公开(公告)号：CN119993922A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411129191.1

申请日：2024-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪勈轸 ,  金基玉

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538

Abstract: 三维集成电路可以包括：第一开关单元，位于多个管芯中的第一管芯内的第一基板上，并且被配置为基于从外部接收的电源电压输出虚拟电源电压；第一接口模块，位于第一基板上，并且被配置为基于虚拟电源电压进入活动模式；以及第二接口模块，位于多个管芯中与第一管芯接合的第二管芯内的第二基板上，并且被配置为基于虚拟电源电压与第一接口模块一起进入活动模式。

公开(公告)号：CN118940706A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410079779.4

申请日：2024-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基玉 ,  洪勈轸 ,  任美贞

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/394 ,  G06F30/396 ,  G06F30/398 ,  G06F30/367 ,  G06F30/3312 ,  G06F30/3315 ,  G06F119/14

Abstract: 提供了一种设计集成电路的方法和系统。示例实施例提供了一种集成电路的设计方法，所述设计方法包括：布置贯穿过孔；基于根据距贯穿过孔的距离的饱和电流变化率来确定贯穿过孔周围的隔离区；布置标准单元；确定所述单元之中的布置在隔离区内的单元；以及基于从贯穿过孔到单元的距离来设置时序裕度。