公开(公告)号：CN117596864A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310752892.X

申请日：2023-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金圭旻 ,  宋泰龙 ,  安在荣 ,  李志银 ,  黄德性 ,  权睿珍

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，可以包括：位线结构，在衬底上沿一个方向延伸；绝缘结构，在位线结构之间并且彼此间隔开；以及着接焊盘结构，在位线结构和绝缘结构之间的每个开口中。着接焊盘结构可以包括填充开口的一部分的第一阻挡金属图案、在第一阻挡金属图案上沿着开口的表面轮廓的第二阻挡金属图案、以及在第二阻挡金属图案上的第一金属图案。第二阻挡金属图案可以具有在与开口相邻的位线结构上的端部。第一金属图案的上表面可以比位线结构的上表面高。第一阻挡金属图案的最上表面低于第一金属图案的最下表面。

公开(公告)号：CN118613049A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410202238.6

申请日：2024-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东均 ,  许先佑 ,  金秀彬 ,  金陈燮 ,  徐承莹 ,  宋泰龙

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/64

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括有源区域；单元栅极结构，设置在衬底中，与有源区域交叉，并且在第一水平方向上延伸；位线结构，与单元栅极结构交叉，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；接触插塞，设置在位线结构之间；着接焊盘结构，设置在接触插塞上，并且包括下着接焊盘和在下着接焊盘上的上着接焊盘，其中，上着接焊盘包括空腔；导电图案，设置在上着接焊盘的空腔中；以及绝缘图案结构，与位线结构之一接触并且与着接焊盘结构接触。