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公开(公告)号：CN101051662A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710004902.2
申请日：2007-02-07
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种基于氮化物的半导体LED，包括：衬底；n型氮化物半导体层，形成在衬底上；有源层，形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；p型氮化物半导体层，形成在有源层上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p型电极焊盘，形成在透明电极上；一对p型连接电极，形成为从p型电极焊盘延伸的线形，以便相对于邻近p型电极焊盘的透明电极的一侧具有小于90°的倾角；一对P电极，从p型连接电极的两端沿n型电极焊盘的方向延伸，p电极平行于相邻的透明电极的一侧形成；以及n型电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层上，在其上并不形成有源层，使得n型电极焊盘面向p型电极焊盘。
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公开(公告)号：CN101132040A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710097453.0
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种垂直的GaN基LED的制造方法，其包括：形成发光结构，其中在衬底上依次层叠n－型GaN基半导体层、有源层、以及p－型GaN基半导体层；蚀刻所述发光结构，从而将所述发光结构分割成LED单元；在各个所述分割的发光结构上形成p－电极；在所述分割的发光结构之间填充非导电材料；在所获得的结构上形成金属种子层；在不包括发光结构之间的区域的所述金属种子层上形成第一镀层；在所述第一镀层之间的所述金属种子层上形成第二镀层；将所述衬底与所述发光结构分离；去除通过分离所述衬底而被暴露的所述发光结构之间的所述非导电材料；在所述n－型GaN基半导体层上形成n－电极；以及去除在所述发光结构之间的所述金属种子层和所述第二镀层的一部分。
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公开(公告)号：CN101051662B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200710004902.2
申请日：2007-02-07
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种基于氮化物的半导体LED，包括：衬底；n型氮化物半导体层，形成在衬底上；有源层，形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；p型氮化物半导体层，形成在有源层上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p型电极焊盘，形成在透明电极上；一对p型连接电极，形成为从p型电极焊盘延伸的线形，以便相对于邻近p型电极焊盘的透明电极的一侧具有小于90°的倾角；一对P电极，从p型连接电极的两端沿n型电极焊盘的方向延伸，p电极平行于相邻的透明电极的一侧形成；以及n型电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层上，在其上并不形成有源层，使得n型电极焊盘面向p型电极焊盘。
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公开(公告)号：CN1606176A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410038588.6
申请日：2004-05-08
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/025
Abstract: 在此公开了一种氮化物半导体发光器件。该氮化物半导体发光器件包括衬底上的n－型氮化物半导体层，在n－型氮化物层上形成的有源层，以致部分n－型氮化物半导体层被露出。在有源层上形成的p－型氮化物半导体层，p－型氮化物半导体层上的高－浓度掺杂剂区，高－浓度掺杂剂区上的反掺杂区，在n－型氮化物半导体层露出的部分上形成的n－侧电极，以及在反掺杂区上形成的p－侧电极。通过离子注入工艺和热处理为p－侧电极提供令人满意的欧姆接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1433070A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN02159839.8
申请日：2002-12-27
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L23/4922 , H01L23/49827 , H01L24/48 , H01L2224/4848 , H01L2224/85051 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/181 , H01L2224/48465 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 芯片封装包括芯片，该芯片具有带有第一端子的第一表面以及带有至少一个第二端子的第二表面，第二表面与第一表面相对，在芯片的第一表面上形成第一导电层，在芯片的第二表面上形成第二导电层，而且该芯片封装还包括贴附在芯片的第二表面上并包括连接到芯片的第二端子的至少一个导电通孔的衬底。并且本发明提供一种包括芯片封装的芯片封装组装部件。另外，提供一种制造芯片封装以及包括该芯片封装的组装部件的方法。芯片封装不使用接合线以及另外的导电焊盘，从而减小封装的大小以及简化制造过程。
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公开(公告)号：CN100536184C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710097453.0
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种垂直的GaN基LED的制造方法，其包括：形成发光结构，其中在衬底上依次层叠n-型GaN基半导体层、有源层、以及p-型GaN基半导体层；蚀刻所述发光结构，从而将所述发光结构分割成LED单元；在各个所述分割的发光结构上形成p-电极；在所述分割的发光结构之间填充非导电材料；在所获得的结构上形成金属种子层；在不包括发光结构之间的区域的所述金属种子层上形成第一镀层；在所述第一镀层之间的所述金属种子层上形成第二镀层；将所述衬底与所述发光结构分离；去除通过分离所述衬底而被暴露的所述发光结构之间的所述非导电材料；在所述n-型GaN基半导体层上形成n-电极；以及去除在所述发光结构之间的所述金属种子层和所述第二镀层的一部分。
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公开(公告)号：CN100424903C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610139775.2
申请日：2006-09-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/641
Abstract: 本发明提供了一种GaN基半导体LED及其制造方法。该GaN基半导体LED可以具有改进的蓝宝石衬底散热能力，从而避免了由热量引起的器件性能退化，并提高了器件的发光效率。在GaN基半导体LED中，蓝宝石衬底具有形成在其下部的至少一个凹槽。具有高于蓝宝石衬底的热传导率的热传导层形成在蓝宝石衬底的底面，以填充凹槽。n型氮化物半导体层形成在蓝宝石衬底上，而且活性层和p型氮化物半导体层顺序形成在n型氮化物半导体层的预定部分上。P电极和n电极分别形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层上。
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公开(公告)号：CN101271952A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810095054.5
申请日：2006-09-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/641
Abstract: 本发明提供了一种GaN基半导体LED及其制造方法。该GaN基半导体LED可以具有改进的蓝宝石衬底散热能力，从而避免了由热量引起的器件性能退化，并提高了器件的发光效率。在GaN基半导体LED中，蓝宝石衬底具有形成在其下部的至少一个凹槽。具有高于蓝宝石衬底的热传导率的热传导层形成在蓝宝石衬底的底面，以填充凹槽。n型氮化物半导体层形成在蓝宝石衬底上，而且活性层和p型氮化物半导体层顺序形成在n型氮化物半导体层的预定部分上。P电极和n电极分别形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层上。
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公开(公告)号：CN101075656A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710097452.6
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化物基半导体LED，包括：衬底；n－型氮化物半导体层，形成在衬底上；活性层，形成在n－型氮化物半导体层的预定区域上；p－型氮化物半导体层，形成在活性层上；p－电极，形成在p－型氮化物半导体层上，该p－电极具有p－型分支电极；p－型ESD衬垫，形成在p－型分支电极的端部处，该p－型ESD衬垫具有大于p－型分支电极的端部的宽度；n－电极，形成在其上未形成活性层的n－型氮化物半导体层上，该n－电极具有n－型分支电极；以及n－型ESD衬垫，形成在n－型分支电极的端部处，该n－型ESD衬垫具有大于n－型分支电极的端部的宽度。
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