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公开(公告)号：CN110011620B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201811608623.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供具备具有提高的线性度的偏置升压结构的功率放大设备。一种功率放大设备，包括：第一偏置电路，被配置为通过将升压电流相加到从参考电流生成的基极偏置电流来生成第一偏置电流；第一放大电路，被配置为接收所述第一偏置电流并放大通过所述第一放大电路的输入端输入的信号以输出第一放大信号；偏置升压电路，被配置为基于从所述第一放大电路输出的所述第一放大信号中的谐波分量的幅值来生成所述升压电流。
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公开(公告)号：CN109981062A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811523617.6
申请日：2018-12-13
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种具有非对称放大结构和线性的功率放大设备。所述功率放大设备包括：第一偏置电路，产生具有第一幅值的第一偏置电流；第一放大电路，连接在第一节点和第二节点之间，并且接收所述第一偏置电流，放大通过所述第一节点输入的信号，并且将第一放大信号输出到所述第二节点；第二偏置电路，产生具有第二幅值的第二偏置电流，所述第二幅值与所述第一偏置电流的所述第一幅值不同；以及第二放大电路，与所述第一放大电路并联连接在所述第一节点和所述第二节点之间，并且接收所述第二偏置电流，放大通过所述第一节点输入的所述信号，并且将第二放大信号输出到所述第二节点，其中，所述第二放大电路可具有与所述第一放大电路的尺寸不同的尺寸。
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公开(公告)号：CN102739169B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110256447.1
申请日：2011-08-31
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H03H7/42 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2924/19107 , H03F3/211 , H03F3/602 , H03F2200/537 , H03F2200/541 , H03H7/48 , H05K1/165 , H01L2924/00014
Abstract: 提供了由印刷电路板实现的功率合成器、含有其的功率放大模块及信号收发模块。该功率合成器包括：初级线圈单元，形成于印刷电路板的一个表面上，用以接收包含正平衡信号和负平衡信号的多个平衡信号，并包括多个正初级线圈和多个负初级线圈，其中，多个正初级线圈和多个负初级线圈分别彼此隔开预定间隔，多个正初级线圈的一端和多个负初级线圈的一端分别共同连接，以由此接收多个正平衡信号和多个负平衡信号，并且多个正初级线圈的另一端与多个负初级线圈的另一端相互连接以由此形成回路；以及次级线圈单元，形成于印刷电路板的另一表面上，并且包括用以将来自形成回路的初级线圈的多个平衡信号的功率合成的次级线圈，以由此输出单端信号。
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公开(公告)号：CN102739169A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110256447.1
申请日：2011-08-31
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H03H7/42 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2924/19107 , H03F3/211 , H03F3/602 , H03F2200/537 , H03F2200/541 , H03H7/48 , H05K1/165 , H01L2924/00014
Abstract: 提供了由印刷电路板实现的功率合成器、含有其的功率放大模块及信号收发模块。该功率合成器包括：初级线圈单元，形成于印刷电路板的一个表面上，用以接收包含正平衡信号和负平衡信号的多个平衡信号，并包括多个正初级线圈和多个负初级线圈，其中，多个正初级线圈和多个负初级线圈分别彼此隔开预定间隔，多个正初级线圈的一端和多个负初级线圈的一端分别共同连接，以由此接收多个正平衡信号和多个负平衡信号，并且多个正初级线圈的另一端与多个负初级线圈的另一端相互连接以由此形成回路；以及次级线圈单元，形成于印刷电路板的另一表面上，并且包括用以将来自形成回路的初级线圈的多个平衡信号的功率合成的次级线圈，以由此输出单端信号。
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公开(公告)号：CN109981062B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201811523617.6
申请日：2018-12-13
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种具有非对称放大结构和线性的功率放大设备。所述功率放大设备包括：第一偏置电路，产生具有第一幅值的第一偏置电流；第一放大电路，连接在第一节点和第二节点之间，并且接收所述第一偏置电流，放大通过所述第一节点输入的信号，并且将第一放大信号输出到所述第二节点；第二偏置电路，产生具有第二幅值的第二偏置电流，所述第二幅值与所述第一偏置电流的所述第一幅值不同；以及第二放大电路，与所述第一放大电路并联连接在所述第一节点和所述第二节点之间，并且接收所述第二偏置电流，放大通过所述第一节点输入的所述信号，并且将第二放大信号输出到所述第二节点，其中，所述第二放大电路可具有与所述第一放大电路的尺寸不同的尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108696257A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810023060.3
申请日：2018-01-10
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H03H7/38 , H01F21/12 , H03H7/0115 , H03H2210/026 , H03F1/565 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F2200/451 , H03K17/64
Abstract: 本发明提供一种可调电感器电路，所述可调电感器电路包括：第一公共传输线，具有连接到第一端子的一端；第一非公共传输线，具有连接到所述第一公共传输线的另一端的一端；第一开关电路，被配置为选择性地将所述第一公共传输线的所述另一端和所述第一非公共传输线的另一端中的一个连接到第一公共节点；第二公共传输线，具有连接到所述第一公共节点的一端；第二非公共传输线，具有连接到所述第二公共传输线的另一端的一端；以及第二开关电路，被配置为选择性地将所述第二公共传输线的所述另一端和所述第二非公共传输线的另一端中的一个连接到第二端子。
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公开(公告)号：CN108696250A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810029410.7
申请日：2018-01-12
Applicant: 三星电机株式会社
Inventor： 崔在爀
CPC classification number: H03F1/02 , G05F3/26 , H03F1/0266 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F2200/18 , H03F2200/366 , H03F2200/451 , H03F1/0222
Abstract: 本公开提供一种双操作模式功率放大设备，所述双操作模式功率放大设备包括：功率放大电路，被配置为包括放大输入信号的单元放大器；第一偏置电路，被配置为产生所述功率放大电路的第一偏置电流；第二偏置电路，被配置为产生所述功率放大电路的第二偏置电流，所述第二偏置电流为独立于所述第一偏置电流的信号；第一镇流电路，连接于所述第一偏置电路和所述功率放大电路之间，并且被配置为将所述第一偏置电流传输到所述功率放大电路；及第二镇流电路，连接于所述第二偏置电路和所述功率放大电路之间，并且被配置为将所述第二偏置电流传输到所述功率放大电路。
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公开(公告)号：CN118944614A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410527717.5
申请日：2024-04-29
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种功率放大器，所述功率放大器包括：第一功率晶体管，被配置为放大第一输入射频(RF)信号并且输出第一输出RF信号；第一晶体管，包括控制端子、接收第一电压的第一端子以及将第一偏置电流供应到所述第一功率晶体管的第二端子；第二功率晶体管，被配置为放大第二输入RF信号并且输出第二输出RF信号；第二晶体管，包括控制端子、接收第二电压的第一端子以及将第二偏置电流供应到所述第二功率晶体管的第二端子；信号检测电路，被配置为检测与所述第一输出RF信号的幅度或所述第二输出RF信号的幅度相对应的第一值；以及电源电压控制电路，被配置为响应于所述第一值而调节所述第一电压和/或所述第二电压。
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公开(公告)号：CN113225893A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011083118.7
申请日：2020-10-12
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种前端模块，所述前端模块包括：基板，包括至少一个第一绝缘层和至少一个第一布线层交替地堆叠的第一连接构件、至少一个第二绝缘层和至少一个第二布线层交替地堆叠的第二连接构件以及设置在所述第一连接构件和所述第二连接构件之间的芯构件；射频组件，安装在所述基板的表面上并且被配置为对输入射频信号的主频带进行放大或者对所述主频带之外的频带进行滤波；电感器，所述电感器设置在所述芯构件的表面上并且电连接到所述射频组件；以及接地面，设置在所述芯构件的另一表面上。所述芯构件包括比所述至少一个第一绝缘层和所述至少一个第二绝缘层中的绝缘层厚的芯绝缘层。
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