公开(公告)号：CN101373765A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810144566.6

申请日：2008-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛镇铉 ,  曹盛纯 ,  金珉澈 ,  崔升旭

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/1052 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L28/20

Abstract: 在一种半导体器件及其制造方法中，该半导体器件包括基板，其包括第一区和第二区。至少一个第一栅极结构位于第一区中的基板上，该至少一个第一栅极结构包括第一栅极绝缘层和第一栅极绝缘层上的第一栅极电极层。至少一个隔离结构位于第二区中的基板中，该隔离结构的顶表面在高度上低于基板的顶表面。至少一个电阻器图案位于至少一个隔离结构上。

公开(公告)号：CN108231779B

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN201711293317.9

申请日：2017-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈善一 ,  崔升旭

IPC: H10B43/40 ,  H10B43/35

Abstract: 一种半导体器件包括在半导体衬底上的多个单元栅电极。单元栅电极的端部包括在平行于半导体衬底的表面的方向上延伸的台阶状的垫区域。垂直结构在半导体衬底上并穿过所述多个单元栅电极。垂直结构分别包括沟道层。上外围晶体管设置在半导体衬底上。上外围晶体管包括在比所述多个单元栅电极的水平更高的水平处的上外围栅电极、穿过上外围栅电极并电连接到垫区域的主体图案、以及在上外围栅电极与主体图案之间的栅极电介质层。

公开(公告)号：CN118039612A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202310689371.4

申请日：2023-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵柱盛 ,  白在馥 ,  尹泽硅 ,  崔升旭 ,  韩智勋 ,  洪兑允

IPC: H01L23/64

Abstract: 提供了半导体器件和形成图案的方法。半导体器件包括具有尖角的有源图案。半导体器件包括包含衬底的外围电路、和衬底上的有源图案。当在平面图中观察时，有源图案是蛇形的，并且拐角具有彼此不同的形状。

公开(公告)号：CN108231779A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711293317.9

申请日：2017-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈善一 ,  崔升旭

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/115

Abstract: 一种半导体器件包括在半导体衬底上的多个单元栅电极。单元栅电极的端部包括在平行于半导体衬底的表面的方向上延伸的台阶状的垫区域。垂直结构在半导体衬底上并穿过所述多个单元栅电极。垂直结构分别包括沟道层。上外围晶体管设置在半导体衬底上。上外围晶体管包括在比所述多个单元栅电极的水平更高的水平处的上外围栅电极、穿过上外围栅电极并电连接到垫区域的主体图案、以及在上外围栅电极与主体图案之间的栅极电介质层。

公开(公告)号：CN101373765B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200810144566.6

申请日：2008-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛镇铉 ,  曹盛纯 ,  金珉澈 ,  崔升旭

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/1052 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L28/20

Abstract: 在一种半导体器件及其制造方法中，该半导体器件包括基板，其包括第一区和第二区。至少一个第一栅极结构位于第一区中的基板上，该至少一个第一栅极结构包括第一栅极绝缘层和第一栅极绝缘层上的第一栅极电极层。至少一个隔离结构位于第二区中的基板中，该隔离结构的顶表面在高度上低于基板的顶表面。至少一个电阻器图案位于至少一个隔离结构上。