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公开(公告)号：CN118613049A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410202238.6
申请日：2024-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/64
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括有源区域；单元栅极结构，设置在衬底中，与有源区域交叉，并且在第一水平方向上延伸；位线结构，与单元栅极结构交叉，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；接触插塞，设置在位线结构之间；着接焊盘结构，设置在接触插塞上，并且包括下着接焊盘和在下着接焊盘上的上着接焊盘，其中，上着接焊盘包括空腔；导电图案，设置在上着接焊盘的空腔中；以及绝缘图案结构，与位线结构之一接触并且与着接焊盘结构接触。
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