截止电压电平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102281034B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201110034124.8
申请日：2011-01-31
IPC: H03F1/02
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/0261 , H03F1/223 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F2200/06 , H03F2200/09 , H03F2200/18 , H03F2200/451
Abstract: 本发明公开了一种功率放大器，根据本发明一个方面的功率放大器包括：第一放大部，具有连接为级联构造并放大输入信号的第一N金属氧化物半导体(MOS)放大器和第二N MOS放大器；第二放大部，具有连接为级联构造并放大输入信号的第一P MOS放大器和第二P MOS放大器；以及功率合成部，合成第一放大部和第二放大部的各输出信号。
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公开(公告)号：CN103580685A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210455487.3
申请日：2012-11-13
Applicant: 三星电机株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: H03L7/099
CPC classification number: H03L5/00 , H03L7/06 , H03L7/08 , H03L2207/50
Abstract: 本发明涉及用于数字控制振荡器的控制电路和装置，提供了一种用于数字控制振荡器的控制电路和使用该控制电路的用于数字控制振荡器的控制装置。用于数字控制振荡器的控制电路包括：峰值检测电路，其检测由数字控制振荡器输出的信号的振幅；以及跨导控制电路，其将峰值检测电路的输出与预定基准信号相比较，以控制包括在数字控制振荡器中的负跨导电路的跨导值。
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公开(公告)号：CN119906372A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410713459.X
申请日：2024-06-04
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种偏置电路和包括偏置电路的低噪声放大器电路。所述偏置电路可连接到第一晶体管并且可被配置为向第二晶体管提供偏置电压，所述第一晶体管被配置为放大输入射频(RF)信号，所述第二晶体管放大所述第一晶体管的输出RF信号。所述偏置电路可包括电流源和电流‑电压转换电路，所述电流源被配置为接收电源电压并且生成参考电流，所述电流‑电压转换电路被配置为将所述参考电流转换为所述偏置电压并且将所述偏置电压提供到所述第二晶体管的控制端子。
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公开(公告)号：CN114696756A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110918957.4
申请日：2021-08-11
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种保护电路、功率放大器和传输装置。所述保护电路保护功率放大器，所述功率放大器包括功率晶体管和偏置电路，所述功率晶体管被配置为接收电源电压，所述偏置电路被配置为向所述功率晶体管供应偏置电流。所述保护电路包括：第一晶体管，连接在所述偏置电路的端子与地之间，并且被配置为从所述偏置电路的所述端子汲取第一电流；以及第二晶体管，包括连接到所述电源电压的第一端子、连接到所述第一晶体管的控制端子的第二端子以及连接到参考电压的控制端子。
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