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公开(公告)号：CN101355130A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810134736.2
申请日：2008-07-23
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供了一种具有良好的光提取效率的半导体发光器件，以通过增加反射层的全反射率来有效反射移动进入该器件的光。根据本发明的一个方面的半导体发光器件包括：衬底；反射电极；顺序地堆叠的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层。这里，反射电极包括：第一反射层，设置在衬底上并包括反射由有源层产生的光的导电反射材料；以及第二反射层，设置在第一反射层上，包括反射由有源层产生的光的一个或多个介电部和填充有导电填料以将第一导电类型半导体层和第一反射层电连接的一个或多个接触孔，并且第二反射层的厚度大于所产生的光的波长。
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公开(公告)号：CN100536184C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710097453.0
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种垂直的GaN基LED的制造方法，其包括：形成发光结构，其中在衬底上依次层叠n-型GaN基半导体层、有源层、以及p-型GaN基半导体层；蚀刻所述发光结构，从而将所述发光结构分割成LED单元；在各个所述分割的发光结构上形成p-电极；在所述分割的发光结构之间填充非导电材料；在所获得的结构上形成金属种子层；在不包括发光结构之间的区域的所述金属种子层上形成第一镀层；在所述第一镀层之间的所述金属种子层上形成第二镀层；将所述衬底与所述发光结构分离；去除通过分离所述衬底而被暴露的所述发光结构之间的所述非导电材料；在所述n-型GaN基半导体层上形成n-电极；以及去除在所述发光结构之间的所述金属种子层和所述第二镀层的一部分。
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公开(公告)号：CN101174664A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710165915.8
申请日：2007-11-02
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种制造氮化物半导体发光装置的方法以及通过该方法制造的氮化物半导体发光装置，该方法包括：通过在用于氮化物单晶生长的预备衬底上顺序地生长第一导电氮化物层、有源层以及第二导电型氮化物层而形成发光结构；根据最终发光装置的尺寸分离发光结构；在发光结构上形成导电衬底；抛光预备衬底的底面以减小预备衬底的厚度；通过加工预备衬底而形成不平坦的表面结构；选择性地移除预备衬底以露出第一导电型氮化物层的部分；以及在第一导电型氮化物层的通过选择性移除所述预备衬底而露出的部分上形成电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100530728C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710165915.8
申请日：2007-11-02
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种制造氮化物半导体发光装置的方法以及通过该方法制造的氮化物半导体发光装置，该方法包括：通过在用于氮化物单晶生长的预备衬底上顺序地生长第一导电氮化物层、有源层以及第二导电型氮化物层而形成发光结构；根据最终发光装置的尺寸分离发光结构；在发光结构上形成导电衬底；抛光预备衬底的底面以减小预备衬底的厚度；通过加工预备衬底而形成不平坦的表面结构；选择性地移除预备衬底以露出第一导电型氮化物层的部分；以及在第一导电型氮化物层的通过选择性移除所述预备衬底而露出的部分上形成电极。
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公开(公告)号：CN101442096A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810184082.4
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种垂直的GaN基LED的制造方法，其包括：形成发光结构，其中在衬底上依次层叠n－型GaN基半导体层、有源层、以及p－型GaN基半导体层；蚀刻所述发光结构，从而将所述发光结构分割成LED单元；在各个所述分割的发光结构上形成p－电极；在所述分割的发光结构之间填充非导电材料；在所获得的结构上形成金属种子层；在不包括发光结构之间的区域的所述金属种子层上形成第一镀层；在所述第一镀层之间的所述金属种子层上形成第二镀层；将所述衬底与所述发光结构分离；去除通过分离所述衬底而被暴露的所述发光结构之间的所述非导电材料；在所述n－型GaN基半导体层上形成n－电极；以及去除在所述发光结构之间的所述金属种子层和所述第二镀层的一部分。
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公开(公告)号：CN101355130B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200810134736.2
申请日：2008-07-23
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供了一种具有良好的光提取效率的半导体发光器件，以通过增加反射层的全反射率来有效反射移动进入该器件的光。根据本发明的一个方面的半导体发光器件包括：衬底；反射电极；顺序地堆叠的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层。这里，反射电极包括：第一反射层，设置在衬底上并包括反射由有源层产生的光的导电反射材料；以及第二反射层，设置在第一反射层上，包括反射由有源层产生的光的一个或多个介电部和填充有导电填料以将第一导电类型半导体层和第一反射层电连接的一个或多个接触孔，并且第二反射层的厚度大于所产生的光的波长。
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公开(公告)号：CN101132040A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710097453.0
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种垂直的GaN基LED的制造方法，其包括：形成发光结构，其中在衬底上依次层叠n－型GaN基半导体层、有源层、以及p－型GaN基半导体层；蚀刻所述发光结构，从而将所述发光结构分割成LED单元；在各个所述分割的发光结构上形成p－电极；在所述分割的发光结构之间填充非导电材料；在所获得的结构上形成金属种子层；在不包括发光结构之间的区域的所述金属种子层上形成第一镀层；在所述第一镀层之间的所述金属种子层上形成第二镀层；将所述衬底与所述发光结构分离；去除通过分离所述衬底而被暴露的所述发光结构之间的所述非导电材料；在所述n－型GaN基半导体层上形成n－电极；以及去除在所述发光结构之间的所述金属种子层和所述第二镀层的一部分。
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