公开(公告)号：CN113745196A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110193507.3

申请日：2021-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆希 ,  卢佑哲 ,  金益秀 ,  金埈宽 ,  金陈燮 ,  慎镛珍

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/108 ,  H01L27/24

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：衬底，包括单元阵列区域和外围电路区域；单元晶体管，在衬底的单元阵列区域上；外围晶体管，在衬底的外围电路区域上；第一互连层，连接到单元晶体管；第二互连层，连接到外围晶体管；层间电介质层，覆盖第一互连层；以及阻挡层，与第一互连层间隔开，该阻挡层覆盖第二互连层的顶表面和侧壁。

公开(公告)号：CN115241191A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202111505121.8

申请日：2021-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金陈燮 ,  金庆希 ,  金汶濬 ,  金埈宽 ,  卢佑哲

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元阵列区域和外围电路区域；电容器，在基底的单元阵列区域上；外围晶体管，在基底的外围电路区域上；第一上层间绝缘层，在电容器和外围晶体管上；第一上接触件，电连接到外围晶体管中的至少一个，第一上接触件穿透第一上层间绝缘层；第一上互连线，设置在第一上层间绝缘层上并且电连接到第一上接触件；第二上层间绝缘层，覆盖第一上互连线；以及第一阻挡层，在第一上层间绝缘层与第二上层间绝缘层之间。在第一上互连线与第一上层间绝缘层之间不存在第一阻挡层。

公开(公告)号：CN118613049A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410202238.6

申请日：2024-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东均 ,  许先佑 ,  金秀彬 ,  金陈燮 ,  徐承莹 ,  宋泰龙

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/64

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括有源区域；单元栅极结构，设置在衬底中，与有源区域交叉，并且在第一水平方向上延伸；位线结构，与单元栅极结构交叉，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；接触插塞，设置在位线结构之间；着接焊盘结构，设置在接触插塞上，并且包括下着接焊盘和在下着接焊盘上的上着接焊盘，其中，上着接焊盘包括空腔；导电图案，设置在上着接焊盘的空腔中；以及绝缘图案结构，与位线结构之一接触并且与着接焊盘结构接触。

公开(公告)号：CN115732465A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210862274.6

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆希 ,  金陈燮 ,  金汶濬 ,  金埈宽

IPC: H01L23/50

Abstract: 提供了具有设置有保护层的布线的半导体装置。所述半导体装置包括：下结构，包括器件和下布线结构；绝缘层，设置在下结构上；过孔，穿透绝缘层；布线图案，在绝缘层和过孔上；以及氧化硅层，覆盖布线图案，并且包括氢，其中，布线图案包括第一导电层、第二导电层、上表面保护层和侧表面保护层，其中，第二导电层在第一导电层上，其中，上表面保护层覆盖第二导电层的上表面，并且侧表面保护层覆盖第一导电层的侧表面和第二导电层的侧表面，并且其中，上表面保护层和侧表面保护层中的每个包括具有比第二导电层的金属材料的活化能高的活化能的金属材料。