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公开(公告)号:CN108460184B
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN201810070832.9
申请日:2018-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392
Abstract: 一种制造包括标准单元的实例的集成电路(IC)的方法包括布置第一实例并布置与第一实例相邻的第二实例。所述第二实例具有与所述第一实例的场景组相对应的前端层图案。所述场景组包括与实例的前端层图案有关的信息,所述前端层图案在所述第一实例上引起相同的局部布局效应(LLE)并且与所述第一实例相邻地布置。
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公开(公告)号:CN119993922A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202411129191.1
申请日:2024-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/538
Abstract: 三维集成电路可以包括:第一开关单元,位于多个管芯中的第一管芯内的第一基板上,并且被配置为基于从外部接收的电源电压输出虚拟电源电压;第一接口模块,位于第一基板上,并且被配置为基于虚拟电源电压进入活动模式;以及第二接口模块,位于多个管芯中与第一管芯接合的第二管芯内的第二基板上,并且被配置为基于虚拟电源电压与第一接口模块一起进入活动模式。
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公开(公告)号:CN118940706A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202410079779.4
申请日:2024-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/396 , G06F30/398 , G06F30/367 , G06F30/3312 , G06F30/3315 , G06F119/14
Abstract: 提供了一种设计集成电路的方法和系统。示例实施例提供了一种集成电路的设计方法,所述设计方法包括:布置贯穿过孔;基于根据距贯穿过孔的距离的饱和电流变化率来确定贯穿过孔周围的隔离区;布置标准单元;确定所述单元之中的布置在隔离区内的单元;以及基于从贯穿过孔到单元的距离来设置时序裕度。
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公开(公告)号:CN108460184A
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201810070832.9
申请日:2018-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G05B19/4097 , G05B2219/45031 , G06F17/5072 , G06F2217/12 , Y02P90/265
Abstract: 一种制造包括标准单元的实例的集成电路(IC)的方法包括布置第一实例并布置与第一实例相邻的第二实例。所述第二实例具有与所述第一实例的场景组相对应的前端层图案。所述场景组包括与实例的前端层图案有关的信息,所述前端层图案在所述第一实例上引起相同的局部布局效应(LLE)并且与所述第一实例相邻地布置。
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