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公开(公告)号：CN120049842A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202410987647.1
申请日：2024-07-23
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种低噪声放大器和操作低噪声放大器的方法。所述低噪声放大器包括：第一晶体管，被配置为放大第一频带的输入射频（RF）信号并被配置为接收第一偏置电压；第二晶体管，被配置为放大第二频带的输入RF信号并被配置为接收第二偏置电压；第三晶体管，被配置为放大所述第一晶体管的输出RF信号并被配置为接收第三偏置电压；以及第四晶体管，被配置为放大所述第二晶体管的输出RF信号并被配置为接收第四偏置电压。在第一操作模式下，所述第二偏置电压和所述第四偏置电压可被设置为截止电压电平，并且在第二操作模式下，所述第一偏置电压和所述第三偏置电压可被设置为截止电压电平。
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公开(公告)号：CN119906372A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410713459.X
申请日：2024-06-04
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种偏置电路和包括偏置电路的低噪声放大器电路。所述偏置电路可连接到第一晶体管并且可被配置为向第二晶体管提供偏置电压，所述第一晶体管被配置为放大输入射频(RF)信号，所述第二晶体管放大所述第一晶体管的输出RF信号。所述偏置电路可包括电流源和电流‑电压转换电路，所述电流源被配置为接收电源电压并且生成参考电流，所述电流‑电压转换电路被配置为将所述参考电流转换为所述偏置电压并且将所述偏置电压提供到所述第二晶体管的控制端子。
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公开(公告)号：CN116418304A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211324637.7
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电机株式会社
Inventor： 柳戊泳
IPC: H03F3/193
Abstract: 提供一种低噪声放大器及其操作方法。所述低噪声放大器包括：第一晶体管，通过控制端子接收射频(RF)信号；第二晶体管，与所述第一晶体管一起形成垂直级联结构，并且通过第一端子接收所述第一晶体管的输出信号；以及第三晶体管，与所述第二晶体管一起形成垂直级联结构，并且通过第一端子接收所述第二晶体管的输出信号。所述第一晶体管至所述第三晶体管响应于施加第一电源电压而执行放大操作，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管或所述第一晶体管和所述第三晶体管响应于施加第二电源电压而执行放大操作。
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