公开(公告)号：CN102544017B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201110378154.0

申请日：2011-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉澈 ,  沈载煌 ,  宋尚彬

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11543 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明涉及非易失性存储器及其制造方法。一种非易失性存储器，包括：衬底；在所述衬底上的控制栅电极；以及在所述控制栅电极和所述衬底之间的电荷存储区域。控制栅掩模图案位于所述控制栅电极上，所述控制栅电极包括控制基础栅和在所述控制基础栅上的控制金属栅。所述控制金属栅的宽度小于所述控制栅掩模图案的宽度。抗氧化间隔物位于所述控制栅掩模图案和所述控制基础栅之间在所述控制金属栅的侧壁处。

公开(公告)号：CN102544017A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110378154.0

申请日：2011-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉澈 ,  沈载煌 ,  宋尚彬

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11543 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明涉及非易失性存储器及其制造方法。一种非易失性存储器，包括：衬底；在所述衬底上的控制栅电极；以及在所述控制栅电极和所述衬底之间的电荷存储区域。控制栅掩模图案位于所述控制栅电极上，所述控制栅电极包括控制基础栅和在所述控制基础栅上的控制金属栅。所述控制金属栅的宽度小于所述控制栅掩模图案的宽度。抗氧化间隔物位于所述控制栅掩模图案和所述控制基础栅之间在所述控制金属栅的侧壁处。