公开(公告)号：CN1893053A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610054947.6

申请日：2006-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李康旭 ,  金玖星 ,  权容载 ,  马金希 ,  韩成一

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种制造芯片嵌入型插件的方法，其可以包括：在硅衬底上形成至少一个凹腔，形成多个穿入所述硅衬底的通路，提供具有多个输入/输出焊盘的集成电路芯片，以及形成连接于所述输入/输出焊盘和通路的重布线导体。使用所述插件，可以在晶片的层次上组成具有不同种类的芯片的堆叠结构。

公开(公告)号：CN101026102A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710004098.8

申请日：2007-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权容载 ,  李康旭 ,  马金希 ,  韩成一 ,  李东镐

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/29 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/16145

Abstract: 在层叠芯片结构及其制造方法中，使用相对简单的工艺完全填充下芯片和上芯片之间的间隙，消除下和上芯片之间的空隙，并消除与空隙相关的断裂和剥离问题。本发明可被应用于芯片级和晶片级键合方法。在层叠芯片或层叠晶片之前，光敏聚合物层被施加到第一芯片或晶片。该光敏聚合物层被部分地固化，以便使该光敏聚合物层的结构稳定，同时保持其粘附性能。第二芯片或晶片被层叠、对准和键合到第一芯片或晶片，然后该光敏聚合物层被固化，以完全键合第一和第二芯片或晶片。以此方式，芯片/晶片之间的粘附力被大大地提高，同时提供间隙的完全填充。此外，机械可靠性被提高和CTE不匹配被减小，减轻与翘曲、断裂和剥离相关的问题，从而提高器件成品率和器件可靠性。