公开(公告)号：CN117457046A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310779980.9

申请日：2023-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东一 ,  徐宁焄 ,  金善瑛 ,  李昊锡

IPC: G11C11/4074 ,  G11C11/4091

Abstract: 公开了包括感测放大器的存储器装置以及操作感测放大器的方法。一种操作位线感测放大器的方法可包括：通过将位线、互补位线、感测位线和互补感测位线充电到预充电电压执行正常预充电操作，通过将位线连接到感测位线、将互补位线连接到互补感测位线、将大于预充电电压的第一内部电压施加到P型感测放大器以及将小于预充电电压的第二内部电压施加到N型感测放大器来执行第一偏移补偿操作。通过在将第二内部电压施加到N型感测放大器的同时将预充电电压施加到P型感测放大器来执行第二偏移补偿操作。通过将位线与感测位线分离，将互补位线与互补感测位线分离，将感测位线连接到互补感测位线，将预充电电压施加到N型感测放大器执行位线偏移检测操作。

公开(公告)号：CN119943102A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202410964722.2

申请日：2024-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵埈熙 ,  南仁哲 ,  姜奎彰 ,  金尚玧 ,  金善瑛 ,  朴钟旭 ,  李昊锡 ,  郑强燮

IPC: G11C7/18 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12

Abstract: 一种存储器件，包括存储单元阵列、感测放大器、电压产生电路和控制电路。存储单元阵列包括：多条位线，连接到多个存储单元；以及屏蔽位线，布置在多条位线之间以及多条位线的下部上。感测放大器被配置为：感测并放大从多个存储单元之中选择的存储单元中存储的数据。电压产生电路被配置为：基于存储器件的电源电压来产生位线预充电电压和内部电源电压。控制电路被配置为：选择性地向屏蔽位线提供位线预充电电压或内部电源电压。

公开(公告)号：CN117746945A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202310671766.1

申请日：2023-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善瑛 ,  金尚玧 ,  徐宁焄

IPC: G11C11/4091 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4094

Abstract: 提供了一种能够自适应地控制偏置的半导体存储器件和操作该半导体存储器件的方法。该半导体存储器件包括：存储单元区，包括被施加第一偏压的多个第一晶体管；以及外围电路区，在第一方向上与存储单元区重叠并且包括被施加第二偏压的多个第二晶体管，对第二偏压的控制与第一偏压不同。

公开(公告)号：CN115910150A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210915800.0

申请日：2022-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昊锡 ,  金善瑛 ,  徐宁焄

IPC: G11C11/4091 ,  G11C11/4063

Abstract: 提供了位线感测放大器和半导体存储器装置。所述位线感测放大器包括：多个半导体器件，包括并排设置的感测晶体管和选择晶体管，并且所述多个半导体器件被配置为感测位线和互补位线的电压变化；和布线图案，连接到所述多个半导体器件中的至少一个。感测晶体管共享源电极。选择晶体管可被控制为互补地导通和截止。布线图案包括：第一布线图案，电连接感测晶体管的栅电极和选择晶体管的漏电极；和第二布线图案，电连接感测晶体管的栅电极和另一感测晶体管的漏电极。

公开(公告)号：CN114974348A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210159293.2

申请日：2022-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东锡 ,  金善瑛 ,  金惠兰 ,  李泰允 ,  赵成龙

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/408

Abstract: 提供了存储装置及存储装置的操作方法。操作方法包括：从存储控制器接收激活‑刷新命令；从激活‑刷新命令解码目标地址和内部命令；以及基于内部命令针对目标地址执行激活操作，并且对目标地址不属于的至少一个块执行刷新操作。