公开(公告)号：CN114156268A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202110571210.6

申请日：2021-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东均 ,  金永信 ,  朴基振 ,  宋昊柱 ,  杨同官 ,  尹详皓 ,  李奎贤 ,  李知垠 ,  韩昇煜 ,  洪润基

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/423 ,  H01L21/027 ,  H01L21/266

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅极结构，位于基底上；第一间隔件结构和第二间隔件结构，分别位于栅极结构的彼此相对的第一侧壁和第二侧壁上；以及第一源极/漏极层和第二源极/漏极层，分别位于基底的与栅极结构的第一侧壁相邻的上部和基底的与栅极结构的第二侧壁相邻的上部处。栅极结构的上表面具有参照作为基准面的基底的上表面从栅极结构的中心部分到栅极结构的第一侧壁减小并且从栅极结构的中心部分到栅极结构的第二侧壁基本恒定的高度。

公开(公告)号：CN119183287A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202410739991.9

申请日：2024-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东均 ,  金圭旻 ,  金慧珍 ,  宋承润

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：位线，位于衬底的单元区域上；接触插塞，位于所述位线之间；着陆焊盘，位于所述接触插塞上；外围栅极，位于所述衬底的外围电路区域上；下层间绝缘层，覆盖所述外围栅极的侧表面；外围接触插塞，穿透所述下层间绝缘层；外围互连层，位于所述下层间绝缘层和所述外围接触插塞上；以及外围绝缘结构，在所述外围互连层之间穿过，其中，所述外围绝缘结构包括部分地穿透所述下层间绝缘层的第一外围绝缘结构，并且其中，所述第一外围绝缘结构包括第一外围绝缘层、位于所述第一外围绝缘层上并且在所述外围互连层之间穿过的第二外围绝缘层、和位于所述下层间绝缘层与所述第一外围绝缘层之间的混合物层。

公开(公告)号：CN118613049A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410202238.6

申请日：2024-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东均 ,  许先佑 ,  金秀彬 ,  金陈燮 ,  徐承莹 ,  宋泰龙

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/64

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括有源区域；单元栅极结构，设置在衬底中，与有源区域交叉，并且在第一水平方向上延伸；位线结构，与单元栅极结构交叉，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；接触插塞，设置在位线结构之间；着接焊盘结构，设置在接触插塞上，并且包括下着接焊盘和在下着接焊盘上的上着接焊盘，其中，上着接焊盘包括空腔；导电图案，设置在上着接焊盘的空腔中；以及绝缘图案结构，与位线结构之一接触并且与着接焊盘结构接触。