公开(公告)号：CN101373765A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810144566.6

申请日：2008-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛镇铉 ,  曹盛纯 ,  金珉澈 ,  崔升旭

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/1052 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L28/20

Abstract: 在一种半导体器件及其制造方法中，该半导体器件包括基板，其包括第一区和第二区。至少一个第一栅极结构位于第一区中的基板上，该至少一个第一栅极结构包括第一栅极绝缘层和第一栅极绝缘层上的第一栅极电极层。至少一个隔离结构位于第二区中的基板中，该隔离结构的顶表面在高度上低于基板的顶表面。至少一个电阻器图案位于至少一个隔离结构上。

公开(公告)号：CN101373765B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200810144566.6

申请日：2008-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛镇铉 ,  曹盛纯 ,  金珉澈 ,  崔升旭

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/1052 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L28/20

Abstract: 在一种半导体器件及其制造方法中，该半导体器件包括基板，其包括第一区和第二区。至少一个第一栅极结构位于第一区中的基板上，该至少一个第一栅极结构包括第一栅极绝缘层和第一栅极绝缘层上的第一栅极电极层。至少一个隔离结构位于第二区中的基板中，该隔离结构的顶表面在高度上低于基板的顶表面。至少一个电阻器图案位于至少一个隔离结构上。

公开(公告)号：CN101510440A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910007531.2

申请日：2009-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泓秀 ,  申花炅 ,  金珉澈

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/08 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/08

Abstract: 一种闪速存储器装置，可以包括存储单元阵列，存储单元阵列包括多个存储块，其中每个存储块具有设置在字线和位线的交叉处的存储单元，其中，多个存储块中的存储块彼此紧邻，并且限定存储块对。闪速存储器装置还可包括行选择电路，行选择电路被配置为响应于与存储地址相关联的存储操作来驱动字线，其中，行选择电路可包括位于每对存储块中所包括的存储块之间的相应屏蔽线，并且存储块对中的每个存储块在其间具有公共源线。

公开(公告)号：CN105843567B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201610065336.5

申请日：2016-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金普永 ,  金珉澈 ,  朴洪植

IPC: G06F3/14

Abstract: 提供一种用于减小显示噪声的显示控制器和包括显示控制器的系统。所述用于减小显示噪声的显示控制器包括：存储器，被配置为存储包括M行数据的帧数据，其中，M为至少为2的整数；数据大小控制器，被配置为可变地调整被发送到显示装置的数据的大小；显示驱动电路，被配置为从存储器读取与数据的大小相应的数据量，并将读取的数据发送到显示装置。

公开(公告)号：CN105843567A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610065336.5

申请日：2016-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金普永 ,  金珉澈 ,  朴洪植

IPC: G06F3/14

Abstract: 提供一种用于减小显示噪声的显示控制器和包括显示控制器的系统。所述用于减小显示噪声的显示控制器包括：存储器，被配置为存储包括M行数据的帧数据，其中，M为至少为2的整数；数据大小控制器，被配置为可变地调整被发送到显示装置的数据的大小；显示驱动电路，被配置为从存储器读取与数据的大小相应的数据量，并将读取的数据发送到显示装置。

公开(公告)号：CN102544017B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201110378154.0

申请日：2011-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉澈 ,  沈载煌 ,  宋尚彬

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11543 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明涉及非易失性存储器及其制造方法。一种非易失性存储器，包括：衬底；在所述衬底上的控制栅电极；以及在所述控制栅电极和所述衬底之间的电荷存储区域。控制栅掩模图案位于所述控制栅电极上，所述控制栅电极包括控制基础栅和在所述控制基础栅上的控制金属栅。所述控制金属栅的宽度小于所述控制栅掩模图案的宽度。抗氧化间隔物位于所述控制栅掩模图案和所述控制基础栅之间在所述控制金属栅的侧壁处。

公开(公告)号：CN101510440B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN200910007531.2

申请日：2009-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泓秀 ,  申花炅 ,  金珉澈

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/08 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/08

Abstract: 一种闪速存储器装置，可以包括存储单元阵列，存储单元阵列包括多个存储块，其中每个存储块具有设置在字线和位线的交叉处的存储单元，其中，多个存储块中的存储块彼此紧邻，并且限定存储块对。闪速存储器装置还可包括行选择电路，行选择电路被配置为响应于与存储地址相关联的存储操作来驱动字线，其中，行选择电路可包括位于每对存储块中所包括的存储块之间的相应屏蔽线，并且存储块对中的每个存储块在其间具有公共源线。

公开(公告)号：CN102544017A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110378154.0

申请日：2011-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉澈 ,  沈载煌 ,  宋尚彬

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11543 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明涉及非易失性存储器及其制造方法。一种非易失性存储器，包括：衬底；在所述衬底上的控制栅电极；以及在所述控制栅电极和所述衬底之间的电荷存储区域。控制栅掩模图案位于所述控制栅电极上，所述控制栅电极包括控制基础栅和在所述控制基础栅上的控制金属栅。所述控制金属栅的宽度小于所述控制栅掩模图案的宽度。抗氧化间隔物位于所述控制栅掩模图案和所述控制基础栅之间在所述控制金属栅的侧壁处。