公开(公告)号：CN1606176A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410038588.6

申请日：2004-05-08

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 崔锡范 ,  吴邦元 ,  崔熙石

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/025

Abstract: 在此公开了一种氮化物半导体发光器件。该氮化物半导体发光器件包括衬底上的n－型氮化物半导体层，在n－型氮化物层上形成的有源层，以致部分n－型氮化物半导体层被露出。在有源层上形成的p－型氮化物半导体层，p－型氮化物半导体层上的高－浓度掺杂剂区，高－浓度掺杂剂区上的反掺杂区，在n－型氮化物半导体层露出的部分上形成的n－侧电极，以及在反掺杂区上形成的p－侧电极。通过离子注入工艺和热处理为p－侧电极提供令人满意的欧姆接触。

公开(公告)号：CN1750335A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200410061548.3

申请日：2004-12-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 张泰盛 ,  崔熙石 ,  曹相德 ,  全东珉

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/10 ,  H01S3/08086 ,  H01S5/028 ,  H01S5/20

Abstract: 本发明涉及一种多波长激光二极管，其中振荡结构包括半导体衬底以及在半导体衬底上依次形成的半导体衬底和下覆层、有源层以及脊部；在包括脊部的一端的振荡结构的第一表面上形成的第一金属层，以及第一金属层由在至少预定波长的第一波长范围中具有高反射率的金属制成。在第一金属层上形成的第二金属层，第二金属层由在预定波长下的第二波长范围中具有高反射率的金属制成。多波长激光二极管可以改进反射层结构，以在全部可见光范围中实现高反射率。

公开(公告)号：CN100472899C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200410061548.3

申请日：2004-12-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 张泰盛 ,  崔熙石 ,  曹相德 ,  全东珉

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/10 ,  H01S3/08086 ,  H01S5/028 ,  H01S5/20

Abstract: 本发明涉及一种多波长激光二极管，其中振荡结构包括半导体衬底以及在半导体衬底上依次形成的半导体衬底和下覆层、有源层以及脊部；在包括脊部的一端的振荡结构的第一表面上形成的第一金属层，以及第一金属层由在至少预定波长的第一波长范围中具有高反射率的金属制成。在第一金属层上形成的第二金属层，第二金属层由在预定波长下的第二波长范围中具有高反射率的金属制成。多波长激光二极管可以改进反射层结构，以在全部可见光范围中实现高反射率。

公开(公告)号：CN100340007C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410038588.6

申请日：2004-05-08

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 崔锡范 ,  吴邦元 ,  崔熙石

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/025

Abstract: 在此公开了一种氮化物半导体发光器件。该氮化物半导体发光器件包括衬底上的n-型氮化物半导体层，在n-型氮化物层上形成的有源层，以致部分n-型氮化物半导体层被露出。在有源层上形成的p-型氮化物半导体层，p-型氮化物半导体层上的高浓度掺杂剂区，高浓度掺杂剂区上的反掺杂区，在n-型氮化物半导体层露出的部分上形成的n-侧电极，以及在反掺杂区上形成的p-侧电极。通过离子注入工艺和热处理为p-侧电极提供令人满意的欧姆接触。